PROCESO Y APARATO PARA FORMAR UNA CAPA DEPOSITADA PARA UN MIEMBRO RECEPTOR DE LUZ , EL MIEMBRO RECEPTOR DE LUZ PRODUCIDO POR EL PROCESO, APARATO DE CONFORMADO DE LA PELICULA DEPOSITADA, Y METODO PARA LIMPIAR EL APARATO DE CONFORMADO DE LA PELICULA DEPOSITADA.

SE DESCRIBE UN PROCESO PARA PRODUCIR UN MIEMBRO RECEPTOR DE LUZ QUE COMPRENDE UN SUSTRATO Y UNA CAPA RECEPTORA DE LUZ NO-MONOCRISTALINA SOBRE EL SUSTRATO;

QUE COMPRENDE FORMAR AL MENOS UNA PARTE DE LA CAPA POR DESCOMPOSICION DE UN GAS DE MATERIAL INICIADOR QUE SE INTRODUCE EN UNA CAMARA DE REACCION POR MEDIO DE UNA ONDA ELECTROMAGNETICA CON UNA FRECUENCIA DE 20 A 450 MHZ.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: CANON KABUSHIKI KAISHA.

Nacionalidad solicitante: Japón.

Dirección: 30-2, 3-CHOME, SHIMOMARUKO, OHTA-KU,TOKYO.

Inventor/es: OKAMURA, RYUJI, AKIYAMA, KAZUYOSHI, MURAYAMA, HITOSHI, HITSUISHI, KOJI, KOJIMA, SATOSHI, OHTOSHI, HIROKAZU, YAMAMURA, MASAAKI.

Fecha de Publicación: 1 de Marzo de 1999.

Fecha Concesión Europea: 7 de Enero de 1999.

Clasificación Internacional de Patentes:

C23C16/50 QUIMICA; METALURGIA. › C23 REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO QUIMICO DE LA SUPERFICIE; TRATAMIENTO DE DIFUSION DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL; MEDIOS PARA IMPEDIR LA CORROSION DE MATERIALES METALICOS, LAS INCRUSTACIONES, EN GENERAL. › C23C REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO DE MATERIALES METALICOS POR DIFUSION EN LA SUPERFICIE, POR CONVERSION QUIMICA O SUSTITUCION; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL (fabricación de productos revestidos de metal por extrusión B21C 23/22; revestimiento metálico por unión de objetos con capas preexistentes, ver las clases apropiadas, p. ej. B21D 39/00, B23K; metalización del vidrio C03C; metalización de piedras artificiales, cerámicas o piedras naturales C04B 41/00; esmaltado o vidriado de metales C23D; tratamiento de superficies metálicas o revestimiento de metales mediante electrolisis o electroforesis C25D; crecimiento de monocristales C30B; mediante metalización de textiles D06M 11/83; decoración de textiles por metalización localizada D06Q 1/04). › C23C 16/00 Revestimiento químico por descomposición de compuestos gaseosos, no quedando productos de reacción del material de la superficie en el revestimiento, es decir, procesos de deposición química en fase vapor (pulverización catódica reactiva o evaporación reactiva en vacío C23C 14/00). › por medio de descargas eléctricas.
G03G5/082 FISICA. › G03 FOTOGRAFIA; CINEMATOGRAFIA; TECNICAS ANALOGAS QUE UTILIZAN ONDAS DISTINTAS DE LAS ONDAS OPTICAS; ELECTROGRAFIA; HOLOGRAFIA. › G03G ELECTROGRAFIA; ELECTROFOTOGRAFIA; MAGNETOGRAFIA (registro de la información basado en un movimiento relativo entre el soporte de registro y el transductor G11B; memorias estáticas con medios para escribir o leer informaciones G11C; registro de señales de televisión H04N 5/76). › G03G 5/00 Organos de registro para registro original por exposición, p. ej. a la luz, al calor, a los electrones; Fabricación para este efecto; Empleo de materiales especificados con este fin (superficies de registro para aparatos de medida G01D 15/34; materiales fotosensibles para la fotografía G03C). › y no incorporado en un material de unión, p. ej. depositado en vacío.
H01L31/20 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00). › comprendiendo los dispositivos o sus partes constitutivas un material semiconductor amorfo.

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