MATERIAL FOTOVOLTAICO MULTIUNIÓN TIPO P-I-N, DISPOSITIVO CERÁMICO FOTOVOLTAICO QUE LO COMPRENDE Y MÉTODOS DE OBTENCIÓN DE LOS MISMOS.
La presente invención se refiere a un material fotovoltaico tipo P-I-N caracterizado porque comprende al menos tres uniones semiconductoras tipo P-I-N apiladas en tándem,
cuyas capas tipo P, I y N comprenden silicio microcristalino hidrogenado contenido en una matriz de silicio amorfo en su composición, y donde además cada una de las capas P y N de cada unión tipo P-I-N presenta una composición particular. Dicho material es adecuado para la obtención de dispositivos fotovoltaicos con soporte cerámico, preferentemente materiales convencionales empleados en la industria de la construcción. También es objeto de la presente invención el método de obtención del material fotovoltaico, asi como el método de acondicionamiento de la superficie del soporte cerámico en cuestión y el esmalte empleado para dicho acondicionamiento, cuya composición es novedosa e inventiva.
Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/ES2011/070744.
Solicitante: UNIVERSIDAD POLITECNICA DE VALENCIA.
Nacionalidad solicitante: España.
Inventor/es: OROZCO MESSANA, JAVIER, HERNÁNDEZ FENOLLOSA,María de los Ángeles.
Fecha de Publicación: .
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L31/077 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00). › Comprendiendo los dispositivos materiales monocristalinos o policristalinos.
- H01L31/20 H01L 31/00 […] › comprendiendo los dispositivos o sus partes constitutivas un material semiconductor amorfo.
Patentes similares o relacionadas:
Convertidor fotovoltaico con estructura de emisor mejorada basada en componentes de silicio y un método para la producción del convertidor fotovoltaico, del 8 de Mayo de 2019, de SEGTON Advanced Technology: Un convertidor fotovoltaico, que comprende una estructura de emisor hecha de componentes de silicio capaces de convertir fotones de alta energía en electrones libres en particular […]
Aditivos para silano para dispositivos fotovoltaicos de película delgada de silicio, del 15 de Octubre de 2014, de AIR PRODUCTS AND CHEMICALS, INC.: Un método de depósito de una película de silicio amorfo (-Si:H) o de una película de silicio microcristalino (-CSi:H) como película fotoconductora sobre un sustrato, que […]
Célula fotovoltaica de heterounión con doble de dopaje y procedimiento de fabricación, del 25 de Diciembre de 2013, de COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES: Célula fotovoltaica que comprende una heterounión entre un sustrato semiconductor cristalino de un primer tipo de conductividad y una primera capa […]
MATERIAL FOTOVOLTAICO MULTIUNIÓN TIPO P-I-N, DISPOSITIVO CERÁMICO FOTOVOLTAICO QUE LO COMPRENDE Y MÉTODOS DE OBTENCIÓN DE LOS MISMOS, del 2 de Agosto de 2012, de UNIVERSIDAD POLITECNICA DE VALENCIA: Material fotovoltaico multiunión tipo P-I-N, dispositivo cerámico fotovoltaico que lo comprende y métodos de obtención de los mismos. La presente invención se refiere […]
Fabricación de submódulos fotovoltaicos, del 20 de Abril de 2012, de CARDINAL IG COMPANY: Método de fabricación de submódulos fotovoltaicos, comprendiendo dicho método:
la carga de un rollo continuo de película flexible y no electroconductora […]
Sistema de producción de batería solar de película delgada, del 10 de Abril de 2012, de FUJI ELECTRIC CO. LTD: Aparato de fabricación de células solares de película delgada, en el que un sustrato de película flexible, con forma de tira, enrollado alrededor de un rodillo […]
CELULAS SOLARES NANOESTRUCTURADAS EN TANDEM AMORFOCRISTALINAS, del 12 de Mayo de 2011, de GENERAL ELECTRIC COMPANY: Células solares de nanohilos en tándem amorfocristalinas.Un dispositivo fotovoltaico que incluye una pluralidad de nanoestructuras alargadas dispuestas […]
MÉTODO PARA CONTROLAR EL PROCESO DE FABRICACIÓN DE UN APARATO DE CONVERSIÓN FOTOELÉCTRICA, del 10 de Octubre de 2011, de KANEKA CORPORATION: Un sistema de control de calidad de un aparato de conversión fotoeléctrica, que utiliza marcas, que comprende: medios para poner una primera marca sobre […]