METALIZACIONES PERFECCIONADAS A BASE DE COBRE, PARA CIRCUITOS INTEGRADOS HIBRIDOS.
SE DESCRIBE UNA NUEVA METALIZACION QUE ES UN COMPUESTO DE CAPAS METALICAS SUBSECUENTES,
COMENZANDO POR UNA CAPA DE TITANIO, Y QUE TIENEN EN UN ORDEN ASCENDENTE LA SIGUIENTE COMPOSICION; TI PALADIO CONTENIENDO DE 0'3 A 14 DE PD DE PORCENTAJE POR PESO DE LA ALEACION. LA ALEACION DE TIPD ES MORDENTABLE (SE PUEDE ATACAR QUIMICAMENTE) EN UNA SOLUCION DE HF ACUOSA, CONTENIENDO DE 0'5 A 2'0 Y MAS, PREFERENTEMENTE DE 0'5 A 1'2 HF PORCENTAJE POR PESO. EL USO DE LA ALEACION DE TIPD EVITA QUE SE PRODUZCAN RESIDUOS DE PD, PERMANECIENDO DESPUES DEL MORDENTADO DE LA CAPA DE TI, Y DESPRENDIMIENTO O ELEVACION (MORDENTADO DE RECHAZO) DE CAPA DE PD QUE SE DABA EN UNA METALIZACION DE TI-PD-CU-NI-AU DE LA TECNICA ANTERIOR. LAS CAPAS DE TI Y TIPD ESTAN PRESENTES EN UN ESPESOR QUE OSCILA ENTRE 100 Y 300 NM, Y ENTRE 50 Y 300 NM RESPECTIVAMENTE, Y EN UN ESPESOR MINIMO TOTAL NECESITADO PARA MANTENER LAS CARACTERISTICAS DE UNION DE LA METALIZACION. LA METALIZACION ES ADECUADA PARA USO EN VARIOS CIRCUITOS, INCLUYENDO CIRCUITOS INTEGRADOS (ICS), CIRCUITOS INTEGRADOS HIBRIDOS (HICS) CIRCUITOS INTEGRADOS DE PELICULA (FICS), MODULOS MULTI-CHIPS (MCMS), ETC.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: AT&T CORP..
Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.
Dirección: 32 AVENUE OF THE AMERICAS,NEW YORK, NY 10013-2412.
Inventor/es: FRANKENTHAL, ROBERT PETER, IBIDUNNI, AJIBOLA O., KRAUSE, DENNIS LYLE.
Fecha de Publicación: .
Fecha Concesión Europea: 30 de Diciembre de 1998.
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L23/498 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 23/00 Detalles de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido (H01L 25/00 tiene prioridad). › Conexiones eléctricas sobre sustratos aislantes.
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