CONTACTO DE PUERTA DE POLISILICIO AUTO-ALINEADO.

SE ABRE UN CONTACTO DE PUERTA (EJ. 19) RESPECTO A UN TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO SOBRE LA FUENTE/ZONA DE DRENAJE (EJ.

21) FORMANDO CLAVIJAS DE POLISILICIO (EJ. 15) ENTRE LA ESTRUCTURA DE PUERTA (EJ. 5), QUE TIENE UNA CAPA SUPERIOR DE NITRURO (EJ. 11), Y LAS ZONAS DE OXIDO DEL CAMPO (EJ. 3). SE FORMAN LOS CONTACTOS (EJ. 19) POR OXIDACION Y MORDENTADO DE LA ESTRUCTURA DE PUERTA (EJ. 5) Y LAS CLAVIJAS DE POLISILICIO (EJ. 15). SE PUEDE DEPOSITAR UNA CAPA DE OXIDO (EJ. 31) ANTES DEL MORDENTADO. EL ULTIMO PASO ABRE UN CONTACTO DE PUERTA, PERO NO EXPONE EL SILICIO EN LA CLAVIJA (EJ. 15) A CAUSA DE LAS DISTINTAS VELOCIDADES DE OXIDACION DE LA CLAVIJA DE POLISILICIO (EJ. 15), Y EL MATERIAL (EJ. 11) DE LA PARTE SUPERIOR DE LA ESTRUCTURA DE PUERTA (EJ. 5) CREA CAPAS DE OXIDO QUE TIENEN DISTINTOS ESPESORES. AHORA SE EXTRAE EL NITRURO Y SE FORMAN LOS CONTACTOS (EJ. 19) RESPECTO A LA ESTRUCTURA DE PUERTA (EJ. 5).

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: AT&T CORP..

Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.

Dirección: 32 AVENUE OF THE AMERICAS,NEW YORK, NY 10013-2412.

Inventor/es: LEE, KUO-HUA, SUNG, JANMYE.

Fecha de Publicación: 1 de Octubre de 1998.

Fecha Concesión Europea: 12 de Agosto de 1998.

Clasificación Internacional de Patentes:

H01L21/336 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › con puerta aislada.
H01L21/60 H01L 21/00 […] › Fijación de hilos de conexión o de otras piezas conductoras, para conducir la corriente hacia o desde el dispositivo durante su funcionamiento.

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