METODO DE FORMACION DE ESTRUCTURAS LUMINISCENTES DE SILICIO POROSO.
METODO DE FORMACION DE ESTRUCTURAS LUMINISCENTES DE SILICIO POROSO (SP).
SE DESCRIBE UN METODO PARA LA OBTENCION DE UNA ESTRUCTURA LUMINISCENTE DE SILICIO POROSO A PARTIR DE LA ANODIZACION DE SILICIO MONOCRISTALINO EN UN REGIMEN POTENCIOSTATICO (CON VALOR CONSTANTE DE VOLTAJE) EN SOLUCION DE ACIDO FLUORHIDRICO Y DEPOSICION ELECTROQUIMICA DE LA CAPA DEL POLIMERO CONDUCTOR (POLIANILINA, POLIPIRROL, POLITHIOFENO, ETC.) EN LOS POROS. ESTE METODO TIENE UNA APLICACION INMEDIATA EN LA FORMACION DE ESTRUCTURAS LUMINISCENTES TANTO AISLADAS COMO FORMANDO PARTE DE CIRCUITOS INTEGRADOS FABRICADOS SOBRE SILICIO.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: UNIVERSIDAD AUTONOMA DE MADRID
UNIVERSIDAD POLITECNICA DE VALENCIA.
Nacionalidad solicitante: España.
Provincia: MADRID.
Inventor/es: PARKHUTIK, VITALY, MARTINEZ-DUART, JOSE MANUEL, ELIZALDE PEREZ GRUESO, EDUARDO, DIAZ CALLEJA, RICARDO, MATVEEVA, EUGENIA.
Fecha de Solicitud: 18 de Enero de 1994.
Fecha de Publicación: .
Fecha de Concesión: 11 de Noviembre de 1997.
Clasificación Internacional de Patentes:
- C09K11/59 QUIMICA; METALURGIA. › C09 COLORANTES; PINTURAS; PULIMENTOS; RESINAS NATURALES; ADHESIVOS; COMPOSICIONES NO PREVISTAS EN OTRO LUGAR; APLICACIONES DE LOS MATERIALES NO PREVISTAS EN OTRO LUGAR. › C09K SUSTANCIAS PARA APLICACIONES NO PREVISTAS EN OTRO LUGAR; APLICACIONES DE SUSTANCIAS NO PREVISTAS EN OTRO LUGAR. › C09K 11/00 Sustancias luminiscentes, p. ej. electroluminiscentes, quimiluminiscentes. › que contienen silicio.
- H01L33/00 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › Dispositivos semiconductores que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie especialmente adaptados para la emisión de luz; Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Detalles (H01L 51/50 tiene prioridad; dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores formados en o sobre un sustrato común y que incluyen componentes semiconductores con al menos una barrera de potencial o de superficie, especialmente adaptados para la emisión de luz H01L 27/15; láseres de semiconductor H01S 5/00).
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