SOPORTE CON DEPOSITO INTEGRADO DE MATERIAL ABSORBENTE DE GAS, PARA LA FABRICACION DE DISPOSITIVOS MICROELECTRONICOS, MICROOPTOELECTRONICOS O MICROMECANICOS.
Un soporte (10; 20), con depósito integrado de material absorbente de gas,
para la fabricación de dispositivos microelectrónicos, microoptoelectrónicos o micromecánicos, que comprende una base (11; 21), que tiene las funciones de apoyo mecánico, de un depósito continuo (13) o discontinuo (24, 24) de un material absorbente de gas (14, 25), sobre una superficie de la citada base, seleccionándose, el citado material absorbente de gas (14, 25), entre un material rarefactor o un material secante, y una capa (25, 26), que cubre totalmente el citado depósito de material absorbente de gas, fabricado a base de un material (16, 27), compatible con la producción de dispositivos microelectrónicos, microoptoelectrónicos o micromecánicos, o partes de éstos.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: SAES GETTERS S.P.A..
Nacionalidad solicitante: Italia.
Dirección: VIALE ITALIA, 77,20020 LAINATE (MILANO).
Inventor/es: AMIOTTI, MARCO.
Fecha de Publicación: .
Fecha Solicitud PCT: 16 de Julio de 2002.
Fecha Concesión Europea: 23 de Marzo de 2005.
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L21/332 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › Tiristores.
Países PCT: Austria, Bélgica, Suiza, Alemania, Dinamarca, España, Francia, Reino Unido, Grecia, Italia, Liechtensein, Luxemburgo, Países Bajos, Suecia, Mónaco, Portugal, Irlanda, Eslovenia, Finlandia, Rumania, Chipre, Oficina Europea de Patentes, Lituania, Letonia, Ex República Yugoslava de Macedonia, Albania, Armenia, Azerbayán, Bielorusia, Ghana, Gambia, Kenya, Kirguistán, Kazajstán, Lesotho, República del Moldova, Malawi, Mozambique, Federación de Rusia, Sudán, Sierra Leona, Tayikistán, Turkmenistán, República Unida de Tanzania, Uganda, Zimbabwe, Burkina Faso, Benin, República Centroafricana, Congo, Costa de Marfil, Camerún, Gabón, Guinea, Malí, Mauritania, Niger, Senegal, Chad, Togo, Zambia, Organización Regional Africana de la Propiedad Industrial, Swazilandia, Guinea-Bissau, Guinea Ecuatorial, Organización Africana de la Propiedad Intelectual, Organización Eurasiática de Patentes.
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