CRISOL DE SOPORTE DE MULTIPLES PARTES.
SE PROPONE UN CRISOL (3) SOPORTE COMPUESTO DE SEGMENTO (2) PARA SU UTILIZACION EN CRISOLES (1) DE FUNDICION EN INSTALACIONES DE EXTRACCION DE CRISTAL.
LA SUPERFICIES QUE DELIMITAN LOS SEGMENTOS (2) CON RESPECTO A LOS SEGMENTOS VECINOS RESPECTIVOS SE SOLAPAN AL MENOS EN LA ZONA DE LA PARED (11) DE CRISOL. SE EVITA CON ELLO LA EXPOSICION DIRECTA DE LA PARED DEL CRISOL (11) DE FUSION A LA EMANACION DE RADIACIONES TERMICAS DE LOS ELEMENTOS DE CALENTAMIENTO. DE ACUERDO CON EL PROCESO DE FABRICACION REFERIDO, EL CRISOL (3) SOPORTE ESTA PRODUCIDO MEDIANTE CORTES PARALELOS CON RESPECTO A LA LINEA CENTRAL DE UN CRISOL NO SEGMENTADO EN UN ANGULO CON RESPECTO A LA SUPERFICIE (11) DE CUBIERTA QUE SE EXTIENDE EN FORMA CURVA DESDE EL PUNTO DE ARRANQUE EN LA CUBIERTA (11) DEL CRISOL A LA LINEA CENTRAL DEL CRISOL.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: RINGSDORFF-WERKE GMBH.
Nacionalidad solicitante: Alemania.
Dirección: DRACHENBURGSTRASSE 1,D-53170 BONN.
Inventor/es: SCHMIDT, BERND, DR., WEGMETH, JULIUS.
Fecha de Publicación: .
Fecha Solicitud PCT: 26 de Agosto de 1992.
Fecha Concesión Europea: 17 de Mayo de 1995.
Clasificación Internacional de Patentes:
- C30B15/10 QUIMICA; METALURGIA. › C30 CRECIMIENTO DE CRISTALES. › C30B CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS. › C30B 15/00 Crecimiento de monocristales por estirado fuera de un baño fundido, p. ej. método de Czochralski (bajo un fluido protector C30B 27/00). › Crisoles o recipientes para sostener el baño fundido.
Países PCT: España, Francia, Italia, Países Bajos, Finlandia, Oficina Europea de Patentes, República de Corea, Estados Unidos de América, Checoslovaquia.
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