UN SISTEMA DE CRISOL/ SUSCEPTOR ADECUADO PARA EL DESARROLLO DE CRISTALES DE SILICIO EN FORMA DE BANDA DENTRIFICA.
UN SISTEMA DE CRISOL/SUSCEPTOR ADECUADO PARA EL DESARROLLO DE CRISTALES DE SILICIO EN FORMA DE BANDA DENDRITICA,
EN EL QUE LAS PAREDES LATERALES DEL CRISOL Y DE LA CAVIDAD DEL SUSCEPTOR ESTAN INCLINADAS HACIA FUERA SEGUN UN ANGULO SUFICIENTE PARA QUE LA FUERZA DE LA GRAVEDAD SUPERE A LAS FUERZAS QUE TIRAN HACIA DENTRO, CREADAS POR LA ELEVADA TENSION SUPERFICIAL DEL SILICIO FUNDIDO, QUE PERMITE QUE LAS PAREDES ABLANDADAS DEL CRISOL DE CUARZO SE APLIQUEN Y ADAPTEN A LAS PAREDES INCLINADAS DEL SUSCEPTOR, CON LO QUE SE MEJORA LA TRANSFERENCIA DE CALOR DESDE EL SUSCEPTOR AL SILICIO FUNDIDO Y SE MEJORA LA REPRODUCTIBILIDAD DEL SISTEMA.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: WESTINGHOUSE ELECTRIC CORPORATION.
Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.
Dirección: WESTINGHOUSE BUILDING, GATEWAY CENTER, PITTSBURGH, PENSILVANIA 15222.
Inventor/es: KOCHKA, EDGAR LEONARD, PIOTROWSKI, PAUL ANTHONY, DUNCAN, CHARLES STUART.
Fecha de Solicitud: 8 de Febrero de 1988.
Fecha de Publicación: .
Fecha de Concesión: 4 de Julio de 1989.
Clasificación Internacional de Patentes:
- C30B15/10 QUIMICA; METALURGIA. › C30 CRECIMIENTO DE CRISTALES. › C30B CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS. › C30B 15/00 Crecimiento de monocristales por estirado fuera de un baño fundido, p. ej. método de Czochralski (bajo un fluido protector C30B 27/00). › Crisoles o recipientes para sostener el baño fundido.
- F27B14/00 MECANICA; ILUMINACION; CALEFACCION; ARMAMENTO; VOLADURA. › F27 HORNOS; APARATOS DE DESTILACIÓN. › F27B HORNOS, ESTUFAS, HOGARES O RETORTAS DE DESTILACION, EN GENERAL; APARATOS DE SINTERIZACION A CIELO ABIERTO O APARATOS SIMILARES (aparatos de combustión F23; calefacción eléctrica H05B). › Hornos de crisol; Hornos de balsa.
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