PROCEDIMIENTO PARA LA ELABORACION DE UN INTERRUPTOR ESPACIAL OPTICO EN CASCADA, E INTERRUPTOR OPTICO ESPACIAL EN CASCADA ELABORADO SEGUN ESTE PROCEDIMIENTO.

SE PONE A DISPOSICION UN PROCEDIMIENTO PARA LA ELABORACION DE UN INTERRUPTOR ESPACIAL OPTICO EN CASCADA,

ASI COMO UN INTERRUPTOR DE ESTE TIPO ELABORADO SEGUN ESTE PROCEDIMIENTO. EL INTERRUPTOR COMPUESTO A PARTIR DE MULTIPLES RAMIFICACIONES OPTICAS SE GENERA SOBRE UN SUBSTRATO UNICO. A PARTIR DE AQUI ES ACTIVO PARA SU CRECIMIENTO, ES DECIR SE UTILIZA UN PROCEDIMIENTO DE AMPLIFICACION DE LUZ CONTROLABLE O ZONA CONDUCTORA DE ONDAS ABSORBENTES DE LUZ, QUE PUEDEN GENERAR ESPESORES DE CAPA DIFERENTES, LIMITABLES DE FORMA LOCAL Y/O PREPARACIONES MATERIALES DE CAPAS ACTIVAS DE CRECIMIENTO EN EL MISMO CAMINO DE TRABAJO. LA CANTIDAD Y POSICION Y POSICION DE ZONAS CONDUCTORAS DE ONDA ACTIVA (1,3) Y PASIVAS (2,4) PUEDEN SER FIJADAS CON ELLO A TRAVES DE LA CONFIGURACION DE POR EJEMPLO ZONAS (M) ENMASCARADAS CON SIO2 ANTES DE AJUSTAR EL RECUBRIMIENTO PROPIO.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: ALCATEL ALSTHOM COMPAGNIE GENERALE D'ELECTRICITE.

Nacionalidad solicitante: Francia.

Dirección: 54, RUE LA BOETIE,75008 PARIS.

Inventor/es: SCHILLING, MICHAEL.

Fecha de Publicación: 16 de Abril de 1999.

Fecha Concesión Europea: 16 de Diciembre de 1998.

Clasificación Internacional de Patentes:

G02F1/313 FISICA. › G02 OPTICA. › G02F DISPOSITIVOS O SISTEMAS CUYO FUNCIONAMIENTO OPTICO SE MODIFICA POR EL CAMBIO DE LAS PROPIEDADES OPTICAS DEL MEDIO QUE CONSTITUYE A ESTOS DISPOSITIVOS O SISTEMAS Y DESTINADOS AL CONTROL DE LA INTENSIDAD, COLOR, FASE, POLARIZACION O DE LA DIRECCION DE LA LUZ, p. ej. CONMUTACION, APERTURA DE PUERTA, MODULACION O DEMODULACION; TECNICAS NECESARIAS PARA EL FUNCIONAMIENTO DE ESTOS DISPOSITIVOS O SISTEMAS; CAMBIO DE FRECUENCIA; OPTICA NO LINEAL; ELEMENTOS OPTICOS LOGICOS; CONVERTIDORES OPTICOS ANALOGICO/DIGITALES. › G02F 1/00 Dispositivos o sistemas para el control de la intensidad, color, fase, polarización o de la dirección de la luz que llega de una fuente de luz independiente, p. ej. conmutación, apertura de puerta o modulación; Optica no lineal. › en una estructura de guía de ondas óptica.
H01L27/15 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 27/00 Dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores o de otros componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común (detalles H01L 23/00, H01L 29/00 - H01L 51/00; conjuntos que consisten en una pluralidad de dispositivos de estado sólido individuales H01L 25/00). › con componentes semiconductores con al menos una barrera de potencial o de superficie, adaptados para la emisión de luz.
H01L33/00 H01L […] › Dispositivos semiconductores que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie especialmente adaptados para la emisión de luz; Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Detalles (H01L 51/50 tiene prioridad; dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores formados en o sobre un sustrato común y que incluyen componentes semiconductores con al menos una barrera de potencial o de superficie, especialmente adaptados para la emisión de luz H01L 27/15; láseres de semiconductor H01S 5/00).
H01S3/025
H01S3/19

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