TRANSMISOR OPTICO.

UN TRANSMISOR OPTICO (1) INCLUYE UN LASER SEMICONDUCTOR DIRECTAMENTE MODULADO (2) Y UN MODULADOR DE INTENSIDAD OPTICA NO LINEAL (3) QUE ESTA CONECTADO EN SERIE A LA POTENCIA DE SALIDA DEL LASER.

SE APLICAN SEÑALES DE MODULACION ANALOGICAS DE ALTA FRECUENCIA TANTO AL LASER COMO AL MODULADOR. EL MODULADOR TIENE UNA CARACTERISTICA DE TRANSFERENCIA TAL QUE CANCELA LA DISTORSION DE INTERMODULACION EN LA POTENCIA DE SALIDA DEL LASER PARA PROPORCIONAR UNA FUENTE CON UN CAMPO DINAMICO PERFECCIONADO. EL TRANSMISOR ES ADECUADO PARA SU USO EN UN SISTEMA DE DISTRIBUCION OPTICA ANALOGICO PARA UNA RADIO CELULAR.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: BRITISH TELECOMMUNICATIONS PUBLIC LIMITED COMPANY.

Nacionalidad solicitante: Reino Unido.

Dirección: 81 NEWGATE STREET,LONDON EC1A 7AJ.

Inventor/es: MOODIE, DAVID, GRAHAM, WESTBROOK, LESLIE DAVID.

Fecha de Publicación: 16 de Abril de 2007.

Fecha Solicitud PCT: 19 de Noviembre de 1996.

Fecha Concesión Europea: 23 de Agosto de 2006.

Clasificación Internacional de Patentes:

G02F1/015 FISICA. › G02 OPTICA. › G02F DISPOSITIVOS O SISTEMAS CUYO FUNCIONAMIENTO OPTICO SE MODIFICA POR EL CAMBIO DE LAS PROPIEDADES OPTICAS DEL MEDIO QUE CONSTITUYE A ESTOS DISPOSITIVOS O SISTEMAS Y DESTINADOS AL CONTROL DE LA INTENSIDAD, COLOR, FASE, POLARIZACION O DE LA DIRECCION DE LA LUZ, p. ej. CONMUTACION, APERTURA DE PUERTA, MODULACION O DEMODULACION; TECNICAS NECESARIAS PARA EL FUNCIONAMIENTO DE ESTOS DISPOSITIVOS O SISTEMAS; CAMBIO DE FRECUENCIA; OPTICA NO LINEAL; ELEMENTOS OPTICOS LOGICOS; CONVERTIDORES OPTICOS ANALOGICO/DIGITALES. › G02F 1/00 Dispositivos o sistemas para el control de la intensidad, color, fase, polarización o de la dirección de la luz que llega de una fuente de luz independiente, p. ej. conmutación, apertura de puerta o modulación; Optica no lineal. › basados en elementos semiconductores que tienen al menos una barrera de potencial, p. ej. unión PN, PIN (G02F 1/03 tiene prioridad).
H01S3/025
H04B10/18

Clasificación PCT:

G02F1/015 G02F 1/00 […] › basados en elementos semiconductores que tienen al menos una barrera de potencial, p. ej. unión PN, PIN (G02F 1/03 tiene prioridad).
H01S5/40 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01S DISPOSITIVOS QUE UTILIZAN EL PROCESO DE AMPLIFICACION DE LUZ MEDIANTE EMISION ESTIMULADA DE RADIACIÓN [LASER] PARA AMPLIFICAR O GENERAR LUZ; DISPOSITIVOS QUE UTILIZAN EMISION ESTIMULADA DE RADIACION ELECTROMAGNETICA EN RANGOS DE ONDA DISTINTOS DEL ÓPTICO. › H01S 5/00 Láseres de semiconductor (diodos superluminiscentes H01L 33/00). › Disposición de dos o más láseres de semiconductor, no previstas en los grupos H01S 5/02 - H01S 5/30 (H01S 5/50 tiene prioridad).
H04B10/18

Países PCT: Bélgica, Suiza, Alemania, Dinamarca, España, Francia, Reino Unido, Italia, Liechtensein, Países Bajos, Suecia, Portugal, Irlanda, Finlandia, Oficina Europea de Patentes.

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