PROCEDIMIENTO PARA LA FABRICACION DE UN DIODO LASER DFB CON GUIA DE ONDAS ACOPLADA Y ESTRUCTURADA DE CAPA DE DIODO LASER DFB.

CON EL PROCEDIMIENTO CONFORME A LA INVENCION PUEDEN GENERARSE EN CUATRO PASOS DE EPITAXIA UNOS DIODOS LASER DE ALTA TEMPERATURA MRCW CON GUIA DE ONDAS OPTICA ACOPLADAS,

CONSISTIENDO LA VENTAJA EN QUE DE LAS CUATRO EPITAXIAS LAS DOS PRIMERAS Y LAS DOS ULTIMAS SE HAN EJECUTADO PRACTICAMENTE DE FORMA DIRECTA UNA DETRAS DE LA OTRA Y SOLO SE PRECISA UNA INTERRUPCION PARA GENERAR UNA REJILLA. CON EL PROCEDIMIENTO CONFORME A LA INVENCION TAMBIEN PUEDEN FABRICARSE OTRAS PIEZAS CONSTRUCTIVAS, P.EJ., FOTODIODOS.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT.

Nacionalidad solicitante: Alemania.

Dirección: WITTELSBACHERPLATZ 2,80333 MUNCHEN.

Inventor/es: STEGMULLER, BERNHARD, MATZ, RICHARD.

Fecha de Publicación: .

Fecha Solicitud PCT: 3 de Mayo de 1996.

Fecha Concesión Europea: 17 de Marzo de 1999.

Clasificación Internacional de Patentes:

  • G02B6/42 FISICA.G02 OPTICA.G02B ELEMENTOS, SISTEMAS O APARATOS OPTICOS (G02F tiene prioridad; elementos ópticos especialmente adaptados para ser utilizados en los dispositivos o sistemas de iluminación F21V 1/00 - F21V 13/00; instrumentos de medida, ver la subclase correspondiente de G01, p. ej. telémetros ópticos G01C; ensayos de los elementos, sistemas o aparatos ópticos G01M 11/00; gafas G02C; aparatos o disposiciones para tomar fotografías, para proyectarlas o para verlas G03B; lentes acústicas G10K 11/30; "óptica" electrónica e iónica H01J; "óptica" de rayos X H01J, H05G 1/00; elementos ópticos combinados estructuralmente con tubos de descarga eléctrica H01J 5/16, H01J 29/89, H01J 37/22; "óptica" de microondas H01Q; combinación de elementos ópticos con receptores de televisión H04N 5/72; sistemas o disposiciones ópticas en los sistemas de televisión en colores H04N 9/00; disposiciones para la calefacción especialmente adaptadas a superficies transparentes o reflectoras H05B 3/84). › G02B 6/00 Guías de luz; Detalles de estructura de las disposiciones que comprenden guías de luz y otros elementos ópticos, p. ej. medios de acoplamiento. › Acoplamiento de guías de luz con elementos opto-electrónicos.
  • H01L31/12 ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00). › estructuralmente asociados, p. ej. formados en o sobre un sustrato común, con una o varias fuentes de luz eléctricas, p. ej. con fuentes de luz electroluminiscentes, y eléctrica u ópticamente acoplados con dichas fuentes (fuentes de luz electroluminiscentes per se H05B 33/00).
  • H01S3/025
  • H01S3/085
  • H01S3/19

Países PCT: Alemania, España, Francia, Reino Unido, Italia, Países Bajos, Oficina Europea de Patentes.

PROCEDIMIENTO PARA LA FABRICACION DE UN DIODO LASER DFB CON GUIA DE ONDAS ACOPLADA Y ESTRUCTURADA DE CAPA DE DIODO LASER DFB.

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