"DISPOSITIVO TRANSISTOR PERFECCIONADO".
DISPOSITIVO TRANSISTOR. FORMADO POR TRANSISTORES MAGNETICAMENTE SENSIBLES QUE HACEN SU USO DE UN MECANISMO DE TRANSDUCCION MEDIANTE MODULACION,
POR POTENCIAL DE CAMPO DE LORENTZ, DE LA INYECCION DE PORTADORES EN LA UNION EMISOR-BASE. SE UTILIZAN COLECTORES (3) DE UN TIPO QUE TRABAJA, SEAN EN ALUD, SEA SIN ALUD, EN UNA ESTRUCTURA QUE TIENE UN SOLO EMISOR (1) Y POR LO MENOS UN COLECTOR (3). LA UNION EMISOR-BASE SE POLARIZA EN SENTIDO DIRECTO PARA INYECTAR PORTADORES, Y LAS UNIONES DE BASE-COLECTOR SE POLARIZAN EN SENTIDO INVERSO PARA RECOGER PORTADORES. LA INYECCION DE PORTADORES ESTA MODULADA POR UN CAMPO DE LORENTZ.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION.
Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.
Dirección: ARMONK, NUEVA YORK 10504.
Fecha de Solicitud: 22 de Enero de 1982.
Fecha de Publicación: .
Fecha de Concesión: 15 de Noviembre de 1982.
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L29/82 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 29/00 Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos (H01L 31/00 - H01L 47/00, H01L 51/05 tienen prioridad; otros detalles de los cuerpos semiconductores o de sus electrodos H01L 23/00; consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00). › controlables por la variación del campo magnético aplicado al dispositivo (H01L 29/96 tiene prioridad).
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