PROCEDIMIENTO PARA OBTENER SILICIO DE GRADO SOLAR.

PROCEDIMIENTO PARA OBTENER SICILIO DE GRADO SOLAR. CONSISTE EN SOMETER EL SILICIO DE GRADO METALURGICO A VOLATILIZACION QUMICA POR FORMACION DE UN COMPUESTO GASEOSO DE SILICIO CAPAZ DE DISOCIARSE POR PIROLISIS.

A CONTINUACION SE AÑADE TAMBIEN SILICIO DE GRADO SOLAR. LA FASE GASEOSA REMANENTE SE ENFRIA Y SE PURIFICA DEPOSITANDO POR DESPROPORCION, SEGUN UNA REACCION DE TRANSPORTE INTERMEDIO, UNA CANTIDAD ADICIONAL DE SILICIO. POR ULTIMO, SE RECICLA LA FASE FLUIDA RESTANTE PARA VOLATIZAR CON ELLA OTRAS CANTIDADES DE SILICIO DE GRADO METALURGICO, EL CUAL SE ENCUENTRA INICIALMENTE AL TRATAMIENTO A 1.400 C EN FORMA LIQUIDA.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: EMPRESA AUXILIAR DE LA INDUSTRIA SA.

Nacionalidad solicitante: España.

Provincia: MADRID.

Fecha de Solicitud: 13 de Mayo de 1981.

Fecha de Publicación: .

Fecha de Concesión: 25 de Enero de 1982.

Clasificación Internacional de Patentes:

  • H01L21/208 ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › utilizando un depósito líquido.

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