UN DISPOSITIVO DE TRANSFERENCIA DE CARGAS.
Un dispositivo de transferencia de cargas que comprende una capa semiconductora de un primer tipo de conductividad,
medios para permitir la introducción local en la capa semiconductora de información en la forma de paquetes de carga, medios de lectura pera permitir que sea leída la información en otra posición en la capa, y electrodos de control al menos sobre una de las caras de la capa para permitir que sean generados capacitivamente campos eléctricos en la capa semiconductora con al ayuda de señales de sincronismo de fases múltiples, por medio de cuyos campos los paquetes de carga pueden ser transferidos hasta los medios de lectura a lo largo de un canal en la capa en una dirección paralela a la misma, caracterizado porque al menos uno de los electrodos de control o una parte del mismo esta conectada a medios de conmutación para permitir la aplicación de una tensión que en un instante es igual a una fase de la señal de sincronismo que, junto con las tensiones de sincronismo aplicadas a los electrodos de control adyacentes, asegura la transferencia de un paquete de carga en el canal al menos bajo un electrodo de control, y en otro instante es igual a una tensión de bloque que impide la transferencia de un paquete de carga en el canal al menos bajo un electrodo de control.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: N.V. PHILIPS' GLOEILAMPENFABRIEKEN.
Fecha de Solicitud: 11 de Octubre de 1978.
Fecha de Publicación: .
Fecha de Concesión: 20 de Febrero de 1979.
Clasificación Internacional de Patentes:
- G11C11/34 FISICA. › G11 REGISTRO DE LA INFORMACION. › G11C MEMORIAS ESTATICAS (dispositivos semiconductores para memorias H01L, p. ej. H01L 27/108 - H01L 27/11597). › G11C 11/00 Memorias digitales caracterizadas por la utilización de elementos de almacenamiento eléctricos o magnéticos particulares; Elementos de almacenamiento correspondientes (G11C 14/00 - G11C 21/00 tienen prioridad). › que utilizan dispositivos de semiconductores.
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