CELULA SOLAR ASI COMO PROCEDIMIENTO PARA LA OBTENCION DE LA MISMA.

Célula solar (10) que comprende un substrato de semiconductor (16) con primeros contactos y con segundos contactos

(26, 28; 58, 60; 80, 82; 106, 108; 132) para la captación y el drenaje de portadores de carga minoritarios y portadores de carga mayoritarios que se generan en el substrato de semiconductor por medio de la energía de irradiación incidente, presentando al menos por tramos superficies situadas en el lado posterior del substrato de semiconductor realces (18, 50, 52, 54, 56, 78, 104, 130, 140) lineales o bien en forma de nervadura que discurren paralelamente, que delimitan primeros surcos con, respectivamente, primeros flancos longitudinales y segundos flancos longitudinales (20, 22, 62, 64, 74, 76, 110, 112), estando dispuestos los primeros contactos y los segundos contactos sobre la superficie del lado posterior del substrato de semiconductor a una cierta distancia mutua, verificándose una transición entre los primeros flancos longitudinales y los segundos flancos longitudinales(20, 22, 62, 64, 74, 76, 110, 112) de los realces (18, 50, 52, 54, 56, 78, 104, 130; 140) a través de un segmento externo (24, 72, 86, 114) que discurre paralelamente o aproximadamente de forma paralela con respecto al plano formado por el substrato de semiconductor (16), limitando los realces sucesivos entre sí un surco con fondo del surco, caracterizada porque se extienden, al menos sobre algunos de los realces, los primeros contactos (26, 58, 80, 106) sobre los primeros flancos longitudinales (22, 62, 74, 110) de los realces y los segundos contactos (28, 60, 82, 108) se extienden sobre los segundos flancos longitudinales (20, 64, 76, 112) de los realces y porque los primeros contactos y los segundos contactos se encuentran a una distancia mutua tanto en el lado de los surcos así como también en el lado del segmento externo.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: HEZEL, RUDOLF, DR.

Nacionalidad solicitante: Alemania.

Dirección: REHWINKEL 23,31789 HAMELN.

Inventor/es: HEZEL, RUDOLF.

Fecha de Publicación: .

Fecha Concesión Europea: 5 de Diciembre de 2007.

Clasificación PCT:

  • SECCION H — ELECTRICIDAD > ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS > DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS... > Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación... > H01L31/0236 (Texturas de superficie particulares)
  • SECCION H — ELECTRICIDAD > ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS > DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS... > Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación... > H01L31/0224 (Electrodos)
  • SECCION H — ELECTRICIDAD > ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS > DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS... > Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación... > H01L31/0352 (caracterizados por su forma o por las formas, dimensiones relativas o disposición de las regiones semiconductoras)
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