Aditivo de electrogalvanoplastia para la deposición de una aleación de un metal del grupo IB/binaria o ternaria del grupo IB-grupo IIIA/ternaria, cuaternaria o quinaria del grupo IB, el grupo IIIA-grupo VIA.

Una composición metálica de galvanoplastia que comprende una especie de galvanoplastia del grupo IB y una especie de galvanoplastia del grupo IIIA caracterizada por comprender,

además, un aditivo de fórmula general (A):**Fórmula**

en donde X1 y X2 pueden ser iguales o diferentes y se seleccionan del grupo constituido por arileno y heteroarileno; FG1 y FG2 pueden ser iguales o diferentes o se seleccionan del grupo constituido por -S(O)2OH, - S(O)OH, -COOH, -P(O)2OH y grupos amino primarios, secundarios y terciarios y sales y ésteres de los mismos; R se selecciona del grupo constituido por alquileno, arileno o heteroarileno y

n y m son números enteros entre 1 y 5.

Tipo: Patente Europea. Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: E08009979.

Solicitante: ATOTECH DEUTSCHLAND GMBH.

Nacionalidad solicitante: Alemania.

Dirección: ERASMUSSTRASSE 20 10553 BERLIN ALEMANIA.

Inventor/es: BRUNNER, HEIKO, Schulze,Jörg, VOSS,TORSTEN, KIRBS,ANDREAS, SÖNMEZ,AYLIN, FRÖSE,BERND, ENGELHARDT, ULRIKE.

Fecha de Publicación: .

Clasificación Internacional de Patentes:

  • C07C335/16 QUIMICA; METALURGIA.C07 QUIMICA ORGANICA.C07C COMPUESTOS ACICLICOS O CARBOCICLICOS (compuestos macromoleculares C08; producción de compuestos orgánicos por electrolisiso electroforesis C25B 3/00, C25B 7/00). › C07C 335/00 Tioureas, es decir, compuestos que contienen uno de los grupos en que los átomos de nitrógeno no forman parte de grupos nitro o nitroso. › que tienen átomos de nitrógeno de grupos tiourea unidos a átomos de carbono de ciclos aromáticos de seis miembros de una estructura carbonada.
  • C25D3/38 C […] › C25 PROCESOS ELECTROLITICOS O ELECTROFORETICOS; SUS APARATOS.C25D PROCESOS PARA LA PRODUCCION ELECTROLITICA O ELECTROFORETICA DE REVESTIMIENTOS; GALVANOPLASTIA (fabricación de circuitos impresos por deposición metálica H05K 3/18 ); UNION DE PIEZAS POR ELECTROLISIS; SUS APARATOS (protección anódica o catódica C23F 13/00; crecimiento de monocristales C30B). › C25D 3/00 Revestimientos electrolíticos; Baños utilizados. › de cobre.
  • C25D3/58 C25D 3/00 […] › que contienen más del 50% en peso de cobre.
  • H01L31/032 ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00). › comprendiendo, aparte de los materiales de dopado u otras impurezas, únicamente compuestos no cubiertos por los grupos H01L 31/0272 - H01L 31/0312.
  • H01L31/06 H01L 31/00 […] › caracterizados por al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie.

PDF original: ES-2624637_T3.pdf

 

Patentes similares o relacionadas:

Derivado de alquilamina, del 9 de Mayo de 2019, de EA Pharma Co., Ltd: Un compuesto representado por la siguiente Formula (I) o una sal del mismo:**Fórmula** en donde, R1 y R2, cada uno independientemente, representa un atomo de hidrogeno […]

Compuestos de urea asimétricos y procedimiento para producir compuestos asimétricos por reacción de adición asimétrica de conjugado usando dichos compuestos como catalizador, del 27 de Mayo de 2015, de SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED: Un compuesto representado por la fórmula (I):**Fórmula** en donde X es un átomo de azufre; C* y C** son cada uno independientemente un carbono asimétrico, y […]

Derivados de 2-aminotetralina como antagonistas del receptor de opioide mu, del 26 de Noviembre de 2013, de THERAVANCE, INC.: Compuesto de fórmula (I):**Fórmula** en el que R1 es -ORa o -C(O)NRbRc;R2, R3 y R4 son cada uno de ellos independientemente C1-3 alquilo; R5 es seleccionado entre hidrógeno, […]

Imagen de 'Derivados de ácido 3-amino-2-mercaptobenzoico y procedimientos…'Derivados de ácido 3-amino-2-mercaptobenzoico y procedimientos para su preparación, del 24 de Septiembre de 2013, de SYNGENTA PARTICIPATIONS AG: LOS COMPUESTOS DE FORMULA I Y SUS DERIVADOS DISULFURO Y SALES, SON PRODUCTOS INTERMEDIARIOS IMPORTANTES PARA LA PREPARACION DE COMPUESTOS QUE PRESENTAN UNA ACCION INMUNIZADORA […]

DERIVADOS DE BENZAMIDA ÚTILES COMO INDUCTORES DE DIFERENCIACIÓN CELULAR, del 24 de Mayo de 2011, de BAYER SCHERING PHARMA AKTIENGESELLSCHAFT: Un compuesto representado por la fórmula : en la que A es un grupo heterocíclico, o un grupo heterocíclico que tiene de 1 a 4 sustituyentes, en el que el o los sustituyentes […]

NUEVOS COMPUESTOS DE (TIO)UREA Y COMPOSICIONES FARMACEUTICAS QUE LOS CONTIENEN., del 1 de Marzo de 2007, de PACIFIC CORPORATION: Compuesto de fórmula I: (Ver fórmula) o una sal farmacéuticamente aceptable del mismo, en la que, X representa un átomo de azufre o un átomo de oxígeno; R1 representa […]

1,1'-BIFENIL-2-CARBOXAMIDAS 2'-SUSTITUIDAS, PROCEDIMIENTO PARA SU PREPARACION, SU USO COMO MEDICAMENTO,ASI COMO PREPARADO FARMEUTICO QUE LASCONTIENE., del 1 de Marzo de 2007, de AVENTIS PHARMA DEUTSCHLAND GMBH: Compuestos de la **fórmula**, en la cual significan: R C(O)OR , SO2R , COR , C(O)NR R , o C(S)NR R ; R CxH2x-R ; x 0, 1, 2, 3 ó 4, en donde x no puede […]

Imagen de 'AGONISTAS DE RETINOIDE II DE UREA SUSTITUIDA'AGONISTAS DE RETINOIDE II DE UREA SUSTITUIDA, del 25 de Agosto de 2009, de F. HOFFMANN-LA ROCHE AG: Un compuesto de conformidad con la fórmula estructura (I): ** ver fórmula** o un hidrato, solvato o una sal farmacéuticamente disponible, del mismo, caracterizado porque: n es […]

Utilizamos cookies para mejorar nuestros servicios y mostrarle publicidad relevante. Si continua navegando, consideramos que acepta su uso. Puede obtener más información aquí. .