EEPROM Y PROCEDIMIENTO PARA LA ACTIVACION DE LA MISMA.
SE DESCRIBE UNA EEPROM CON MULTITUD DE POSICIONES DE MEMORIA DISPUESTAS EN UN CAMPO DE POSICIONES DE MEMORIA,
QUE SE PUEDEN OPERAR PARA ESCRITURA, LECTURA Y BORRADO MEDIANTE HILOS DE PALABRA, BIT Y FUENTE (WL, BL, SL).
LA EEPROM DESCRITA SE CARACTERIZA PORQUE LAS POSICIONES DE MEMORIA OPERABLES POR UN HILO DE PALABRA INDIVIDUAL (WL) SE DIVIDE EN NUMEROSOS GRUPOS, A CADA UNO DE LOS CUALES SE ASIGNA UN HILO DE FUENTE COMUN (SL).
EL PROCEDIMIENTO PARA LA ACTIVACION DE LA EEPROM SE CARACTERIZA PORQUE SE REALIZA POR GRUPOS LA ESCRITURA, LECTURA O BORRADO DE LAS POSICIONES DE MEMORIA OPERABLES POR UN HILO DE PALABRA (WL) INDIVIDUAL.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: SIEMENS AG.
Nacionalidad solicitante: Alemania.
Dirección: WITTELSBACHERPLATZ 2,80333 MUNCHEN.
Inventor/es: SEDLAK, HOLGER.
Fecha de Publicación: .
Fecha Solicitud PCT: 21 de Noviembre de 1996.
Fecha Concesión Europea: 7 de Agosto de 2002.
Clasificación Internacional de Patentes:
- G11C16/04 FISICA. › G11 REGISTRO DE LA INFORMACION. › G11C MEMORIAS ESTATICAS (dispositivos semiconductores para memorias H01L, p. ej. H01L 27/108 - H01L 27/11597). › G11C 16/00 Memorias de sólo lectura programables y borrables (G11C 14/00 tiene prioridad). › utilizando transistores de umbral variable, p. ej. FAMOS.
Países PCT: Austria, Suiza, Alemania, España, Francia, Reino Unido, Grecia, Italia, Liechtensein, Suecia, Oficina Europea de Patentes.
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