METODO DE PROGRAMAR UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR DE MEMORIA.
SE PRESENTA UNA ESTRUCTURA DE CELDAS DE EEPROM PROGRAMABLE QUE CONSTA DE UNA ESTRUCTURA DE PUERTAS DIVIDIDAS EN SERIE CON UN CONDENSADOR DE ACOPLAMIENTO ENTRE LA PUERTA FLOTANTE (16) Y UNA PUERTA DE PROGRAMA ADICIONAL (19) PARA SUMINISTRAR UNA EFICIENCIA DE INYECCION MEJORADA.
LA INYECCION DE ELECTRONES SE CONTROLA MEDIANTE UNA PUERTA DE CONTROL (17) EN EL LADO DE LA FUENTE. EL AREA DEL CONDENSADOR DE ACOPLAMIENTO SE SELECCIONA CON UN FACTOR DE ACOPLAMIENTO SUBSTANCIAL PARA APLICAR UNA ALTA TENSION A LA PUERTA FLOTANTE (16) DURANTE LA PROGRAMACION DE MANERA QUE SE PRODUZCA UNA INYECCION DE ELECTRONES CALIENTES EN EL PUNTO DE DIVISION EN LA REGION DEL CANAL ENTRE LA PUERTA DE CONTROL (17) Y LA PUERTA FLOTANTE (16). DE ESTA FORMA PUEDE CONSEGUIRSE UNA PROGRAMACION EN SUBMICROSEGUNDOS A UNA TENSION DE DRENAJE NO MAYOR DE 5 V.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: INTERUNIVERSITAIR MICROELEKTRONICA CENTRUM VZW.
Nacionalidad solicitante: Bélgica.
Dirección: KAPELDREEF 75,B-3001 LEUVEN.
Inventor/es: VAN HOUDT, JAN, GROESENEKEN, GUIDO, MAES, HERMAN.
Fecha de Publicación: .
Fecha Concesión Europea: 26 de Julio de 2000.
Clasificación Internacional de Patentes:
- G11C16/04 FISICA. › G11 REGISTRO DE LA INFORMACION. › G11C MEMORIAS ESTATICAS (dispositivos semiconductores para memorias H01L, p. ej. H01L 27/108 - H01L 27/11597). › G11C 16/00 Memorias de sólo lectura programables y borrables (G11C 14/00 tiene prioridad). › utilizando transistores de umbral variable, p. ej. FAMOS.
- G11C16/06 G11C 16/00 […] › Circuitos auxiliares, p. ej. para escritura en la memoria.
- H01L29/788 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 29/00 Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos (H01L 31/00 - H01L 47/00, H01L 51/05 tienen prioridad; otros detalles de los cuerpos semiconductores o de sus electrodos H01L 23/00; consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00). › de puerta flotante.
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