CELDA DE MEMORIA NO VOLATIL BORRABLE Y PROGRAMABLE ELECTRICAMENTE.
CELDA DE MEMORIA NO VOLATIL QUE PUEDE BORRARSE Y PROGRAMARSE ELECTRICAMENTE,
QUE ESTA FORMADA SOLO POR UN TRANSISTOR MOS FORMADO POR UN PASO FUENTE-CANAL-DRENAJE , EN LA QUE EN UN SUSTRATO SEMICONDUCTOR (1) DE UN PRIMER TIPO DE CONDUCTIBILIDAD SE HAN CONFORMADO UNA ZONA DE DRENAJE (2) Y UNA ZONA DE FUENTE (3) DE UN SEGUNDO TIPO DE CONDUCTIBILIDAD CON POLARIDAD OPUESTA, CON UN ELECTRODO DE PUERTA (4) QUE SE ENCUENTRA A UN POTENCIAL FLOTANTE Y QUE SE HA AISLADO ELECTRICAMENTE DE LA ZONA DE DRENAJE (2) MEDIANTE UN OXIDO DE TUNEL (5) Y DE UNA ZONA DE CANAL (9), QUE SE ENCUENTRA ENTRE LA ZONA DE DRENAJE Y LA DE FUENTE (2, 3), MEDIANTE UN OXIDO DE PUERTA (5 ; 10), EXTENDIENDOSE EN LA DIRECCION FUENTE-CANAL-DRENAJE AL MENOS POR UNA PARTE DE LA ZONA DE CANAL (9) Y UNA PARTE DE LA ZONA DE DRENAJE (2) Y ESTANDO AISLADO ELECTRICAMENTE DEL ELECTRODO DE PUERTA (4) MEDIANTE UN OXIDO DE ACOPLAMIENTO (8).
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT.
Nacionalidad solicitante: Alemania.
Dirección: WITTELSBACHERPLATZ 2,80333 MUNCHEN.
Inventor/es: TEMPEL, GEORG, WINNERL, JOSEF.
Fecha de Publicación: .
Fecha Solicitud PCT: 8 de Julio de 1996.
Fecha Concesión Europea: 28 de Abril de 1999.
Clasificación Internacional de Patentes:
- G11C16/04 FISICA. › G11 REGISTRO DE LA INFORMACION. › G11C MEMORIAS ESTATICAS (dispositivos semiconductores para memorias H01L, p. ej. H01L 27/108 - H01L 27/11597). › G11C 16/00 Memorias de sólo lectura programables y borrables (G11C 14/00 tiene prioridad). › utilizando transistores de umbral variable, p. ej. FAMOS.
- H01L29/788 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 29/00 Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos (H01L 31/00 - H01L 47/00, H01L 51/05 tienen prioridad; otros detalles de los cuerpos semiconductores o de sus electrodos H01L 23/00; consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00). › de puerta flotante.
Países PCT: Austria, Suiza, Alemania, España, Francia, Reino Unido, Italia, Liechtensein, Oficina Europea de Patentes.
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