9 inventos, patentes y modelos de WIEBER,STEPHAN

Polímero en emulsión en fase blanda desecado por pulverización para el relleno de cuñas en capas de polímero perlado en el procedimiento de chorro de aglutinante.

Sección de la CIP Técnicas industriales diversas y transportes

(03/06/2020). Solicitante/s: Evonik Operations GmbH. Clasificación: B33Y70/00, B29C64/165.

Procedimiento para la producción de objetos tridimensionales a partir de un lecho pulverulento por medio de un procedimiento de chorro de aglutinante mediante repetición múltiple de los pasos de procedimiento a) aplicación de una capa pulverulenta sobre la superficie, presentando el lecho pulverulento al menos dos tipos de partículas diferentes, presentando la primera partícula una mediana de diámetro entre 10 y 500 μm, caracterizado por que, en el caso de la segunda partícula, se trata de polímeros en emulsión coagulados con una mediana de diámetro secundario entre 0,5 y 80 μm, y b) aplicación selectiva de un agente aglutinante y espesado subsiguiente o simultáneo de este agente aglutinante en el lecho pulverulento mediante hinchamiento del polvo y/o endurecimiento.

PDF original: ES-2816066_T3.pdf

Procedimiento para preparar hidridosilanos con contenido en carbono.

(27/02/2019) Procedimiento para la preparación de hidridosilanos con contenido en carbono, en el que - un hidridosilano eventualmente impurificado con boro o fósforo, - exento de catalizador y agente reductor, - se hace reaccionar con al menos una fuente de carbono elegida de - carbosilanos, linealeles o ramificados, de la fórmula genérica SibH2b+2-yRy con b ≥ 2, 1 ≤ y ≤ 2b+2 y R = -alquilo C1-C10, -arilo C6-C10, -aralquilo C7-C14, - carbosilanos cíclicos de la fórmula genérica SicH2c-yRy con c ≤ 3, 1 ≤ y ≤ 2c y R = -alquilo C2-C10, -arilo C6-C10, -aralquilo C7-C14, - hidrocarburos halogenados de la fórmula genérica CnH2n+2-yXy con 1 ≤ n ≤ 5, 1 ≤ y ≤ 12 y…

Procedimiento para la preparación de compuestos de hidrurosilano superiores.

Sección de la CIP Química y metalurgia

(06/06/2018). Solicitante/s: EVONIK DEGUSSA GMBH. Clasificación: C23C18/12, C08G77/60, C01B33/04.

Procedimiento para la preparación de compuestos de hidrurosilano superiores que presentan por lo menos 26 átomos de silicio y un peso molecular promedio en peso de por lo menos 800 g/mol a partir de compuestos de hidrurosilano inferiores, caracterizado porque - se hacen reaccionar térmicamente - por lo menos un compuesto de hidrurosilano inferior (I), que presenta en promedio una cantidad de átomos de silicio menor o igual a 10, - en presencia de por lo menos un compuesto de hidrurosilano (II) con un peso molecular promedio en peso de por lo menos 500 g/mol.

PDF original: ES-2679247_T3.pdf

Procedimiento para la producción de halogenosilanos e hidrurosilanos.

Secciones de la CIP Técnicas industriales diversas y transportes Química y metalurgia

(02/05/2018). Solicitante/s: EVONIK DEGUSSA GMBH. Clasificación: B01J31/02, C01B33/04, C01B33/107.

Procedimiento para la producción de un halogenosilano superior, empleándose al menos un halogenosilano de la fórmula genérica SinX2n+2 con n ≥ 2 y X ≥ F, Cl, Br y/o I, y mediante desproporción para dar una mezcla de productos que contiene al menos un halogenosilano superior de la fórmula genérica SimX2m+2 con m > n y X ≥ F, Cl, Br y/o I, y al menos un halogenosilano inferior de la fórmula genérica SiaX2a+2 con a ≥ 1-2 y X ≥ F, Cl, Br y/o I, caracterizado por que la reacción se cataliza mediante al menos un fosfano terciario, seleccionado a partir del grupo que comprende alquilfosfanos terciarios, arilfosfanos terciarios, fosfanos terciarios bidentados o mezclas de los mismos.

PDF original: ES-2673285_T3.pdf

Procedimiento para la producción de capas de silicio p-dopadas.

Secciones de la CIP Electricidad Química y metalurgia

(29/11/2017). Solicitante/s: EVONIK DEGUSSA GMBH. Clasificación: H01L31/18, H01L21/02, C23C18/12, C07F9/50, H01L21/228.

Procedimiento para la producción de al menos una capa de silicio p-dopada dispuesta sobre un substrato, que comprende los pasos: a) puesta a disposición de un substrato, b) puesta a disposición de una formulación que contiene al menos un compuesto de silicio y, como agente de dopaje, al menos un complejo de BH3 con un complejante seleccionado a partir del grupo constituido THF; NR3 con R ≥ H, alquilo, arilo, así como SR'2 con R' ≥ H, alquilo, arilo, c) aplicación de la formulación sobre el substrato, d) irradiación y/o tratamiento térmico del substrato revestido, bajo formación de una capa p-dopada, constituida predominantemente por silicio.

PDF original: ES-2655491_T3.pdf

Procedimiento para la producción de capas de silicio.

Secciones de la CIP Química y metalurgia Electricidad

(25/10/2017). Solicitante/s: EVONIK DEGUSSA GMBH. Clasificación: C23C18/14, C08G77/60, C09D183/16, C23C18/12, H01L21/02.

Procedimiento en fase líquida para la producción térmica de capas de silicio sobre un sustrato, en el que al menos un silano superior que puede producirse a partir de al menos un hidridosilano de fórmula genérica SiaH2a+2 (siendo a ≥ 3 - 10) se aplica sobre un sustrato y a continuación se convierte térmicamente en una capa que consiste esencialmente en silicio, caracterizado porque la conversión térmica del silano superior tiene lugar - a una temperatura de 500 - 900ºC - y un tiempo de conversión de ≤ 5 minutos.

PDF original: ES-2651678_T3.pdf

Procedimiento para la preparación de hidrurosilanos.

(07/09/2016) Procedimiento para la preparación de hidrurosilanos a partir de halogenosilanos, caracterizado por que a) se hacen reaccionar i) al menos un halógenosilano de la fórmula genérica SinX2n+2 (con n ≥ 3 y X ≥ F, Cl, Br y/o I) y ii) al menos un catalizador de la fórmula genérica NRR'aR"bYc con a ≥ 0 ó 1, b ≥ 0 ó 1 y c ≥ 0 ó 1, y en donde aa) - R, R' y/o R" son iguales a -alquil C1-C12, -aril C1-C12, -aralquil C1-C12, -aminoalquil C1-C12, -aminoaril C1-C12, -aminoaralquil C1-C12, y/o - dos o tres radicales R, R' y R", en el caso de c ≥ 0, forman conjuntamente un sistema cíclico o bicíclico, heteroalifático o heteroaromático que incluye N, - con la condición de que al menos un radical R, R' o R" no sea -CH3 y/o bb) - R y R' y/o R" (en el caso de c ≥ 1) son iguales a -alquilen C1-C12, -arilen C1-C12,…

Procedimiento para la preparación de revestimientos estructurados a partir de silicio y/o germanio.

Secciones de la CIP Electricidad Química y metalurgia

(27/04/2016). Solicitante/s: EVONIK DEGUSSA GMBH. Clasificación: H01L21/02, C23C18/12.

Procedimiento en fase líquida para la preparación de revestimientos estructurados a partir de silicio y/o germanio, caracterizado por que - se aplica al menos una composición de revestimiento sobre un sustrato, - el revestimiento que resulta se activa parcialmente sobre el sustrato revestido - y el revestimiento no activado se oxida sobre el sustrato.

PDF original: ES-2662859_T3.pdf

Procedimiento para la pasivación con hidrógeno de unas capas de semiconductores.

(01/04/2015) Procedimiento para la pasivación con hidrógeno de capas de semiconductores, caracterizado por que la pasivación se efectúa mediante el empleo de una fuente de plasma con un arco eléctrico.