8 inventos, patentes y modelos de VETTER, JORG, DR.

Dispositivo de revestimiento para el revestimiento de un sustrato, así como un procedimiento para el revestimiento de un sustrato.

(15/01/2020) Dispositivo de evaporación de un material diana que comprende una cámara de proceso para el establecimiento y el mantenimiento de una atmósfera de gas, que presenta una entrada y una salida para un gas de proceso, así como un ánodo y un cátodo de evaporación cilíndrico realizado como diana , comprendiendo dicho cátodo de evaporación cilíndrico el material diana , estando prevista además una fuente de energía eléctrica para generar una tensión eléctrica entre el ánodo y el cátodo , de manera que por medio de la fuente de energía eléctrica el material diana del cátodo cilíndrico se puede convertir a una fase de vapor, y estando prevista una fuente de campo magnético que genera un campo magnético, estando previstos en la cámara de proceso al mismo tiempo un…

Cámara de evaporación por arco voltaico con una fuente de evaporación por arco voltaico al vacío.

(10/07/2019) Cámara de evaporación por arco voltaico con una unidad de suministro de energía y con una fuente de evaporación por arco voltaico al vacío que comprende un bloque de soporte y una fuente de campo magnético anular dispuesta en el bloque de soporte y un cuerpo de cátodo con un material de evaporación como cátodo para generar una descarga de arco voltaico sobre una superficie de evaporación del cátodo , en la cual el cuerpo de cátodo está delimitado en sentido axial, en un primer sentido axial, por un fondo de cátodo y, en un segundo sentido axial, por la superficie de evaporación , y la fuente de campo magnético anular está polarizada…

Sistema de capas así como procedimiento de recubrimiento para la producción de un sistema de capas.

Sección de la CIP Química y metalurgia

(03/01/2018). Solicitante/s: Oerlikon Surface Solutions AG, Pfäffikon. Clasificación: C23C28/04, C22C27/02, C23C14/06, C23C28/00, C23C14/22.

Sistema de capas para la formación de una capa superficial sobre una superficie de un sustrato , en particular sobre la superficie de una herramienta de conformación, caracterizado por que el sistema de capas comprende al menos una primera capa superficial de la composición - (V97Zr3)α(N)β - (V97Zr3)α(N50C50)β - (V95Ni5)α(N65C30O5)β - (V96Ce4)α(N25C65O10)β - (V97Zr1Si1B1)α(N)β , con la suma de todos los átomos en la capa (α+β) ≥100 % en at., aplicándose 40 ≤ α ≤ 80 % en at.

PDF original: ES-2663533_T3.pdf

Fuente de evaporación por arco voltaico al vacío, así como una cámara de evaporación por arco voltaico con una fuente de evaporación por arco voltaico al vacío.

(23/08/2017) Fuente de evaporación por arco voltaico al vacío que comprende una fuente de campo magnético con forma de anillo y un cuerpo de cátodo con un material de evaporación como cátodo para la generación de una descarga por arco voltaico sobre una superficie de evaporación del cátodo , en cuyo caso el cuerpo de cátodo se limita en una primera dirección axial de una base de cátodo y en una segunda dirección axial de la superficie de evaporación en dirección axial, y la fuente de campo magnético con forma de anillo se polariza en paralelo o antiparalelo hacia una normal superficial de la superficie de evaporación y se dispone de modo concéntrico hacia la normal…

Fuente de evaporación en vacío de arco voltaico, así como una cámara de evaporación en vacío de arco voltaico con una fuente de evaporación en vacío de arco voltaico.

(18/05/2016) Fuente de evaporación en vacío de arco voltaico, que comprende una fuente de campo magnético en forma de anillo y un cuerpo de cátodo con un material de evaporación como cátodo para la generación de una descarga de arco voltaico sobre una superficie de evaporación del cátodo , en la que el cuerpo del cátodo está limitado en una primera dirección axial por un fondo del cátodo y en una segunda dirección axial por la superficie de evaporación en dirección axial, y la fuente de campo magnético en forma de anillo está polarizada paralela o antiparalela a una normal superficial de la superficie de evaporación y está dispuesta concéntricamente a la normal superficial de la superficie de evaporación , en la que un anillo de amplificación del campo magnético…

PROCEDIMIENTO Y DISPOSITIVO PARA LA PRODUCCION DE UNIONES DE ESQUINA A INGLETE POR SOLDADURA POR VIBRACION.

(22/10/2010) Un procedimiento para producir una unión o junta de esquina a inglete entre dos componentes (4a, 4b) por soldadura por vibración, en que áreas de inglete que hacen contacto entre sí de los dos componentes (4a, 4b) se encuentran en un plano de inglete fijo común (E) antes del comienzo del proceso de soldadura, y durante el proceso de soldadura son frotadas entre sí mediante oscilaciones de los componentes bajo presión por soldadura prescrita, caracterizado porque durante el proceso por soldadura los dos componentes (4a, 4b) son sometidos a oscilaciones (S) de translación en línea recta perpendiculares entre sí, cuyas fases son hechas coincidir entre sí de modo que las áreas de inglete de los dos componentes (4a, 4b) oscilan transversalmente al plano de inglete fijo (E), y a través de este plano, en que dichas áreas permanecen…

PROCEDIMIENTO PARA TRATAMIENTO DE PLASMA DE PIEZAS DE TRABAJO.

Sección de la CIP Química y metalurgia

(16/07/1998). Solicitante/s: METAPLAS IONON OBERFLACHENVEREDELUNGSTECHNIK GMBH. Clasificación: C23C14/02, C23C14/30.

EL OBJETIVO DE LA INVENCION ES UN PROCEDIMIENTO PARA TRATAMIENTO DE PLASMA DE PIEZAS DE TRABAJO POR MEDIO DE IONES Y ELECTRONES, EN PARTICULAR A PARTIR DE RECUBRIMIENTO DEL PLASMA BAJO VACIO SEGUN PROCEDIMIENTO PVD, DONDE A TRAVES DEL BOMBARDEO CAMBIANTE CON IONES Y ELECTRONES SE CALIENTA O SE PURIFICA LA PIEZA 2 DE TRABAJO. PARA PERMITIR UNA GUIA DE PROCESO SENCILLA Y CONTROLADA DE FORMA EXACTA INDIVIDUAL, DE MODO QUE CON ELLO SE OBTIENE UNA APLICACION DE AHORRO DE ENERGIA EN LA FASE DE CALENTAMIENTO Y PURIFICACION DE IONES, SE PROPONE QUE EL BOMBARDEO DE IONES Y ELECTRONES SE REALICE DE FORMA PREFERENTE A PARTIR DE UNA FUENTE 4, 5 DE CORRIENTE CONTINUA, ADAPTADA AL BOMBARDEO RESPECTIVO, DE FORMA PROPIA, INDEPENDIENTE DE LOS PROCESOS DE RECUBRIMIENTO, DISPONIENDOSE DE FORMA ALTERNADA DE UNA RELACION 6 DE IMPULSOS AJUSTABLE CON UN POLO POSITIVO O NEGATIVO QUE SE UNEN CON UN SOPORTE 3 DE PIEZA DE TRABAJO.

EQUIPO DE REVESTIMIENTO POR ARCO VOLTAICO CON ANODO DE IONIZACION ADICIONAL.

Secciones de la CIP Electricidad Química y metalurgia

(01/12/1995). Solicitante/s: METAPLAS OBERFLACHENVEREDELUNGSTECHNIK GMBH. Clasificación: H01J37/32, C23C14/02, C23C14/32.

LOS EQUIPOS DE REVESTIMIENTO DE PVD CONOCIDOS, QUE TRABAJAN CON UNO O VARIOS ARCOS VOLTAICOS, SE HAN MODIFICADO EN EL SENTIDO DE QUE SE DISPONE EN LA CAMARA DE REVESTIMIENTO UN ANODO ADICIONAL, QUE ES MANTENIDO A UNA TENSION DE UNA FUENTE DE ALIMENTACION ESPECIAL, SIENDO MAS ALTA QUE CON LA QUE TRABAJAN LOS EVAPORADORES . DURANTE LA FASE DEL PROCESO QUE SIRVE PARA EL CALENTAMIENTO Y LIMPIEZA DE LAS PARTES A REVESTIR , ANTERIOR AL PROPIO REVESTIMIENTO, SE APANTALLAN ADEMAS LOS EVAPORADORES MEDIANTE PANTALLAS MOVILES DE TAL MODO, QUE SE IMPIDE EL CRECIMIENTO DE CAPAS PARASITARIAS DE UNA COMPOSICION CONOCIDA INEXACTA SOBRE LAS PARTES Y EL PERJUICIO DE LA CALIDAD DEL REVESTIMIENTO, ES EVITADO POR MEDIO DE LAS GOTITAS PRECIPITADAS POR LOS CATODOS . LA LIMPIEZA Y CALENTAMIENTO DE LAS PARTES SE REALIZA POR BOMBARDEO DE IONES DE GAS, LOS CUALES SON GENERADOS MEDIANTE EL SEGUNDO ANODO POR LA SUCCION DE ELECTRODOS DEL PLASMA DE LA DESCARGA DEL ARCO VOLTAICO.

Utilizamos cookies para mejorar nuestros servicios y mostrarle publicidad relevante. Si continua navegando, consideramos que acepta su uso. Puede obtener más información aquí. .