7 inventos, patentes y modelos de SHARP, KENNETH, GEORGE
METODO Y COMPOSICION PARA MEJORAR LAS PROPIEDADES DE LA BARRERA A LOS GASES DE CONTENEDORES Y PELICULAS POLIMERICOS.
(01/12/2006) Un método para reducir la permeabilidad al gas de artículos poliméricos termoplásticos con forma donde se selecciona el polímero a partir del que se forma el artículo a partir del grupo que consiste en poliésteres, policarbonatos, polieterimidas y poletersulfonas y donde el método comprende los pasos de: incorporar en el polímero una cantidad de un aditivo de refuerzo de barrera o una mezcla de aditivos de refuerzo de barrera efectivos para reducir la permeabilidad al gas y que se seleccionan a partir del grupo que consiste en: (a) monoésteres del ácido hidroxibenzoico y del ácido hidroxinaftoico de fórmula (A). donde R es un alquilo C1-C8, un bencilo,…
PLACAS VIRGENES PARA FOTOMASCARAS.
Sección de la CIP Física
(16/03/2002). Ver ilustración. Solicitante/s: E.I. DU PONT DE NEMOURS AND COMPANY. Clasificación: G03F1/00.
PLACAS PARA FOTOMASCARAS DE DESPLAZADOR DE FASE EMPOTRADO, ATENUADO Y TRANSMISIVO, QUE COMPRENDEN AL MENOS UN MATERIAL POLIMERICO, PREFERENTEMENTE UN FLUORPOLIMERO AMORFO O UN FLUORPOLIMERO AMORFO AL QUE SE HA AÑADIDO UN ORGANOSILANO CON FUNCION DE FLUOR, Y ORGANOSILICATOS, O SUS COMBINACIONES, TENIENDO EL MATERIAL POLIMERICO: (A) UN INDICE DE REFRACCION (N) EN LA ESCALA DE 1,2 A 2,0, PREFERENTEMENTE EN LA ESCALA DE 1,26 A 1,8, A UNA LONGITUD DE ONDA LITOGRAFICA SELECCIONADA INFERIOR A 400 NM; Y (B) UN COEFICIENTE DE EXTINCION (K) EN LA ESCALA DE 0,04 A 0,8, Y PREFERENTEMENTE EN LA ESCALA DE 0,06 A 0,59, A LA LONGITUD DE ONDA LITOGRAFICA SELECCIONADA INFERIOR A 400 NM.
PRECURSORES MOLECULARES Y OLIGOMERICOS DE SILANO PARA MATERIALES RETICULADOS.
Sección de la CIP Química y metalurgia
(16/02/2000). Ver ilustración. Solicitante/s: E.I. DU PONT DE NEMOURS AND COMPANY. Clasificación: C07F7/18, C08G77/24, C07F7/21, C08G77/50, C08G77/385.
LA PRESENTE INVENCION ESTA RELACIONADA CON UNOS COMPUESTOS NOVEDOSOS MOLECULARES Y OLIGOMERICOS DE ORGANOSILICIO QUE LLEVAN ATOMOS DE FLUOR, SON SOLUBLES EN DISOLVENTES FLUORADOS Y SON UTILES COMO PRECURSORES DE MATERIALES RAMIFICABLES.
METODO PARA FORMAR RECUBRIMIENTOS CONTENIENDO CARBURO AMORFO DE SILICONA.
Sección de la CIP Química y metalurgia
(01/10/1995). Solicitante/s: DOW CORNING CORPORATION. Clasificación: C23C14/06.
METODO PARA FORMAR UN RECUBRIMIENTO CONTINUO DE CARBURO AMORFO DE SILICONA PARA LAS SUPERFICIES DE ARTICULOS, MEDIANTE LA DEPOSICION DE VAPOR QUIMICO DE PLASMA MEJORADO. EN EL METODO, EL VAPOR QUIMICO COMPRENDE UN CICLOBUTANO CONTENIENDO SILICONA, TAL COMO UN SILACICLOBUTANO O UN 1,3-DISILACICLOBUTANO. LOS RECUBRIMIENTOS FORMADOS CON ESTE METODO SON UTILES PARA APLICARLOS A LAS CELULAS SOLARES, PARA PREVENIR LA CORROSION DE LOS ELEMENTOS ELECTRONICOS, PARA FORMAR SUTRATOS DIELECTRICOS INTERMEDIOS ENTRE LOS SUSTRATOS DE METALIZACION DE LOS ELEMENTOS ELECTRONICOS, Y PARA HACER QUE LAS SUPERFICIES SEAN RESISTENTES A LA ABRASION.
FRACCIONES DE RESINAS DE SILSESQUIOXANO DE HIDROGENO Y SU USO COMO MATERIALES DE REVESTIMIENTO.
Sección de la CIP Química y metalurgia
(01/03/1994). Solicitante/s: DOW CORNING CORPORATION. Clasificación: C09D183/04, C04B35/00, C04B41/50, C08G77/36, C08G77/12.
ESTA INVENCION SE REFIERE A FRACCIONES DE RESINAS DE SILSESQUIOXANO DE HIDROGENO (RESINAS-H) DERIVADAS DE UN PROCESO DE EXTRACCION UTILIZANDO UNO O MAS FLUIDOS EN, CERCA DE O POR ENCIMA DE, SU ESTADO CRITICO. ESTAS FRACCIONES PUEDEN COMPRENDER FRACCIONES DE PESO MOLECULAR PEQUEÑO CON UNA DISPERSIDAD MENOR DE 3.0, O A FRACCIONES UTILES PARA APLICAR REVESTIMIENTOS EN SUSTRATOS. ESTA INVENCION TAMBIEN SE REFIERE A UN METODO PARA UTILIZAR DICHAS FRACCIONES EN LA FORMACION DE REVESTIMIENTOS CERAMICOS SOBRE SUSTRATOS.
UN METODO PARA FORMAR UNA PELICULA DE SILICIO AMORFO SOBRE UN SUSTRATO.
Secciones de la CIP Química y metalurgia Electricidad
(16/10/1989). Solicitante/s: DOW CORNING CORPORATION. Clasificación: C23C16/24, H01L21/205.
UN METODO PARA FORMAR UNA PELICULA DE SILICIO AMORFO SOBRE UN SUSTRATO. LA PRESENTE INVENCION SE REFIERE A UN METODO PARA FORMAR PELICULAS DE SILICIO, AMORFAS, FOTOCONDUCTORAS Y SEMICONDUCTORAS MEDIANTE LA DESCOMPOSICION TERMICA, EN FASE DE VAPOR, DE UN FLUORHIDRUROSILANO O UNA MEZCLA DE FLUORHIDRUROSILANOS. LA INVENCION TIENE UTILIDAD PARA PROTEGER SUPERFICIES, INCLUYENDO LAS DE LOS DISPOSITIVOS ELECTRONICOS.
UN METODO PARA FORMAR PELICULAS Y RECUBRIMIENTOS QUE CONTIENEN SILICIO POLIMERICO AMORFO SOBRE UN SUSTRATO.
Sección de la CIP Química y metalurgia
(16/08/1989). Solicitante/s: DOW CORNING CORPORATION. Clasificación: C30B33/00, C08G77/50.
UN METODO PARA FORMAR PELICULAS Y RECUBRIMIENTOS QUE CONTIENEN SILICIO POLIMERICO AMORFO SOBRE UN SUSTRATO. COMPRENDE: DESCOMPONER UN DIHALOSILANO O MEZCLA DE DIHALOSILANOS EN FASE DE VAPOR, A UNA TEMPERATURA COMPRENDIDA ENTRE 400 Y 600GC EN UNA CAMARA DE REACCION QUE CONTIENE EL SUSTRATO, CON LO QUE SE FORMA LA PELICULA O EL RECUBRIMIENTO SOBRE EL SUSTRATO. LOS DIHALOSILANOS EMPLEADOS SE SELECCIONAN ENTRE DIFLUOROSILANO, DICLOROSILANO, DIBROMOSILANO, Y DIYODOSILANO. EL RECUBRIMIENTO OBTENIDO ES UN RECUBRIMIENTO PROTECTOR RESISTENTE AL RAYADO O A LA CORROSION O UN RECUBRIMIENTO BARRERA HERMETICO. APLICACION EN EL CAMPO DE LOS SEMICONDUCTORES Y EN LA FORMACION DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS, ELECTROOPTICOS Y FOTOVOLTAICOS.
