6 inventos, patentes y modelos de QUIRION,David
TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE UNIÓN, MÉTODO DE OBTENCIÓN Y USO DEL MISMO.
Sección de la CIP Electricidad
(05/03/2020). Solicitante/s: CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGACIONES CIENTIFICAS. Clasificación: H01L21/02, H01L23/552, H01L29/772, H01L21/70.
En este documento se detallan tanto un dispositivo transistor de efecto de campo de unión (JFET), objeto de un primer aspecto de la invención, como el método para obtener el mismo, objeto de un segundo aspecto de la invención. El dispositivo transistor de efecto de campo de unión (JFET), presenta una serie de trincheras circulares concéntricas que se encuentran protegidas por una o varias trincheras de protección. Dichas trincheras de protección tiene forma rectangular con esquinas redondeadas y se desdoblan en trincheras de protección flotantes y trincheras de protección polarizadas, tal manera que una trinchera de protección polarizada es exterior a la última trinchera concéntrica mientras que una trinchera de protección flotante es exterior a dicha trinchera de protección polarizada.
TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE UNIÓN, MÉTODO DE OBTENCIÓN Y USO DEL MISMO.
Sección de la CIP Electricidad
(03/03/2020). Solicitante/s: CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGACIONES CIENTIFICAS. Clasificación: H01L21/02, H01L23/552, H01L29/772, H01L21/70.
Transistor de efecto de campo de unión y método de obtención del mismo.
En este documento se detallan tanto un dispositivo transistor de efecto de campo de unión (JFET), objeto de un primer aspecto de la invención, como el método para obtener el mismo, objeto de un segundo aspecto de la invención. El dispositivo transistor de efecto de campo de unión (JFET), presenta una serie de trincheras circulares concéntricas que se encuentran protegidas por una o varias trincheras de protección. Dichas trincheras de protección tienen forma rectangular con esquinas redondeadas y se desdoblan en trincheras de protección flotantes y trincheras de protección polarizadas, tal manera que una trinchera de protección polarizada es exterior a la última trinchera concéntrica mientras que una trinchera de protección flotante es exterior a dicha trinchera de protección polarizada.
PDF original: ES-2745740_B2.pdf
PDF original: ES-2745740_A1.pdf
MICRODOSIMETRO BASADO EN ESTRUCTURAS 3D DE SEMICONDUCTOR, PROCEDIMIENTO DE FABRICACIÓN DE DICHO MICRODOSIMETRO Y USO DE DICHO MICRODOSIMETRO.
Secciones de la CIP Técnicas industriales diversas y transportes Física Electricidad
(06/08/2015). Ver ilustración. Solicitante/s: CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGACIONES CIENTIFICAS (CSIC). Clasificación: B81C1/00, B81B7/04, G01T1/02, H01L31/115.
La invención comprende un microdosímetro formado por celdas que forman una matriz, donde en el interior de cada celda hay un volumen sensible a la radiación, que se fabrica sobre semiconductores mediante procesos tridimensionales que definen los componentes de una unión PN para asegurar que se delimita con precisión de pocas ¿¿¿ un volumen sensible similar al volumen medio del núcleo celular, de aproximadamente igual o menor a 10 ¿m de diámetro, donde el sustrato donde está fabricada la celda es una oblea de semiconductor y la celda tiene un diámetro de entre 5 y 150 ¿m y una profundidad de entre 1 y 300 ¿m.. Además la invención indica procedimientos de fabricación de diferentes configuraciones que pueden presentar estos microdosímetros, y su uso para detección de radiación en diferentes campos incluyendo aplicaciones médicas y aeroespaciales.
DECTECTOR DE RADIACIÓN TRANSMISIVO.
(09/03/2015) 1. Detector de radiación transmisivo del tipo que comprende:
- una oblea de material semiconductor que dispone de al menos una zona con material tipo P, una zona de material tipo N y una unión P-N;
- una serie de metalizaciones en su cara frontal que definen contactos eléctricos;
- un sistema electrónico unido a dichas metalizaciones;
caracterizado porque comprende además:
- un sistema mecánico basado en una estructura de aluminio que contiene un sensor con dos aperturas circulares en forma de ventana en las que está insertada una lámina de Kapton.
2. Detector de radiación transmisivo, según la reivindicación 1, caracterizado porque la oblea dispone de un espesor menor o igual a 10 μm.
3.…
DETECTOR LIQUIDO-SEMICONDUCTOR DE NEUTRONES.
(16/06/2014) Detector líquido-semiconductor de neutrones.
La presente invención se refiere a un detector líquido-semiconductor de neutrones caracterizado porque comprende una estructura híbrida constituida por una fase sólida y una fase líquida, donde la fase sólida comprende un sustrato de un material semiconductor que se caracteriza por presentar una serie de hendiduras a lo largo de la superficie de una de sus caras que constituyen un electrodo del detector, y donde la fase líquida se encuentra embebida en dichas hendiduras y se caracteriza por comprender al menos un compuesto conversor de neutrones que contiene al menos un isótopo capaz de capturar neutrones y producir en su lugar partículas cargadas adecuadas para ionizar el material semiconductor. Asimismo es objeto de la invención el proceso de fabricación de dicho detector…
DETECTOR LIQUIDO-SEMICONDUCTOR DE NEUTRONES.
Sección de la CIP Física
(22/05/2014). Ver ilustración. Solicitante/s: CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGACIONES CIENTIFICAS (CSIC). Clasificación: G01T3/08.
La presente invención se refiere a un detector líquido-semiconductor de neutrones caracterizado por que comprende una estructura híbrida constituida por una fase sólida y una fase líquida, donde la fase sólida comprende un sustrato de un material semiconductor que se caracteriza por presentar una serie de hendiduras a lo largo de la superficie de una de sus caras que constituyen un electrodo del detector, y donde la fase líquida se encuentra embebida en dichas hendiduras y se caracteriza por comprender al menos un compuesto conversor de neutrones que contiene al menos un isótopo capaz de capturar neutrones y producir en su lugar partículas cargadas adecuadas para ionizar el material semiconductor. Asimismo es objeto de la invención el proceso de fabricación de dicho detector y su uso.
