8 inventos, patentes y modelos de POCKRANDT, WOLFGANG
PROCEDIMIENTO Y DISPOSICION PARA EL FUNCIONAMIENTO DE UN CONTADOR DE ETAPAS MULTIPLES EN UN SENTIDO DE RECUENTO.
(16/02/2005) Procedimiento para el funcionamiento de un contador de etapas múltiples en un solo sentido de recuento, siendo modificado el valor de recuento de un contador auxiliar de una etapa, variable solamente en un sentido de recuento, en estados predeterminados del valor objetivo del contador de varias etapas y siendo registrados los estados del valor de recuento del contador de etapas múltiples y del contador de una etapa, caracterizado por - la combinación del estado del valor de recuento del contador auxiliar con datos adicionales para formar primeros datos de autenticidad, - la transmisión de los primeros datos de autenticidad junto con el valor de recuento del contador de etapas múltiples…
PROCEDIMIENTO Y DISPOSICION PARA EL FUNCIONAMIENTO DE UN CONTADOR DE ETAPAS MULTIPLES EN UN SENTIDO DE RECUENTO.
Secciones de la CIP Física Electricidad
(16/09/2004). Ver ilustración. Solicitante/s: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Clasificación: G07F7/10, H03K21/40.
Procedimiento para el funcionamiento de un contador de etapas múltiples en un solo sentido de recuento con las etapas: - modificación del valor de recuento de un contador variable solamente en un sentido de recuento en estados predeterminados del valor de recuento del contador de etapas múltiples, - detección de los estados respectivos del valor de recuento del contador de etapas múltiples y del contador auxiliar de una etapa, - comparación de los valores de los estados detectados del valor de recuento del contador de una etapa y del contador de etapas múltiples, y - generación de una señal indicadora en virtud del resultado de la comparación, donde, en el caso de que exista una coincidencia de los estados del valor de recuento, se permite una modificación del contador de etapas múltiples.
PROCEDIMIENTO PARA LA UTENTIFICACION DE AL MENOS UN ABONADO DURANTE UN INTERCAMBIO DE DATOS.
Secciones de la CIP Electricidad Física
(16/05/2004). Ver ilustración. Solicitante/s: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Clasificación: H04L9/32, G07F7/10.
Procedimiento para la autentificación de al menos un abonado a través de otra parte del sistema en un sistema de transmisión de información formado por una tarjeta de chip y por un terminar de escritura / lectura, en el que se transmite una pregunta desde una de las partes del sistema a la otra parte del sistema , la otra parte del sistema procesa esta pregunta por medio de un primer algoritmo para formar una respuesta y la transmite a la primera parte del sistema y ésta verifica el resultado de la respuesta, caracterizado porque durante el cálculo de la respuesta por medio del primer algoritmo a través del procesamiento de la pregunta tiene lugar al menos otro procesamiento de la pregunta.
PUENTE DE CONEXION (FUSIBLE) SEPARABLE E INTERRUPCION DE LA LINEA (ANTI-FUSIBLE) CONECTABLE ASI COMO PROCEDIMIENTO PARA LA FABRICACION Y ACTIVACION DE UN FUSIBLE Y DE UN ANTI-FUSIBLE.
Sección de la CIP Electricidad
(01/02/2004). Ver ilustración. Solicitante/s: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT. Clasificación: H01L27/02, H01L23/535.
LA INVENCION TRATA DE UN PUENTE DE UNION SEPARABLE (FUSE) CON UNA PISTA DE CONDUCTORES ELECTRICAMENTE CONDUCTORA, QUE ESTA CONFIGURADA EN UN SUSTRATO (2, 2A) HECHO DE UN MATERIAL SEMICONDUCTOR DE UN PRIMER MODO DE CONDUCTIVIDAD, QUE ES CONTINUA EN EXTENSION LONGITUDINAL Y QUE MUESTRA EN TRANSVERSAL RESPECTO A LA EXTENSION LONGITUDINAL UN DETERMINADO ANCHO, MOSTRANDO UN SEGUNDO MODO DE CONDUCTIVIDAD OPUESTO AL PRIMER MODO DE CONDUCTIVIDAD, TENIENDO EL MATERIAL SEMICONDUCTOR DEL PRIMER MODO DE CONDUCTIVIDAD UNA CONCENTRACION TAL CON RESPECTO AL MATERIAL DE LA PISTA DE CONDUCTORES QUE, A UNA TEMPERATURA DE ACTIVACION PREDETERMINADA QUE ES MAYOR QUE LA TEMPERATURA DE FUNCIONAMIENTO DEL PUENTE DE UNION , TIENE LUGAR UNA INTERRUPCION POR TODO EL ANCHO (M) DE LA PISTA DE CONDUCTORES DEBIDO A LA DIFUSION DEL MATERIAL SEMICONDUCTOR DEL PRIMER MODO DE CONDUCTIVIDAD Y/O DEL MATERIAL DE LA PISTA DE CONDUCTORES DEL SEGUNDO MODO DE CONDUCTIVIDAD.
CIRCUITO DE SEMICONDUCTORES ASEGURADO CONTRA INTERVENCIONES EXTERNAS.
(01/01/2003) LA INVENCION SE REFIERE A UN CIRCUITO SEMICONDUCTOR CON LAS SIGUIENTES CARACTERISTICAS: AL MENOS UN MODULO DE OPERACION CON UN CIRCUITO DE CONTROL Y UN MICROPROCESADOR CON MEMORIA; AL MENOS UN MODULO DE INICIALIZACION PARA PRUEBA Y/O INICIALIZACION DE LOS MODULOS DE OPERACION O PARA LOS MISMOS MODULOS DE OPERACION; AL MENOS UN MODULO DE OPERACION ESTA CONECTADO A AL MENOS UN MODULO DE INICIALIZACION POR MEDIO AL MENOS DE UN HILO DE CONEXION NO INTERRUMPIDA. PARA MEJORAR LA FIABILIDAD, DESPUES DE LA CONSTRUCCION DEL CIRCUITO SEMICONDUCTOR, EL MODULO DE INICIALIZACION ESTA SEPARADO PERMANENTEMENTE CON RESPECTO AL MODULO DE OPERACION MEDIANTE CORTE DE LOS HILOS DE CONEXION. PARA HACER MAS DIFICIL LA REACTIVACION DE LOS HILOS DE CONEXION DE CORTE, EL CIRCUITO SEMICONDUCTOR TIENE LAS SIGUIENTES CARACTERISTICAS: EN EL AREA DE AL MENOS UNO DE LOS HILOS DE…
MEMORIA DE SEMICONDUCTORES CON CELULAS DE MEMORIA TRANSISTORA DUAL NO VOLATIL.
Sección de la CIP Física
(01/11/2002). Solicitante/s: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Clasificación: G11C16/04.
La invención se refiere a una memoria de semiconductores, especialmente con células de memoria transistora dual no volátil, que comprende un transistor de selección de N canales y un transistor de memoria de N canales, en la cual también se provee un circuito de disparo con un transistor de transferencia, y que es también objeto de la invención. El transistor de transferencia en el semiconductor de la invención está realizado como un transistor de transferencia de P canales, en el cual una conexión por canal de transferencia está enlazada con un circuito de líneas que conduce a la célula de memoria. Esto permite que los voltajes requeridos para la programación se consigan con poco esfuerzo tecnológico.
SOPORTE DE DATOS PARA EL ALMACENAMIENTO DE UNIDADES DE VALOR, ESTACION DE CREDITO Y ESTACION DE DEBITO PARA UNIDADES DE VAPOR ASI COMO PROCEDIMIENTO CORRESPONDIENTE PARA CREDITO Y DEBITO.
Sección de la CIP Física
(01/08/2002). Solicitante/s: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Clasificación: G07F19/00, G07F7/12.
Soporte de datos (CC) para la memorización de unidades de valor (VALOR) acreditadas a través de una estación de crédito (T1), que están previstas para ser debitadas en al menos una estación de débito (T2), en el que está memorizado, después de que las unidades de valor (VALOR) han sido acreditadas, un número de identificación (T1lD) de la estación de crédito (T1), que transmite a la estación de débito (T2) durante el débito de las unidades de valor (VALOR).
DISPOSITIVO DE MEMORIA DE SEMICONDUCTORES.
Sección de la CIP Física
(16/10/2000). Ver ilustración. Solicitante/s: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT. Clasificación: G11C7/00, G11C8/00.
LA INVENCION SE REFIERE A UN DISPOSITIVO DE MEMORIA DE SEMICONDUCTORES, CON VARIAS CELULAS DE MEMORIA , SITUADAS EN LOS PUNTOS DE CRUCE DE LINEAS DE BITS Y LINEAS DE PALABRAS DE UN SUSTRATO SEMICONDUCTOR, CONTROLABLES PARA LA PROGRAMACION CON CONTENIDOS DE DATOS VIA CIRCUITO DE CONTROL DE LINEAS DE PALABRAS Y CIRCUITO DE CONTROL DE LINEAS DE BITS . LAS CELULAS DE MEMORIA DE UNA LINEA DE PALABRAS TIENEN ASIGNADAS CELULAS DE MEMORIA DE ACTIVACION , SITUADAS A LO LARGO DE UNA LINEAS DE BITS DE ACTIVACION Y CONTROLABLES VIA UN CIRCUITO DE CONTROL DE LINEAS DE BITS DE ACTIVACION , SEPARADO Y CONTROLABLE DE FORMA INDEPENDIENTE DEL CIRCUITO DE CONTROL DE LINEAS DE BITS . LAS CELULAS DE MEMORIA DE ACTIVACION PUEDEN ESTIMULARSE MEDAINTE UN VALOR DE ACTIVACION PARA ACTIVAR LAS CELULAS DE MEMORIA DE UNA LINEA DE PALABRAS DEFINIDA.
