8 inventos, patentes y modelos de PELLEGRINI,GIULIO

(09/03/2015) 1. Detector de radiación transmisivo del tipo que comprende: - una oblea de material semiconductor que dispone de al menos una zona con material tipo P, una zona de material tipo N y una unión P-N; - una serie de metalizaciones en su cara frontal que definen contactos eléctricos; - un sistema electrónico unido a dichas metalizaciones; caracterizado porque comprende además: - un sistema mecánico basado en una estructura de aluminio que contiene un sensor con dos aperturas circulares en forma de ventana en las que está insertada una lámina de Kapton. 2. Detector de radiación transmisivo, según la reivindicación 1, caracterizado porque la oblea dispone de un espesor menor o igual a 10 μm. 3.…

(16/06/2014) Detector líquido-semiconductor de neutrones. La presente invención se refiere a un detector líquido-semiconductor de neutrones caracterizado porque comprende una estructura híbrida constituida por una fase sólida y una fase líquida, donde la fase sólida comprende un sustrato de un material semiconductor que se caracteriza por presentar una serie de hendiduras a lo largo de la superficie de una de sus caras que constituyen un electrodo del detector, y donde la fase líquida se encuentra embebida en dichas hendiduras y se caracteriza por comprender al menos un compuesto conversor de neutrones que contiene al menos un isótopo capaz de capturar neutrones y producir en su lugar partículas cargadas adecuadas para ionizar el material semiconductor. Asimismo es objeto de la invención el proceso de fabricación de dicho detector…

(20/05/2014) Procedimiento para el depósito de capas gruesas de boro. Procedimiento de depósito de una capa de boro sobre un substrato mediante evaporación física con haz de electrones, caracterizado porque comprende: a) obtener un substrato limpiado que comprende una primera capa de adhesión, b) proteger el substrato, c) alcanzar un vacio mínimo de 5x10-6 mbar, d) calentar el substrato a una temperatura mínima de 115ºC, e) depositar 10B mediante EBPVD sin que haya fragmentos de boro de tamaño inferior a 0,25 mm y manteniendo el cono de evaporación enfocado, f) depositar otra capa de adhesión sobre la capa de 10B, y g) enfriar el substrato; donde las etapas e) y f) tienen lugar al menos una vez para…

(30/08/2012) Detector de radiación ionizante sensible a la posición 2D. El objeto de la presente invención es un dispositivo detector que permite detectarla, tanto la presencia de radiación ionizante como su posición en un plano bidimensional. El detector comprende un cristal de semiconductor con un electrodo en una de sus caras, y donde la cara opuesta comprende otro electrodo formado por una pluralidad de micropistas (P1-P6), caracterizado porque cada micropista (P1-P 6) comprende una capa de material resistivo y está conectada por ambos extremos a circuitos de lectura (L1a, L1b-L6a, L6b).

(11/07/2012) 1. Sistema de lectura compacto y portátil para sensores de radiación de tipo micropistas en substrato de silicio caracterizado porque comprende: - un ordenador de control que almacena y procesa unos datos adquiridos; - una placa hija con un chip de lectura y un soporte intercambiable con un detector objeto de una caracterización; - una placa madre con una electrónica de conversión y procesado con su propio sistema de alimentación, comunicación con un ordenador vía USB, una FPGA que interpreta y ejecuta las órdenes que llegan desde el ordenador, una entrada de disparo externo y una salida de disparo externo de pulsos para una fuente de excitación externa; y, - un interfaz de usuario residente en el ordenador.