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Procedimiento para preparar hidridosilanos con contenido en carbono.

(27/02/2019) Procedimiento para la preparación de hidridosilanos con contenido en carbono, en el que - un hidridosilano eventualmente impurificado con boro o fósforo, - exento de catalizador y agente reductor, - se hace reaccionar con al menos una fuente de carbono elegida de - carbosilanos, linealeles o ramificados, de la fórmula genérica SibH2b+2-yRy con b ≥ 2, 1 ≤ y ≤ 2b+2 y R = -alquilo C1-C10, -arilo C6-C10, -aralquilo C7-C14, - carbosilanos cíclicos de la fórmula genérica SicH2c-yRy con c ≤ 3, 1 ≤ y ≤ 2c y R = -alquilo C2-C10, -arilo C6-C10, -aralquilo C7-C14, - hidrocarburos halogenados de la fórmula genérica CnH2n+2-yXy con 1 ≤ n ≤ 5, 1 ≤ y ≤ 12 y…

Procedimiento para la preparación de compuestos de hidrurosilano superiores.

Sección de la CIP Química y metalurgia

(06/06/2018). Solicitante/s: EVONIK DEGUSSA GMBH. Clasificación: C23C18/12, C08G77/60, C01B33/04.

Procedimiento para la preparación de compuestos de hidrurosilano superiores que presentan por lo menos 26 átomos de silicio y un peso molecular promedio en peso de por lo menos 800 g/mol a partir de compuestos de hidrurosilano inferiores, caracterizado porque - se hacen reaccionar térmicamente - por lo menos un compuesto de hidrurosilano inferior (I), que presenta en promedio una cantidad de átomos de silicio menor o igual a 10, - en presencia de por lo menos un compuesto de hidrurosilano (II) con un peso molecular promedio en peso de por lo menos 500 g/mol.

PDF original: ES-2679247_T3.pdf

Procedimiento para la producción de halogenosilanos e hidrurosilanos.

Secciones de la CIP Técnicas industriales diversas y transportes Química y metalurgia

(02/05/2018). Solicitante/s: EVONIK DEGUSSA GMBH. Clasificación: B01J31/02, C01B33/04, C01B33/107.

Procedimiento para la producción de un halogenosilano superior, empleándose al menos un halogenosilano de la fórmula genérica SinX2n+2 con n ≥ 2 y X ≥ F, Cl, Br y/o I, y mediante desproporción para dar una mezcla de productos que contiene al menos un halogenosilano superior de la fórmula genérica SimX2m+2 con m > n y X ≥ F, Cl, Br y/o I, y al menos un halogenosilano inferior de la fórmula genérica SiaX2a+2 con a ≥ 1-2 y X ≥ F, Cl, Br y/o I, caracterizado por que la reacción se cataliza mediante al menos un fosfano terciario, seleccionado a partir del grupo que comprende alquilfosfanos terciarios, arilfosfanos terciarios, fosfanos terciarios bidentados o mezclas de los mismos.

PDF original: ES-2673285_T3.pdf

Procedimiento para la producción de capas de silicio p-dopadas.

Secciones de la CIP Electricidad Química y metalurgia

(29/11/2017). Solicitante/s: EVONIK DEGUSSA GMBH. Clasificación: H01L31/18, H01L21/02, C23C18/12, C07F9/50, H01L21/228.

Procedimiento para la producción de al menos una capa de silicio p-dopada dispuesta sobre un substrato, que comprende los pasos: a) puesta a disposición de un substrato, b) puesta a disposición de una formulación que contiene al menos un compuesto de silicio y, como agente de dopaje, al menos un complejo de BH3 con un complejante seleccionado a partir del grupo constituido THF; NR3 con R ≥ H, alquilo, arilo, así como SR'2 con R' ≥ H, alquilo, arilo, c) aplicación de la formulación sobre el substrato, d) irradiación y/o tratamiento térmico del substrato revestido, bajo formación de una capa p-dopada, constituida predominantemente por silicio.

PDF original: ES-2655491_T3.pdf

Procedimiento para la producción de capas de silicio.

Secciones de la CIP Química y metalurgia Electricidad

(25/10/2017). Solicitante/s: EVONIK DEGUSSA GMBH. Clasificación: C23C18/14, C08G77/60, C09D183/16, C23C18/12, H01L21/02.

Procedimiento en fase líquida para la producción térmica de capas de silicio sobre un sustrato, en el que al menos un silano superior que puede producirse a partir de al menos un hidridosilano de fórmula genérica SiaH2a+2 (siendo a ≥ 3 - 10) se aplica sobre un sustrato y a continuación se convierte térmicamente en una capa que consiste esencialmente en silicio, caracterizado porque la conversión térmica del silano superior tiene lugar - a una temperatura de 500 - 900ºC - y un tiempo de conversión de ≤ 5 minutos.

PDF original: ES-2651678_T3.pdf

Procedimiento para la preparación de hidrurosilanos.

(07/09/2016) Procedimiento para la preparación de hidrurosilanos a partir de halogenosilanos, caracterizado por que a) se hacen reaccionar i) al menos un halógenosilano de la fórmula genérica SinX2n+2 (con n ≥ 3 y X ≥ F, Cl, Br y/o I) y ii) al menos un catalizador de la fórmula genérica NRR'aR"bYc con a ≥ 0 ó 1, b ≥ 0 ó 1 y c ≥ 0 ó 1, y en donde aa) - R, R' y/o R" son iguales a -alquil C1-C12, -aril C1-C12, -aralquil C1-C12, -aminoalquil C1-C12, -aminoaril C1-C12, -aminoaralquil C1-C12, y/o - dos o tres radicales R, R' y R", en el caso de c ≥ 0, forman conjuntamente un sistema cíclico o bicíclico, heteroalifático o heteroaromático que incluye N, - con la condición de que al menos un radical R, R' o R" no sea -CH3 y/o bb) - R y R' y/o R" (en el caso de c ≥ 1) son iguales a -alquilen C1-C12, -arilen C1-C12,…

Procedimiento para la preparación de revestimientos estructurados a partir de silicio y/o germanio.

Secciones de la CIP Electricidad Química y metalurgia

(27/04/2016). Solicitante/s: EVONIK DEGUSSA GMBH. Clasificación: H01L21/02, C23C18/12.

Procedimiento en fase líquida para la preparación de revestimientos estructurados a partir de silicio y/o germanio, caracterizado por que - se aplica al menos una composición de revestimiento sobre un sustrato, - el revestimiento que resulta se activa parcialmente sobre el sustrato revestido - y el revestimiento no activado se oxida sobre el sustrato.

PDF original: ES-2662859_T3.pdf

Procedimiento para la pasivación con hidrógeno de unas capas de semiconductores.

(01/04/2015) Procedimiento para la pasivación con hidrógeno de capas de semiconductores, caracterizado por que la pasivación se efectúa mediante el empleo de una fuente de plasma con un arco eléctrico.