9 inventos, patentes y modelos de MICHAEL, KEITH WINTON

Sección de la CIP Electricidad

(01/10/1995). Solicitante/s: DOW CORNING CORPORATION. Clasificación: H01L21/312, H01L45/00.

ESTA INVENCION SE REFIERE A UN METODO PARA FORMAR UN DISPOSITIVO CONMUTADOR DEL NIVEL DE LIMITACION QUE EXHIBE UNA RESISTENCIA DIFERENCIAL NEGATIVA ASI COMO A LOS DISPOSITIVOS FORMADOS MEDIANTE EL MISMO. EL METODO COMPRENDE LA DEPOSITACION DE UNA PELICULA DE DIOXIDO DE SILICIO DERIVADA DE UNA RESINA DE SILSESQUIXANO DE HIDROGENO ENTRE AL MENOS DOS ELECTRODOS Y APLICANDO ENTONCES UN VOLTAJE POR ENCIMA DE UN VOLTAJE PREDETERMINADO POR ENCIMA DEL UMBRAL A LO LARGO DE LOS ELECTRODOS.

Secciones de la CIP Electricidad Química y metalurgia

(16/02/1994). Solicitante/s: DOW CORNING CORPORATION. Clasificación: H01L21/316, C04B35/14, C04B35/64.

LA INVENCION SE REFIERE A UN METODO A BAJA TEMPERATURA PARA CONVERTIR LAS CAPAS DE PRECURSORES DE SILICE EN CAPAS DE SILICE CERAMICO. EL METODO COMPRENDE LA APLICACION DE UNA CAPA DE PRECURSOR DE SILICE A UN SUSTRATO, EXPONIENDOLA A UN MEDIO QUE COMPRENDE HIDROXIDO DE AMONIACO Y/O VAPORES DE AMONIACO HUMEDO Y SOMETIENDO LA CAPA A UNA TEMPERATURA SUFICIENTE PARA PRODUCIR LA CAPA DE CERAMICA. LOS METODOS DE LA INVENCION SE APLICAN PARTICULARMENTE A LAS CAPAS DE APLICACION EN LOS DISPOSITIVOS ELECTRONICOS.

Sección de la CIP Química y metalurgia

(01/11/1989). Solicitante/s: DOW CORNING CORPORATION. Clasificación: C04B41/89.

REVESTIMIENTOS CERAMICOS, METODO PARA SU PRODUCCION Y DISPOSITIVOS ELECTRONICOS ASI REVESTIDOS. ESTA INVENCION SE REFIERE A MATERIALES PRODUCIDOS DILUYENDO EN UN DISOLVENTE UNA MEZCLA PRECERAMICA DE UNA RESINA DE HIDROGENO SILSESQUIOXANO Y UN PRECURSOR DE OXIDO METALICO SELECCIONADO DEL GRUPO FORMADO POR UN ALCOXIDO DE ALUMINIO, UN ALCOXIDO DE TITANIO Y UN ALCOXIDO DE ZIRCONIO. LA SOLUCION DE LA MEZCLA PRECERAMICA EN EL DISOLVENTE SE APLICA A UN SUSTRATO Y SE CERAMIFICA APLICANDO CALOR. SOBRE EL REVESTIMIENTO DE SIO2/OXIDO METALICO CERAMIFICADO, SE PUEDEN APLICAR UNO O MAS REVESTIMIENTOS CERAMICOS QUE CONTIENEN SILICIO Y CARBONO, SILICIO Y NITROGENO, O SILICIO, CARBONO Y NITROGENO. PARA CONSEGUIR UNA MEJOR PROTECCION, SE PUEDE APLICAR UN ULTIMO REVESTIMIENTO MEDIANTE CVD O PECVD. LA INVENCION ES PARTICULARMENTE UTIL PARA REVESTIR DISPOSITIVOS ELECTRONICOS.

Sección de la CIP Química y metalurgia

(01/11/1989). Solicitante/s: DOW CORNING CORPORATION. Clasificación: C04B41/89.

REVESTIMIENTOS CERAMICOS, PROCEDIMIENTO PARA SU PRODUCCION Y DISPOSITIVOS ELECTRONICOS ASI REVESTIDOS. ESTA INVENCION SE REFIERE A MATERIALES PRODUCIDOS AL DILUIR EN UN DISOLVENTE UNA MEZCLA PRECERAMICA CATALIZADA POR PLATINO O RODIO DE UNA RESINA DE HIDROGENO SILSESQUIXANO Y UN PRECURSOR DE OXIDO METALICO SELECCIONADO DEL GRUPO FORMADO POR UN ALCOXIDO DE ALUMINIO, UN ALCOXIDO DE TITANIO, Y UN ALCOXIDO DE ZIRCONIO. LA SOLUCION DISOLVENTE DE LA MEZCLA PRECERAMICA SE APLICA A UN SUSTRATO Y CERAMIFICA POR CALENTAMIENTO. SE PUEDEN APLICAR UNO O MAS REVESTIMIENTOS CERAMICOS QUE CONTIENEN SILICIO Y CARBONO, SILICIO Y NITROGEBNO, O SILICIO, CARBONO Y NITROGENO, SOBRE EL REVESTIMIENTO DE OXIDO METALICO/SIO2 CERAMIFICADO. SE PUEDE APLICAR UN REVESTIMIENTO SUPERIOR CVD O PECVD PARA UNA PROTECCION ADICIONAL. LA INVENCION ES PARTICULARMENTE UTIL PARA REVESTIR DISPOSITIVOS ELECTRONICOS.

Secciones de la CIP Química y metalurgia Electricidad

(01/04/1989). Solicitante/s: DOW CORNING CORPORATION. Clasificación: C04B41/89, H05K3/46, H01L21/314.

UN PROCEDIMIENTO PARA FORMAR SOBRE UN DISPOSITIVO ELECTRONICO, UN REVESTIMIENTO DE CAPAS MULTIPLES DEL TIPO DE CERAMICA O PARECIDO. LA PRESENTE INVENCION SE REFIERE A MATERIALES PRODUCIDOS MEDIANTE DILUCION EN UN DISOLVENTE DE UNA MEZCLA DE PRECERAMICA DE UN ESTER DE SILICATO PARCIALMENTE HIDROLIZADO QUE SE APLICA A SU SUBSTRATO Y SE TRANSFORMA EN CERAMICA MEDIANTE CALENTAMIENTO. UNO O VARIOS REVESTIMIENTOS DE CERAMICA CONTENIENDO SILICIO CARBONO, SILICIO NITROGENO O SILICIO CARBONO NITROGENO PUEDEN APLICARSE SOBRE REVESTIMIENTO DE SIO2 TRANFORMADO EN CERAMICA. UN REVESTIMIENTO SUPERIOR DE CVD O PECVD PUEDE SER APLICADO PARA OBTENER UNA PROTECCION SUPLEMENTARIA. LA INVENCION ES PARTICULARMENTE UTIL PARA RECUBRIR DISPOSITIVOS ELECTRONICOS.

Secciones de la CIP Electricidad Química y metalurgia

(01/03/1989). Solicitante/s: S DOW CORNING CORPORATION. Clasificación: H01L21/316, C23C28/00, H01L21/314.

ESTA INVENCION SE REFIERE A MATERIALES PRODUCIDOS DILUYENDO EN UN DISOLVENTE UNA MEZCLA PRECERAMICA DE UN ESTER DE SILICATO PARCIALMENTE HIDROLIZADO Y UN PRECURSOR DE UN OXIDO METALICO ELEGIDO ENTRE UN ALCOXIDO DE ALUMINIO, UN ALCOXIDO DE TITANIO Y UN ALCOXIDO DE CIRCONIO. LA SOLUCION DE LA MEZCLA PRECERAMICA EN EL DISOLVENTE SE APLICA A UN SUSTRATO Y SE CERAMIFICA POR APLICACION DE CALOR. SOBRE EL REVESTIMIENTO DE SIO2/OXIDO METALICO CERAMIFICADO, SE PUEDEN APLICAR UNO O MAS REVESTIMIENTOS QUE CONTIENEN SILICIO Y CARBONO, SILICIO Y NITROGENO O SILICIO, CARBONO Y NITROGENO. PARA UNA MEJOR PROTECCION, SE PUEDE APLICAR UN ULTIMO REVESTIMIENTO POR CVD O PECVD. LA INVENCION ES PARTICULARMENTE UTIL PARA REVESTIR DISPOSITIVOS ELECTRONICOS.

Sección de la CIP Electricidad

(01/03/1989). Solicitante/s: DOW CORNING CORPORATION. Clasificación: H01L21/318.

ESTA INVENCION SE REFIERE A UN METODO PARA FORMAR A BAJAS TEMPERATURAS REVESTIMIENTOS CERAMICOS O SEMEJANTES A CERAMICOS QUE CONTIENEN SILICIO Y NITROGENO QUE SIRVEN PARA PROTEGER DISPOSITIVOS ELECTRONICOS. LOS REVESTIMIENTOS SON PRODUCIDOS MEDIANTE LA CERAMIFICACION A TEMPERATURAS MENORES O IGUALES QUE 400GC DE LOS REVESTIMIENTOS POLIMERICOS PRECERAMICOS QUE CONTIENEN SILICIO Y NITROGENO DEPOSITADOS A PARTIR DE UNA SOLUCION EN DISOLVENTE. LOS REVESTIMIENTOS SON UTILES PARA PLANARIZAR LA SUPERFICIE DE LOS DISPOSITIVOS ELECTRONICOS Y PARA PASIVARLA.

Secciones de la CIP Química y metalurgia Electricidad

(01/03/1989). Solicitante/s: DOW CORNING CORPORTATION. Clasificación: C04B41/50, H01L21/312, C04B41/52, C04B35/14, H01L21/314.

ESTA INVENCION SE REFIERE A MATERIALES PRODUCIDOS DILUYENDO EN UN DISOLVENTE UNA SOLUCION EN DISOLVENTE DE RESINA DE HIDROGENO SILSESQUIOXANO, QUE SE APLICA A UN SUSTRATO Y SE CERAMIFICA POR ACCION DEL CALOR. SOBRE EL REVESTIMIENTO DE SIO2 CERAMIFICADO, SE PUEDE APLICAR UNO O MAS REVESTIMIENTOS CERAMICOS QUE CONTIENEN SILICIO-CARBONO, SILICIO-NITROGENO O SILICIO-CARBONO-NITROGENO. PARA UNA MEJOR PROTECCION, TAMBIEN PUEDE APLICARSE UNA ULTIMA CAPA CVD O PECVD. LA INVENCION ES PARTICULARMENTE UTIL PARA RECUBRIR DISPOSITIVOS ELECTRONICOS.

Sección de la CIP Física

(16/10/1988). Solicitante/s: DOW CORNING CORPORATION. Clasificación: G02B6/22.

ESTA INVENCION SE REFIERE A UN METODO DE FORMACION DE REVESTIMIENTOS HERMETICOS A BASE DE SILICIO SOBRE DISPOSITIVOS CONDUCTORES DE LA LUZ, QUE INCLUYEN FIBRAS OPTICAS, GUIAONDAS, TUBOS LUMINOSOS O CABLES. MEDIANTE ESTA INVENCION, UN HALOSILANO, HALODISILANO O MEZCLA DE HALOSILANOS SE DESCOMPONE TERMICAMENTE EN FASE DE VAPOR EN PRESENCIA DE UN DISPOSITIVO CONDUCTOR DE LA LUZ PARA PRODUCIR UN REVESTIMIENTO HERMETICO SOBRE DICHO DISPOSITIVO.