(24/02/2011) Un procedimiento para minimizar o revertir la formación de especies absorbentes de luz visible en un material que contiene silicona causada por la exposición a radiación ultravioleta, comprendiendo dicho procedimiento la etapa de: exponer dicho material que contiene silicona a una especie reactiva
(01/06/2008) Proceso para la deposición por plasma de una capa de material semiconductor del tipo en el que un gas de proceso que incluye un precursor de dicho material semiconductor es activado con energía electromagnética para así crear un plasma a base del mismo, cuyo plasma deposita una capa de dicho material semiconductor sobre un sustrato; estando dicho proceso caracterizado por un grupo de parámetros de deposición que comprende la composición del gas de proceso, la presión del gas de proceso, la densidad de potencia de dicha energía electromagnética y la temperatura del sustrato; donde se define un umbral entre el estado amorfo y el estado microcristalino para dichos parámetros de deposición de forma tal que hay un conjunto microcristalino de valores para dichos parámetros de deposición en el que cuando dicho…
Sección de la CIP Electricidad
(01/03/2007). Solicitante/s: UNITED SOLAR SYSTEMS CORPORATION. Clasificación: H01L31/18, H01L31/075.
EL GROSOR DE LAS CAPAS INTRINSECAS (20A,20B,20C) DE LAS CELULAS (18A,18B,18C), QUE COMPRENDEN UN DISPOSITIVO FOTOVOLTAICO EN SERIE , SON SELECCIONADAS DE MANERA QUE LA CELULA TIENE EL MATERIAL SEMICONDUCTOR DE MAYOR CALIDAD QUE PRODUCE LA FOTOCORRIENTE MAS PEQUEÑA. ESA CELULA SERA ENTONCES LA CELULA DOMINANTE EN EL DISPOSITIVO EN SERIE, Y SUS PROPIEDADES MATERIALES CONTRIBUIRAN DE MANERA DESPROPORCIONADA A LAS PROPIEDADES TOTALES DEL DISPOSITIVO EN SERIE.
Sección de la CIP Electricidad
(01/12/2003). Solicitante/s: UNITED SOLAR SYSTEMS CORPORATION. Clasificación: H01L31/20.
EN UN PROCESO DE DEPOSICION POR DESCARGA DE INCANDESCENCIA PARA LA PREPARACION DE ALEACIONES SEMICONDUCTORAS DEL GRUPO IV, HIDROGENADAS, EL SUSTRATO SE MANTIENE A UNA TEMPERATURA QUE SE CORRELACIONA POSITIVAMENTE CON LA VELOCIDAD DE DEPOSICION Y QUE ES SUFICIENTEMENTE ALTA PARA IMPARTIR UNA ENERGIA CINETICA A LA CAPA PARA ACTIVAR LA ELIMINACION DE MORFOLOGIA INDESEABLES., PERO SUFICIENTEMENTE BAJA PARA EVITAR LA DEGRADACION DE LA CAPA CAUSADA POR LA PERDIDA EXCESIVA DE HIDROGENO.
Secciones de la CIP Electricidad Química y metalurgia
(16/09/2002). Solicitante/s: UNITED SOLAR SYSTEMS CORPORATION. Clasificación: H01L31/20, C23C16/50, C23C16/54, H01L21/205, H01L21/20.
LAS TEMPERATURAS DEL SUSTRATO SE MANTIENEN A MAS DE 400 (GRADOS) C DURANTE LA DEPOSICION POR DESCARGA LUMINISCENTE ALIMENTADA POR MICROONDAS DE MATERIALES SEMICONDUCTORES DEL GRUPO IV. EL MARGEN DE TEMPERATURAS DEL SUSTRATO PERMITE LA PREPARACION DE MATERIALES QUE TIENEN PROPIEDADES ELECTRICAS MEJORADAS.
Secciones de la CIP Técnicas industriales diversas y transportes Electricidad Química y metalurgia
(16/01/2002). Solicitante/s: UNITED SOLAR SYSTEMS CORPORATION. Clasificación: B05D3/06, H01J37/32, C23C16/50.
MATERIAL SEMICONDUCTOR DE ALTA CALIDAD SE DEPOSITA EN UN PROCESO DE ELECTRODEPOSICION DE DESCARGA LUMINESCENTE ENERGIZADO POR MICRONDAS, ENERGIZANDO UN GAS EN PROCESO CON ENERGIA POR MICRONDAS MEDIANTE UN GENERADOR DE MICRONDAS A UN NIVEL DE POTENCIA SUFICIENTE PARA GENERAR UN PLASMA A UN GRADO DE SATURACION DE APROXIMADAMENTE EL 100, E IMPIDIENDO EL ACCESO DE LAS ESPECIES DE ELECTRODEPOSICION A UN SUSTRATO PARA REBAJAR EL INDICE DE ELECTRODEPOSICION A UN VALOR MENOR QUE EL QUE SE CONSEGUIRIA, DE OTRA FORMA, OPERANDO A UN GRADO DE SATURACION DEL 100.
Sección de la CIP Electricidad
(01/05/1997). Solicitante/s: UNITED SOLAR SYSTEMS CORPORATION. Clasificación: H01L31/075, H01L31/20, H01L21/205.
SE PRESENTA UN METODO PARA MANUFACTURAR DISPOSITIVOS FOTOVOLTAICOS, DE PELICULA FINA DEL TIPO DE LOS QUE TIENEN UNA CAPA SEMICONDUCTORA INTRINSECA DISPUESTA ENTRE DOS CAPAS SEMICONDUCTORAS, CON CARGAS OPUESTAS. UNA CAPA SEPARADORA DE MATERIAL SEMICONDUCTOR INTRINSECO SE DEPOSITA MEDIANTE RF EN LA UNION ENTRE UNA CAPA INTRINSECA DE BASE, DEPOSITADA MEDIANTE MICROONDAS Y UNA CAPA DE MATERIAL DOPADO. LA PILA PRODUCIDA MEDIANTE EL METODO DE LA INVENCION TIENE UNAS CARACTERISTICAS MEJORADAS SOBRE LAS PILAS QUE TIENEN CAPAS INTRINSECAS DEPOSITADAS MEDIANTE MICROONDAS SIN NINGUNA CAPA DE BARRERA.
Sección de la CIP Electricidad
(01/12/1996). Solicitante/s: UNITED SOLAR SYSTEMS CORPORATION. Clasificación: H01L31/18, H01L31/075, H01L21/205.
EL VOLTAJE DE CIRCUITO ABIERTO DE DISPOSITIVOS FOTOVOLTAICOS MANUFACTURADOS POR UN PROCESO DE DEPOSICION POR MICROONDAS SE INCREMENTA DISPONIENDO UN CABLE DE DESVIO EN EL PLASMA ENERGIZADO DE MICROONDAS Y APLICANDO UN VOLTAJE POSITIVO DE APROXIMADAMENTE 100 VOLTIOS AL CABLE DURANTE SOLAMENTE UNA PARTE DEL TIEMPO EN EL CUAL ESTA SIENDO DEPOSITADA LA CAPA SEMICONDUCTORA INTRINSECA (12A, 12B).
Sección de la CIP Electricidad
(16/02/1996). Solicitante/s: ENERGY CONVERSION DEVICES, INC.. Clasificación: H01L31/06.
UNA O MAS CELDAS SOLARES DE PELICULA FINA EN LA QUE LA CAPA INTERIOR DE UNA ALEACION SEMICONDUCTORA AMORFA INCLUYE AL MENOS UN PRIMER INTERVALO DE BANDA Y OTRO INTERVALO DE BANDA MAS ESTRECHO. EL INTERVALO DE BANDA DE LA CAPA INTERNA ESTA ESPECIALMENTE GRADUADO EN UNA PARTE DEL GROSOR, Y DICHA PARTE GRADUADA INCLUYE UNA REGION ALEJADA DE LAS INTERFACES ENTRE LA CAPA IMPURIFICADORA Y LA CAPA INTERNA . EL INTERVALO DE BANDA DE LA CAPA INTERNA ES SIEMPRE MENOR QUE EL INTERVALO DE BANDA DE LAS CAPAS IMPURIFICADAS. LA GRADACION DE LA CAPA INTERNA SE EFECTUA DE FORMA QUE EL VOLTAJE DE CIRCUITO ABIERTO Y/O EL FACTOR DE RELLENO DE LA ESTRUCTURA DE CELDA O CELDAS SOLARES SE POTENCIA.