6 inventos, patentes y modelos de GOLDSTEIN, LEON
DISPOSITIVO FOTONICO DUPLEXOR.
Sección de la CIP Electricidad
(16/02/1999). Solicitante/s: ALCATEL ALSTHOM COMPAGNIE GENERALE D'ELECTRICITE. Clasificación: H04B10/12, H01S3/025, H01L27/15.
EL DISPOSITIVO ES UN SEMICONDUCTOR QUE COMPRENDE UN LASER PARA GENERAR UNA PRIMERA SEÑAL OPTICA QUE TIENE UNA CIERTA LONGITUD DE ONDA Y UN FOTODETECOR PARA DETECTAR UNA SEGUNDA SEÑAL OPTICA QUE TIENE OTRA LONGITUD DE ONDA. EL DISPOSITIVO COMPRENDE TAMBIEN UN ABSORBEDOR DE LA PRIMERA SEÑAL DISPUESTO ENTRE EL LASER Y EL DETECTOR QUE FORMAN PARTE INTEGRANTE DE UN GUIAONDA OPTICO. EL LASER FUNCIONA PARA GENERAR LA PRIMERA SEÑAL EN FORMA DE UNA ONDA CONTINUA Y ESTA DISPUESTO ENTRE EL ABSORBEDOR Y UN MODULADOR SELECTIVO DE LA PRIMERA SEÑAL, DE MANERA QUE REDUZCA LOS PROBLEMAS DE DIAFONIAS OPTICA Y ELECTRICA ENTRE LAS FUNCIONES DE EMISION Y DE RECEPCION. APLICACION EN LOS EQUIPOS DE EMISION/RECEPCION SOBRE FIBRA OPTICA EN CASA DEL ABONADO.
PROCESO DE FABRICACION DE UN COMPONENTE SEMICONDUCTOR EN PARTICULAR DE UN LASER DE ARISTA ENTERRADA, Y COMPONENTE FABRICADO PARA ESTE PROCESO.
Sección de la CIP Electricidad
(16/09/1998). Solicitante/s: ALCATEL ALSTHOM COMPAGNIE GENERALE D'ELECTRICITE. Clasificación: H01L33/00, H01L21/20, H01S3/19.
CON ARREGLO A ESTE PROCESO UN REVESTIMIENTO SEMICONDUCTOR DOPADO DEBER SER DEPOSITADO SOBRE UNA SUPERFICIE PERTURBADA (S) DE UNA BASE SEMICONDUCTORA DOPADA POR UN DOPANTE DEL MISMO TIPO DE CONDUCTIVIDAD QUE EL REVESTIMIENTO. SEGUN LA INVENCION, ANTES DEL DEPOSITO DE UNA CAPA PRINCIPAL DE ESTE REVESTIMIENTO SE DEPOSITA UNA CAPA SOBREDOPADA QUE PRESENTA UNA CONCENTRACION DE DOPANTE SUPERIOR AL DOBLE DE LA CONCENTRACION MEDIA DEL REVESTIMIENTO. LA INVENCION SE APLICA EN PARTICULAR A LA FABRICACION DE UN LASER SEMICONDUCTOR PARA SISTEMA DE TELECOMUNICACION POR FIBRAS OPTICAS.
METODO DE ALINEAMIENTO DE UNA CINTA ENTERRADA Y DE UNA CINTA EXTERNA EN UN COMPONENTE OPTICO SEMICONDUCTOR.
Secciones de la CIP Física Electricidad
(16/09/1998). Solicitante/s: ALCATEL ALSTHOM COMPAGNIE GENERALE D'ELECTRICITE. Clasificación: G02B6/12, G02B6/42, H01S3/025, H01L25/16, H01L33/00.
SOBRE UNA CHAPITA SEMICONDUCTORA QUE COMPRENDE UNA CAPA DE INDICE DE REFRACCION ACRECENTADO ENTRE UNA CAPA DE CONFINAMIENTO INFERIOR Y A UNA CAPA DE CONFINAMIENTO SUPERIOR (CS), SE DEPOSITA UNA CAPA DIELECTRICA QUE SE GRABA PARA FORMAR UNA BANDA DE DELIMITACION QUE DELIMITA EN ALINEAMIENTO LA CINTA ENTERRADA (RL) Y LA CINTA (EXTERNA (RM) Y APTA PARA RESISTIR ATAQUES. UN PRIMER ATAQUE LIBERA LA CINTA EXTERNA Y UN CEBO DE CINTA ENTERRADA . UN SEGUNDO ATAQUE LIBERA EL CUERPO DE LA CINTA ENTERRADA TRAS LA PROTECCION DE LA CINTA EXTERNA. POR FIN UN DEPOSITO SELECTIVO REALIZA EL CONFINAMIENTO LATERAL DE LA CINTA ENTERRADA. LA INVENCION SE APLICA A LA REALIZACION DE CIRCUITOS FOTONICOS INTEGRADOS.
PROCESO DE REALIZACION DE UN LASER SEMICONDUCTOR PLANAR DE CINTA ENTERRADA.
Sección de la CIP Electricidad
(16/06/1995). Solicitante/s: ALCATEL N.V.. Clasificación: H01L33/00, H01S3/19.
TRAS UN GRABADO QUE DELIMITA UNA CINTA DE LASER (2A) EN RELIEVE SOBRE UN SUSTRATO , CAPAS LATERALES QUE DEBEN RODEAR ESTA CINTA ESTAN FORMADAS POR UN METODO DE CRECIMIENTO NO SELECTIVO QUE REALIZA UNA DEPOSICION NO SOLO AL LADO DE ESTA CINTA, SINO TAMBIEN POR ENCIMA DE ESTE CREANDO UN SALIENTE PARASITO (6A, 7A). ESTE SALIENTE SE RETIRA A CONTINUACION TRAS HABER SIDO SEPARADO DE ESTE SUSTRATO POR UN ATAQUE QUIMICO SELECTIVO DE UNA TIRA DE AYUDA AL RELEJE (4A) QUE HABIA SIDO DEPOSITADA PARA ESTE PROPOSITO POR ENCIMA DE ESTA CINTA ANTES DE ESTE GRABADO. SE HAN REALIZADO PASOS PARA EL MEDIO DE ATAQUE UTILIZADO PARA ESTO. LA INVENCION SE APLICA EN PARTICULAR A LA REALIZACION DE SISTEMAS DE TRANSMISION DE FIBRAS OPTICAS.
PROCESO Y CELULA DE EFUSION PARA LA FORMACION DE CHORROS MOLECULARES.
Sección de la CIP Química y metalurgia
(01/06/1995). Solicitante/s: ALCATEL ALSTHOM COMPAGNIE GENERALE D'ELECTRICITE. Clasificación: C30B23/06.
SE FORMAN UNA MOLECULAS PRIMARIAS POR SUBLIMACION EN UNA CAMARA DE SUBLIMACION Y DESPUES SE TRANSFIEREN CON UN CAUDAL DE TRANSFERENCIA EN UNA CABEZA DE CRAQUEO A TEMPERATURA SUPERIOR PARA SER TRANSFORMADAS EN MOLECULAS SECUNDARIAS MAS LIGERAS Y FORMAR CHORROS MOLECULARES . SEGUN LA INVENCION EL CAUDAL DE TRANSFERENCIA ES REGULADO POR UNA REGULACION POR CAUDAL VECTOR EFECTIVO QUE ES EL DE UN GAS VECTOR INTRODUCIDO EN LA CAMARA DE SUBLIMACION POR UN TUBO DE TRAIDA Y ASPIRADO POR UN TUBO DE ASPIRACION . LA INVENCION SE APLICA PARTICULARMENTE A LA REALIZACION DE COMPONENTES SEMICONDUCTORES DEL TIPO III-V POR EPITAXIA POR CHORROS MOLECULARES.
LASER SEMICONDUCTOR DE DOBLE CANAL Y SU PROCESO DE REALIZACION.
Sección de la CIP Electricidad
(01/09/1994). Solicitante/s: ALCATEL CIT. Clasificación: H01L33/00, H01S3/19.
LA CORRIENTE DE ALIMENTACION DE UN LASER DE FOSFURO DE INDIO O ARSENIURO DE GALIO ESTA CONFINADO EN UNA CINTA LASER (14A) POR DOS MEDIOS. UN MEDIO DE BLOQUEO DE CORRIENTE CERCANA Y CONSTITUIDO POR UNA UNION BLOQUEANTE (JB) FORMADA EN DOS CANALES LATERALES (CL) QUE DELIMITAN ESTA CINTA. UN MEDIO DE BLOQUEO DE CORRIENTE ALEJADA ESTA CONSTITUIDA POR UNA CAPA SEMIAISLANTE IMPURIFICADA CON HIERRO Y DEPOSITADA EPITAXIALMENTE ANTES DEL GRABADO DE LOS CANALES LATERALES. LA INVENCION SE APLICA PARTICULARMENTE EN LA REALIZACION DE LOS LASERES DE BOMBEO UTILIZADOS EN LOS AMPLIFICADORES OPTICOS DE LAS CONEXIONES DE FIBRAS OPTICAS.