12 inventos, patentes y modelos de DOMINGUEZ HORNA,CARLOS
SENSOR DE IONES BASADO EN MEDIDA DIFERENCIAL Y MÉTODO DE FABRICACIÓN.
Sección de la CIP Física
(20/08/2015). Ver ilustración. Solicitante/s: CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGACIONES CIENTIFICAS (CSIC). Clasificación: G01N27/414.
Sensor de iones basado en medida diferencial que comprende un par ISFET-REFET en que el REFET viene definido por una estructura compuesta de un ISFET cubierto por un microdepósito donde está contenida una solución interna de referencia. El sensor comprende un primer y un segundo transistor de efecto de campo selectivo a iones, un electrodo, un sustrato sobre cuya superficie se integran los dos transistores, unas pistas de conexión y el electrodo y una estructura adherida sobre el primer transistor de efecto de campo selectivo a iones que crea un microdepósito sobre la puerta de dicho primer transistor, teniendo el microdepósito un microcanal que conecta el microdepósito con el exterior y estando el microdepósito lleno de la solución de referencia.
Sensor de iones basado en medida diferencial, método de fabricación y método de medida.
(12/08/2015) Sensor de iones basado en medida diferencial, método de fabricación y método de medida.
Se describe un sensor de iones y su método de fabricación que comprende un primer y un segundo transistor de efecto de campo selectivo a iones, un electrodo, un sustrato sobre cuya superficie se integran los dos transistores, unas pistas de conexión y el electrodo y una estructura adherida sobre el primer transistor que crea un microdepósito, lleno de una solución de referencia, con un microcanal que conecta con el exterior, así como un método de medida, que permite alargar la vida útil de dicho sensor, y que mientras éste no está…
Interferómetro y sensor basados en una guía de onda óptica bimodal y procedimiento de detección.
(26/02/2014) Interferómetro de guía de onda óptica plana que comprende:
• un sustrato ;
• una guía de onda bimodal (10, 20, 20', 30, 40) que comprende al menos una capa depositada en dicho sustrato , estando dicha guía de onda bimodal (10, 20, 20', 30, 40) diseñada para soportar un modo de orden cero y un modo de orden primero de propagación transversal, teniendo dichos modos de propagación transversal diferente dispersión, en el que dicha guía de onda bimodal (10, 20, 20', 30, 40) comprende, además, un medio de confinamiento , diseñado para confinar la luz en dirección lateral, estando la guía de onda bimodal (10, 20,…
SENSOR DE DETERMINACIÓN DIRECTA DE LA PRESENCIA DE DETERGENTES EN UNA MUESTRA.
(29/05/2013) Sensor de determinación directa de la presencia de detergentes en una muestra.
La presente invención describe un nuevo sensor impedimétrico tridimensional en el que los electrodos interdigitados comprenden dígitos altamente conductivos que están separados por una barrera de un material aislante, útil para la determinación directa de la presencia de residuos de detergentes en agua en los procesos de lavado y ciclos de aclarado. El sensor cambia su impedancia cuando capta la presencia de moléculas de detergente en una muestra debido al cambio que sufre el campo eléctrico cuyas líneas de campo parten de un dígito hasta llegar al otro dígito…
SENSOR DE DETERMINACIÓN DIRECTA DE LA PRESENCIA DE DETERGENTES EN UNA MUESTRA.
Sección de la CIP Física
(31/01/2013). Ver ilustración. Solicitante/s: CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGACIONES CIENTIFICAS (CSIC). Clasificación: G01N27/02.
La presente invención describe un nuevo sensor impedimétrico tridimensional en el que los electrodos interdigitados comprenden dígitos altamente conductivos que están separados por una barrera de un material aislante, útil para la determinación directa de la presencia de residuos de detergentes en agua en los procesos de lavado y ciclos de aclarado. El sensor cambia su impedancia cuando capta la presencia de moléculas de detergente en una muestra debido al cambio que sufre el campo eléctrico cuyas líneas de campo parten de un dígito hasta llegar al otro dígito sobrepasando la barrera aislante.
Acoplador de red de difracción y sistema y procedimiento para la caracterización de un especimen mediante su acoplamiento lumínico a éste.
(15/10/2012) Acoplador de red de difracción, y sistema y procedimiento para la caracterización de un espécimen mediante su acoplamiento lumínico a éste.
Acoplador de red de difracción que comprende una guíaonda óptica con primera superficie y una segunda superficie opuesta a dicha primera superficie , donde dicha guíaonda óptica tiene una red de difracción en una de dichas superficies. Adicionalmente comprende una película de polímero blando depositada sobre y fijada a dicha guíaonda óptica , donde dicha película de polímero blando rodea parcialmente dicha guíaonda óptica y deja despejada una de dichas dos superficies de dicha guíaonda óptica , siendo así el acopiador de…
METODO PARA DEFINIR Y FABRICAR MOTIVOS SUPERFICIALES NANOMETRICOS QUIMICO REACTIVOS MEDIANTE LITOGRAFIA BLANDA EN FASE GASEOSA, MOTIVOS Y DISPOSITIVOS ASI OBTENIDOS Y SUS APLICACIONES.
(28/05/2010) Método para definir y fabricar motivos superficiales nanométricos químico reactivos mediante litografía blanda en fase gaseosa, motivos y dispositivos así obtenidos y sus aplicaciones.
El método propuesto en esta patente de invención permite definir y fabricar sobre obleas de silicio monocristalino u otro material semiconductor o superficie sólida, un motivo químico reactivo previamente proyectado o una serie de ellos, preferentemente una molécula de silano como el MPTMS y APTMS con un grupo tiol y amino funcional expuesto, respectivamente. Estos soportes funcionalizados a nivel nanométrico pueden ser utilizados para la fabricación de dispositivos microelectrónicos o biotecnológicos como, por ejemplo, un microarray o microchip de DNA o PNA
BIOSENSOR Y SUS APLICACIONES.
Secciones de la CIP Química y metalurgia Física
(20/10/2009). Ver ilustración. Solicitante/s: CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGACIONES CIENTIFICAS. Clasificación: C12Q1/00, G01R27/16, G01N27/02.
Biosensor y sus aplicaciones.#La presente invención se refiere a un biosensor útil para la determinación directa de la presencia de analitos de una muestra que comprende:#i) al menos un sustrato aislante o cubierto con al menos una capa aislante,#ii) al menos, un par de electrodos interdigitados ( y ) químicamente inertes y formados con un material altamente conductor eléctrico, dispuestos sobre el sustrato y separados, cada par de electrodos interdigitados, por#iii) una barrera de al menos un material aislante, cuya altura está comprendida entre el 50% y el 150% de la distancia que separa los centros de un par de electrodos interdigitados consecutivos, en el que se abren los puntos de soldadura (13 y 14), y#iv) moléculas receptoras químicamente inmovilizadas en la superficie de la barrera aislante o sobre la superficie de los electrodos interdigitados.
SENSOR QUIMICO INALAMBRICO BASADO EN LA CONEXION DE UN INDUCTOR CON UN CAPACITOR TIPO EIS O EMIS Y SUS APLICACIONES.
Secciones de la CIP Física Electricidad
(25/08/2009). Ver ilustración. Solicitante/s: CONSEJO SUPERIOR INVESTIG. CIENTIFICAS. Clasificación: G01N27/403, H01L21/02, H01G9/04, G01N27/413, H01G9/145.
Sensor químico inalámbrico basado en la conexión de un inductor con un capacitor tipo EIS ó EMIS y sus aplicaciones.#La presente patente describe un sensor químico inalámbrico basado en resonadores tipo LC formados por inductores conectados a capacitores tipo EIS (Electrolito-Aislante-Semiconductor) - sensibles al pH - y tipo EMIS (Electrolito-Membrana-Aislante-Semiconductor) - sensibles a otras especies químicas en disolución. La conexión eléctrica con la solución (y con la membrana) se realiza a través de dos electrodos, uno de referencia para obtener un potencial estable en DC y otro de baja impedancia para obtener un alto factor de calidad del resonador. Un inductor externo acoplado magnéticamente al inductor del resonador se utiliza para medir la frecuencia de resonancia a distancia. Las ventajas que presenta este sensor químico inalámbrico son su simplicidad, bajo coste, rapidez de respuesta y la no toxicidad de los materiales (no utiliza pilas).
COMPONENTES OPTICOS BASADOS EN FLUIDOS U OTROS MEDIOS ACTUABLES MEDIANTE CAMPOS ELECTROMAGNETICOS.
Sección de la CIP Física
(16/11/2007). Ver ilustración. Solicitante/s: CONSEJO SUPERIOR INVESTI.CIENTIFICAS. Clasificación: G02B26/08M4M, G02B6/35L, G02F1/295D, G02B26/08, G02B6/35, G02F1/295.
Componentes ópticos basados en fluidos u otros medios actuables mediante campos electromagnéticos.#La presente invención se basa en la utilización de fluidos u otros medios actuables mediante campos electromagnéticos y de técnicas de microfabricación para obtener dispositivos y circuitos integrados de aplicación en óptica integrada, microóptica, óptica cuasi-guiada y óptica no-guiada. Los nuevos dispositivos y circuitos integrados que se reivindican son equivalentes por su funcionalidad a los ya existentes, pero el uso de los fluidos u otros medios actuables mediante campos electromagnéticos les confiere una mayor robustez, flexibilidad y facilidad en su fabricación.
ACELEROMETRO OPTICO INTEGRADO.
Sección de la CIP Física
(16/03/2006). Ver ilustración. Solicitante/s: CONSEJO SUP. INVESTIG. CIENTIFICAS IKERLAN. Clasificación: G01P15/08.
Acelerómetro óptico integrado. La presente invención se basa en un acelerómetro óptico de silicio con guías de onda integradas en el mismo dado pero con la novedad de que las guías de onda sólo están definidas en las zonas rígidas del acelerómetro evitando así los efectos negativos a nivel de esfuerzos mecánicos que pueden hacer estas guías sobre las estructuras móviles. El dispositivo propuesto consta de una masa inercial de silicio sujeta por cuatro puentes y con una guía de onda centrada, de tal manera que se evitan las aceleraciones cruzadas. El principio de funcionamiento del acelerómetro se basa en el desalineaminento de guías de onda enfrentadas. Desde el punto de vista tecnológico se pueden utilizar obleas BESOI (Bond and Etch Back Silicon On Insulator) para facilitar la fabricación y permitir un mayor control sobre las estructuras y por tanto sobre las prestaciones de los dispositivos.
PROCEDIMIENTO DE FOTOENMASCARAMIENTO DE POLIIMIDAS FOTOSENSIBLES CON COMPUESTOS ORGANOMETALICOS PARA PROCESOS FOTOLITOGRAFICOS EN TECNOLOGIA DE SILICIO.
Secciones de la CIP Química y metalurgia Física Electricidad
(16/03/2001). Solicitante/s: CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGACIONES CIENTIFICAS. Clasificación: C08L79/08, G03F7/029, G03F7/038, C08K5/54, H01L21/312, C08K5/3417, G03F7/075, G03F7/037, G03F7/36.
Procedimiento de fotoenmascaramiento de poliimidas fotosensibles con compuestos organometálicos para procesos fotolitográficos en tecnología de silicio. Es un proceso fotolitográfico monocapa sobre topografías irregulares que se basa en la silanización superficial de los grupos metacrilato del ácido poliámico precursor de la poliimida fotosensible para que actúen como máscara ante el revelado por plasma en modo RIE, con oxígeno como gas reactivo. El proceso permite la obtención de motivos positivos o negativos, con respecto a la máscara, utilizando los mismos precursores fotosensibles ya que esto depende únicamente de la secuencia con que se realicen los pasos de exposición y silanización. Este proceso puede aplicarle a la fotodefinición de capas poliméricas de cualquier espesor. Aplicación en la encapsulación se sensores químicos, módulos multichip, tecnología microelectrónica, sectores electrónicos, óptica integrada.
