7 inventos, patentes y modelos de AHNE, HELLMUT, DR.
SISTEMA DEEP-UV-RESIST RESISTENTE A TRATAMIENTO QUIMICO.
Sección de la CIP Física
(16/09/1997). Solicitante/s: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT. Clasificación: G03F7/40.
SE PROPONE UN SISTEMA FOTORRESISTENTE FACILMENTE ESTRUCTURABLE, EN ESPECIAL PARA EL MARGEN UV PROFUNDO, EN EL QUE EN LAS ESTRUCTURAS FOTORRESISTENTES OBTENIDAS POR LITOGRAFIA SE GENERA, POR TRATAMIENTO CON UN REACTIVO, UNA MAYOR RESISTENCIA A UN PLASMA HALOGENADO. EL REACTIVO POSEE PREDOMINANTEMENTE UNA ESTRUCTURA AROMATICA Y POSEE GRUPOS REACTIVOS, QUE SE PRESTAN, INCLUSO EN CONDICIONES NORMALES, A LA REACCION QUIMICA CON OTROS GRUPOS REACTIVOS DEL SISTEMA FOTORRESISTENTE. ESTE POOSEE EN ESPECIAL GRUPOS ANHIDRIDO O EPOXIDO Y SE PRESTA PARA LA ESTRUCTURACION EN LUZ UV PROFUNDA.
PROCEDIMIENTO DE FOTOESTRUCTURACION.
Sección de la CIP Física
(16/09/1997). Solicitante/s: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT. Clasificación: G03F7/40.
SE PROPONE UN PROCEDIMIENTO SIMPLE PARA LA VARIACION DEL ANCHO DE ESTRUCTURAS FOTORESISTENTES MEDIANTE UN TRATAMIENTO DE TALES ESTRUCTURAS DEL TIPO NORMAL CON UN AGENTE QUE CONTIENE UNA COMPONENTE DE ENSANCHAMIENTO Y QUE SE COMBINA CON GRUPOS FUNCIONALES DE LA ESTRUCTURA FOTORESISTENTE. COMO CONSECUENCIA DE ESTA COMBINACION, CRECE EL VOLUMEN DE LA ESTRUCTURA. EL TRATAMIENTO DE ENSANCHAMIENTO SE REALIZA PREFERENTEMENTE CON UNA SOLUCION Y A TEMPERATURAS AMBIENTES, MANEJANDOSE LA AMPLITUD DEL CRECIMIENTO DE VOLUMEN MEDIANTE LA VARIACION DE VARIOS PARAMETROS DIFERENTES.
PROCEDIMIENTO DE FOTOESTRUCTURACION.
Sección de la CIP Física
(16/07/1997). Solicitante/s: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT. Clasificación: G03F7/40, G03F7/039.
UN PROCEDIMIENTO PARA ESTRUCTURACION EN EL CAMPO SUBMICRON ESTA CARACTERIZADO POR LOS SIGUIENTES PASOS: SE REUNE UNA CAPA FOTORESISTENTE DE UN COMPONENTE DE POLIMERO CON GRUPOS FUNCIONALES QUE ESTAN CAPACITADOS PARA UNA REACCION CON AMINAS PRIMARIAS O SECUNDARIAS Y GRUPOS IMIDOS QUE BLOQUEAN EL NITROGENO, DE UN FOTOINICIADOR LIBERADO POR LA EXPOSICION DE UN ACIDO Y DE UN DISOLVENTE APROPIADO; ENTE SE SECA; LA CAPA FOTORESISTENTE EXPUESTA SE SOMETE A UN TRATAMIENTO DE TEMPERATURA ; ESTRUCTURA FOTORESISTENTE; RATA CON UN AGENTE QUIMICO QUE CONTENGA UN AMINO PRIMARIO O SECUNDARIO; EN EL REVELADO SE GRADUA UN NIVEL DE OSCURIDAD DEFINITIVO EN UN CAMPO ENTRE 20 Y 100 NM.
SISTEMA RESISTENTE REVELABLE EN SECO.
Sección de la CIP Física
(01/01/1997). Solicitante/s: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT. Clasificación: G03F7/38.
SE PROPONE UN SISTEMA RESISTENTE ESTRUCTURABLE PARA UN PROCEDIMIENTO DE REVELADO EN SECO EN EL QUE UNA CAPA FOTOSENSIBLE GENERA UN IMAGEN LATENTE, QUE SE REFUERZA CON UN TRATAMIENTO, POR EJEMPLO, CON UN COMPUESTO ORGANICO DE SILICIO, AL MISMO TIEMPO QUE SE INCREMENTA SU RESISTENCIA A UN PLASMA DE OXIGENO. LA CAPA FOTOSENSIBLE POSEE CON PREFERENCIA GRUPOS ANHIDRIDO O EPOXIDO, QUE SE PRESTEN PARA REACCIONAR CON LOS GRUPOS FUNCIONALES DE LOS COMPUESTOS ORGANICOS DE SILICIO. EL TRATAMIENTO SE PUEDE REALIZAR CON UNA SOLUCION O EMULSION EN APARATOS SENCILLOS O EN FASE GASEOSA.
Sección de la CIP Física
(16/10/1996). Solicitante/s: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT. Clasificación: G03F7/075, G03F7/039.
UNA FOTORESISTA PARA LA GENERACION DE UNA ESTRUCTURA EN EL CAMPO DE LOS SUBMICRONES CONTIENE LOS SIGUIENTES COMPONENTES: RGANICO Y GRUPOS DE ACIDO ORGANICO TERCIARIO-BUTILESTER , FOTOINICIADOR QUE LIBERA UN ACIDO DURANTE LA EXPOSICION, Y.
GENERACION DE UNA ESTRUCTURA FOTOLITOGRAFICA.
Sección de la CIP Física
(16/10/1996). Solicitante/s: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT. Clasificación: G03F7/38.
UN PROCEDIMIENTO PARA LA GENERACION DE UNA ESTRUCTURA FOTOLITOGRAFICA EN EL CAMPO SUBMICRON ESTA CARACTERIZADO POR LOS SIGUIENTES PASOS: TENTE DE UN POLIMERO QUE CONTIENE UN GRUPOBUTILESTER DE UN ANHIDRIDO DE ACIDO CARBONICO Y UN ACIDO CARBONICO TERCIARIO, DE UN FOTOINICIADOR LIBERADO POR LA EXPOSICION DE UN ACIDO Y DE UN DISOLVENTE APROPIADO; APA FOTORESISTENTE SE EXPONE EN CUADROS; EXPUESTA SE EXPONE A UN TRATAMIENTO DE TEMPERATURA; FOTORESISTENTE ASI TRATADA SE SOMETE A UNA SILILIZACION DE LIQUIDO; UN PLASMA DE OXIGENO ANISOTROPO; EL TRATAMIENTO DE TEMPERATURA SE LLEVARA A CABO DE TAL MANERA QUE LA FOTORESISTENCIA SE VUELVE HIDROFILA EN LAS ZONAS EXPUESTAS.
Sección de la CIP Química y metalurgia
(01/11/1995). Solicitante/s: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT. Clasificación: C08F220/18, C08F222/06.
NUEVOS COPOLIMEROS QUE PUEDEN SERVIR COMO POLIMEROS BASE PARA UNA RESISTENCIA ALTAMENTE SOLUBLE Y QUE SE CONSTITUYEN POR 40 HASTA 99% DE LOS MOLES DE UN ESTER DE BUTILO TERCIARIO DE UN ACIDO CARBONICO NO SATURADO Y 1 HASTA 60% DE LOS MOLES DE UN ANHIDRIDO DE UN ACIDO CARBONICO NO SATURADO.