167 patentes, modelos y diseños de WESTERN ELECTRIC COMPANY, INC.

Sección de la CIP Electricidad

(16/03/1986). Clasificación: H04L11/20.

RED DE CONMUTACION CON REENCAMINAMIENTO AUTOMATICO PARA USO EN COMUNICACIONES. COMPRENDE UNA PLURALIDAD DE PUERTAS DE SALIDA CUYA RED DE CONMUTACION RESPONDE A SEÑALES DE ENTRADA ALIMENTADAS SIMULTANEAMENTE Y CADA UNA DE LAS SEÑALES DE ENTRADA COMPRENDE: UNA RED CLASIFICADORA QUE RESPONDE A LAS SEÑALES DE ENTRADA ALIMENTADAS, PARA CLASIFICAR LAS SEÑALES DE ENTRADA ALIMENTADAS EN ORDEN ASCENDENTE, Y MEDIOS QUE RESPONDEN AL CONJUNTO DE SEÑALES CLASIFICADAS, PARA REENCAMINAR CADA SEÑAL DEL CONJUNTO DE SEÑALES CLASIFICADAS A LA PUERTA PARTICULAR DE LAS PUERTAS DE SALIDA, COMPRENDIENDO DICHOS MEDIOS: UNA RED DE CAPTURA QUE COMPRENDE UN CONCENTRADOR , QUE RESPONDE AL CONJUNTO CLASIFICADO PARA DETECTAR APARICIONES, UNA RED EXPANSORA , Y UN BLOQUE DE CONTROL.

Sección de la CIP Electricidad

(01/03/1986). Clasificación: H04L11/20.

RED DE CONMUTACION CON REENCAMINAMIENTO AUTOMATICO DE BANDA ANCHA SIN BLOQUEO, PARA CONECTAR UNA PLURALIDAD DE LINEAS DE SEÑALES DE ENTRADA A UNA PLURALIDAD DE LINEAS DE SEÑALES DE SALIDA, TRANSPORTANDO SEÑALES CADA UNA DE LAS LINEAS DE ENTRADA Y TENIENDO CADA UNA DE LAS SEÑALES UNA DIRECCION DE DESTINO QUE ACOMPAÑA A SUS DATOS. CONSTA DE UN DEMULTIPLEXOR CONECTADO A UNA DE LAS LINEAS DE ENTRADA Y QUE DESMULTIPLEXA LAS SEÑALES MULTIPLEXADAS EN TIEMPO PARA FORMAR UNA PLURALIDAD ALTERABLE DE CANALES DE SEÑALES; DE UN CONMUTADOR DE DIVISION DE ESPACIO SIN BLOQUEO QUE TIENE PUERTAS DE CONMUTACION DE ENTRADA Y DE SALIDA Y QUE RESPONDE A LOS CANALES DE SEÑALES DE LOS DEMULTIPLEXORES ALIMENTADAS A LAS PUERTAS DE ENTRADA DE CONMUTACION; Y DE UNA PLURALIDAD DE MULTIPLEXORES, CADA UNO DE LOS CUALES MULTIPLEXA LAS SEÑALES DE UN NUMERO ELEGIDO DE PUERTAS DE SALIDA DEL CONMUTADOR.

Sección de la CIP Electricidad

(01/08/1985). Clasificación: H04L11/20.

RED DE MANDO.COMPRENDE: UNOS PRIMEROS ELEMENTOS, QUE CONSTA DE UNA RED SUMADORA QUE DESARROLLAN UNA PLURALIDAD DE SEN/ALES DE CONTROL, PARA CALENTAR LA DIRECCION DE LAS SEN/ALES EN LAS PUERTAS DE SEN/ALES ACTIVAS; Y UNOS SEGUNDOS INSTRUMENTOS QUE INCLUYEN UNA RED DE REENCAMINAMIENTO, CONECTADOS A LAS PUERTAS DE ENTRADA Y QUE RESPONDEN A LOS PRIMEROS ELEMENTOS, PARA DIRIGIR LAS SEN/ALES EN LAS PUERTAS DE SEN/ALES ACTIVAS A PUERTAS ADYACENTES DE LAS PUERTAS DE SALIDA.

Sección de la CIP Electricidad

(01/08/1985). Clasificación: H04M3/56.

PROCEDIMIENTO PARA DAR SERVICIO A LLAMADAS DE CONFERENCIA EN UN SISTEMA DE CONMUTACION DE PCM QUE TIENE CIRCUITOS DE ACCESO, ESTACIONES CORRESPONDIENTES Y UN INTERCAMBIADOR DE SEGMENTOS DE TIEMPO, PARA INTERCAMBIAR DE UNA FORMA CONTROLADA LAS SEN/ALES DIGITALES DE LLAMADA ENTRE LOS CIRCUITOS DE ACCESO.COMPRENDE LAS SIGUIENTES ETAPAS: PRIMERA, SE ASIGNA UNA POSICION UNICA DE LAS POSICIONES DIRECCIONABLES A UNA LLAMADA DE CONFERENCIA; SEGUNDA, SE ALIMENTA EN SECUENCIA SEN/ALES DIGITALES DE LLAMADAS AL PROCESADOR DESDE CADA UNO DE LOS CIRCUITOS DE ACCESO DE CONFERENCIANTE; TERCERA, SE HACE FUNCIONAR EN COOPERACION EL PROCESADOR Y LA MEMORIA ACUMULADORA, PARA FORMAR UNA SEN/AL DE SUMA Y ALMACENARLA EN LA POSICION ASIGNADA; CUARTA, SE FORMA UNA SEN/AL DE DIFERENCIA UNICA POR CADA CIRCUITO DE ACCESO DE CONFERENCIANTE; Y POR ULTIMO, SE ALIMENTAN LAS SEN/ALES DE DIFERENCIA A LOS CIRCUITOS DE ACCESO DE CONFERENCIANTES.

Sección de la CIP Física

(16/12/1984). Clasificación: G09G1/00.

SISTEMA DE PANTALLA TERMINAL DE ORDENADOR.CONSTA DE UNA PANTALLA QUE REPRESENTA TRES CAPAS DE SUPERPOSICION (A, B, C) SEGUN APARECEN REALMENTE EN UNA PANTALLA DE UN TUBO DE RAYOS CATODICOS (CTR); DE MEDIOS PARA HACER APARECER EN PANTALLA SIMULTANEAMENTE LA SUPERPOSICION DE LAS TRES CAPAS GRAFICAS RECTANGULARES; DE MEDIOS PARA ALMACENAR UN MAPA DE BITIOS COMPLETO POR CADA UNA DE LAS CAPAS GRAFICAS; Y DE MEDIOS PARA ACTUALIZAR DE UNA FORMA CONTINUA CADA UNO DE LOS MAPAS DE BITIOS.

Sección de la CIP Electricidad

(16/12/1984). Clasificación: H03G5/00.

FILTRO ACTIVO SINTONIZABLE QUE SE PUEDE INTEGRAR EN SU MAYOR PARTE O POR ENTERO EN UNA PASTILLA UNICA SEMICONDUCTORA.CONSTA DE UN AMPLIFICADOR EQUILIBRADO; DE UN PAR DE CAMINOS DE ENTRADA QUE ESTAN COMUNICADOS CON UNA ENTRADA INVERSORA Y UNA ENTRADA NO INVERSORA, RESPECTIVAMENTE; Y DE UN PAR DE CAMINOS DE REALIMENTACION QUE SE COMUNICAN ENTRE UNA SALIDA NO INVERTIDA Y LA ENTRADA INVERSORA, RESPECTIVAMENTE.

Sección de la CIP Electricidad

(16/12/1984). Clasificación: H04L12/56.

CONCENTRADOR DE COMUNICACIONES CON PRIORIDADES.COMPRENDE: MEDIOS DE CLASIFICACION DE PAQUETES DE SEN/ALES DOTADOS DE PRIORIDADES, Y QUE CONECTEN A LOS PAQUETES DE PRIORIDAD SUPERIOR A PUERTAS DE SALIDA DE ORDEN MAYOR, DISPONIENDO ESTOS MEDIOS DE UN CIERTO NUMERO DE SUS PUERTAS DE ENTRADA Y DE SALIDA CONECTADAS A LAS DEL CONCENTRADOR; Y MEDIOS DE RETARDO , CUYOS TERMINALES DE ENTRADA Y DE SALIDA ESTAN CONECTADOS, RESPECTIVAMENTE, A LAS RESTANTES PUERTAS DE SALIDA Y DE ENTRADA DE LOS MEDIOS DE CLASIFICACION.

Sección de la CIP Electricidad

(01/11/1984). Clasificación: H04M3/56.

INTERCAMBIADOR DE SEGMENTOS DE TIEMPO EN UN SISTEMA DE PCM QBE COMPRENDE CIRCUITOS DE PUERTA DE ACCESO Y ESTACIONES PARA SERVICIO DE LLAMADAS, INTERCAMBIANDO DE FORMA CONTROLADA SEN/ALES DIGITALES DE LLAMADA ENTRE LOS CIRCUITOS DE PUERTA DE ACCESO.CONSTA DE UN PROCESADOR QUE INCLUYE UNA MEMORIA ACUMULADORA QUE TIENE UNA PLURALIDAD DE POSICIONES DIRECCIONABLES; DE UNA CIRCUITERIA DE PROGRAMA QUE RESPONDE AL SERVICIO DE UNA LLAMADA DE CONFERENCIA; DE UNA CIRCUITERIA LOGICA QUE RESPONDE A LA RECEPCION DE LAS SEN/ALES DIGITALES DE LLAMADA; Y DE UNA MEMORIA DE SALIDA.

Sección de la CIP Electricidad

(01/11/1984). Clasificación: H04M3/24.

SISTEMA DE CONMUTACION PARA ESTABLECER CONEXIONES POR DIVISION DE TIEMPO ENTRE UNA SERIE DE CIRCUITOS DE ACCESO.CONSTA DE UN GRUPO DE DISPOSITIVOS TERMINALES (22-1 A 22-8), CADA UNO DE LOS CUALES ESTA ASOCIADO A UN CIRCUITO DE ACCESO (21-1 A 21-8) Y COBECTADO A UN TELEFONO O A UN EQUIPO TERMINAL DIGITAL; Y DE UNA RED DE CONMUTACION QUE INCLUYE UN INTERCAMBIADOR DE SEGMENTOS DE TIEMPO, QUE OPERA BAJO EL CONTROL DE UN PROCESADOR DE CONTROL DE CONMUTACION, EL CUAL CONTROLA EL ESTABLECIMIENTO DE LAS CONEXIONES ENTRE LAS SERIES DE CIRCUITOS DE ACCESO.

Sección de la CIP Física

(01/11/1984). Clasificación: G03F7/00.

PERFECCIONAMIENTOS EN PLACAS DE CIRCUITOS IMPRESOS.CONSISTENTES EN QUE LA VIA CONDUCTIVA Y EL MATERIAL AISLANTE SE FORMAN SOMETIDNEO UN MATERIAL SENSIBLE A LA ENERGIA A RADIACION ELECTROMAGNETICA, REVELANDO EL MATERIAL SENSIBLE A LA ENERGIA PARA FORMAR LA VIA Y PARA PRODUCIR EL MATERIAL AISLANTE, DONDE EL MATERIAL SENSIBLE A LA ENERGIA COMPRENDE UN CAUCHO ACRILATADO, O UNA RESINA EPOXI MODIFICADA CON CAUCHO ACRILATADO, UNA RESINA EPOXI ACRILATADA QUE TIENE UNA TEMPERATURA DE TRANSICION CRISTALINA DE 50JC Y UN MODIFICADOR DE LA VISCOSIDAD TAL COMO UN MONOMERO, CAPAZ DE REACCIONAR CON EL CAUCHO ACRILATADO BAJO LA INFLUENCIA DE LA RADIACION ELECTROMAGNETICA Y UN MODIFICADOR DE LA VISCOSIDAD.

Sección de la CIP Física

(01/10/1984). Clasificación: G11C8/00.

MEMORIA QUE EMPLEA LINEAS DE DIRECCIONES EN FILAS Y COLUMNAS MULTIPLEXADAS, EN PARTICULAR, FORMADOR DE MEMORIA EN FILAS Y COLUMNAS DE CELULAS DE MEMORIA CON DECODIFICADORES DE FILAS ACOPLADAS A LAS FILAS Y DECODIFICADORES DE COLUMNAS ACOPLADOS A LAS COLUMNAS.CONSTA DE CUATRO CUADRANTES FORMADORES DE MEMORIA ; DE UNA MEMORIA INTERMEDIA O SEPARADOR DE DIRECCIONES ; DE UN DECODIFICADOR DE COLUMNAS EN DOS PARTES ; DE UN DECODIFICADOR DE FILAS EN DOS PARTES ; Y DE UN MULTIPLEXOR.

Sección de la CIP Electricidad

(01/10/1984). Clasificación: H01L21/56.

METODO PARA ENCAPSULAR CIRCUITOS ELECTRONICOS, EN PARTICULAR PARA LA ENCAPSULACION SELECTIVA EMPLEANDO UNA FORMULACION DE RESINA APROPIADA.COMPRENDE LAS SIGUIENTES OPERACIONES: PRIMERA, SE ELIGE SELECTIVAMENTE LA ZONA DEL CIRCUITO ELECTRONICO A ENCAPSULAR Y SE LA PREPARA ADECUADAMENTE; SEGUNDA, SE PREPARA UNA COMPOSICION ENCAPSULANTE FORMADA A BASE DE RESINA DE SILICONA QUE COMPRENDE UNA CARGA Y UN AGENTE DE RETICULACION; Y POR ULTIMO, SE APLICA EL ENCAPSULANTE A LA ZONA ELEGIDA DEL CIRCUITO ELECTRONICO.

Sección de la CIP Física

(16/09/1984). Clasificación: G06F13/24.

PROCEDIMIENTO PARA CONTROLAR INTERRUPTORES ENTRE PROCESADORES DE UN SISTEMA DE PROCESADORES MULTIPLES, DONDE LA INFORMACION SE COMUNICA ENTRE PROCESADORES POR UN MEDIO DE COMUNICACION.COMPRENDE LAS SIGUIENTES ETAPAS: PRIMERA, SE COMUNICA DESDE UN PROCESADOR TRANSMISOR A UN PROCESADOR FUENTE, POR EL MEDIO DE COMUNICACION, UN VECTOR DE INTERRUPCION DEL PROCESADOR TRANSMISOR; SEGUNDA, SE ALMACENA EL VECTOR DE INTERRUPCION EN UNA MEMORIA DE PRIORIDAD DE SALIDA SEGUN EL ORDEN DE ENTRADA EN EL PROCESADOR FUENTE; Y POR ULTIMO, SE PROPORCIONA EN SECUENCIA AL PROCESADOR FUENTE UNA SEÑAL DE INTERRUPCION PORCADA VECTOR DE INTERRUPCION PUESTO EN FILA DE ESPERA.

Sección de la CIP Física

(16/09/1984). Clasificación: G06F9/44.

APARATO PARA INTRODUCIR CAMBIOS DE PROGRAMAS EN SISTEMAS CONTROLADOS POR PROGRAMAS.CONSTA DE MEDIOS PARA ALMACENAR UN NUMERO DE SECUENCIA DEL SISTEMA QUE CAMBIA SOLAMENTE EN UNA DIRECCION DADA; DE MEDIOS PARA ALMACENAR EL NUMERO DE SECUENCIA DEL SISTEMA COMO UN NUMERO DE SECUENCIA DEL PROCESO EN EL MOMENTO EN QUE SE INICIA EL PROCESO; DE MEDIOS PARA ALMACENAR UNA VERSION MODIFICADA DE UNA DE LAS FUNCIONES DEL PROGRAMA, ELEGIDA EN LA MEMORIA DEL PROGRAMA MIENTRAS SE CONSERVA UNA VERSION ACTUAL DE LA FUNCION DEL PROGRAMA ELEGIDA EN LA MEMORIA; Y DEDIVERSOS MEDIOS PARA LA COORDINACION DE LOS SISTEMAS.

Sección de la CIP Electricidad

(01/09/1984). Clasificación: H04L12/28.

SISTEMA DE COMUNICACION POR DOBLE BUS PARA LA TRANSMISION DE DIFERENTES TIPOS DE DATOS.COMPRENDE UN BUS DE DIVISION DE TIEMPO (TDM 101) DISPUESTO PARA INTERCONECTAR UNA PLURALIDAD DE CIRCUITOS DE COMUNICACIONES PARA INTERCOMUNICACION ENTRE LOS CIRCUITOS EN SEGMENTOS DE TIEMPO ESTABLECIDOS EN EL BUS DE DIVISION DE TIEMPO; UN BUS CONMUTADO POR PAQUETES DISPUESTO PARA INTERCOMUNICACION EN UNA TRANSMISION POR RAFAGAS ENTRE LA PLURALIDAD DE CIRCUITOS DE COMUNICACION; DISPOSITIVOS PARA PERMITIR A ALGUNOS DE LOS CIRCUITOS EL ACCESO DIRECTO AL BUS DE DIVISIONDE TIEMPO , A ALGUNOS DE LOS CIRCUITOS EL ACCESO DIRECTO AL BUS CONMUTADO POR PAQUETES , Y ALGUNOS DE LOS CIRCUITOS AL ACCESO DIRECTO SIMULTANEAMENTE A AMBOS BUSES; Y UN BUS DE RELOJ.

Sección de la CIP Química y metalurgia

(16/08/1984). Clasificación: C11D1/66.

PROCEDIMIENTO PARA LA OBTENCION DE COMPOSICIONES DE LIMPIEZA DETERGENTES.CONSISTE EN PONER EN CONTACTO A TEMPERATURA AMBIENTE Y BAJO UN PH LIGERAMENTE ALCALINO UN AGENTE GELIFICANTE, 20-90 PARTES EN PESO DE UNA COMBINACION DE ALCOHOLES FURFURILICO Y TETRAHIDROFURFURILICO EN RELACION 2:1, CON 5-15 PARTES EN PESO DE UN ACEITE ENMASCARANTE DE OLORES Y CON PROPIEDADES DESENGRASANTES Y EN PRESENCIA DE 5-15 PARTES EN PESO DE UN SURFACTANTE TAL COMO ETOXILATO ALCOHOLICO PRIMARIO Y 5-8 PARTES DE UN EMULSIONANTE TAL COMO UN SURFACTANTE ANIONICO O AMONICO.

Sección de la CIP Electricidad

(01/08/1984). Clasificación: H04M19/02.

PERFECCIONAMIENTOS EN CIRCUITOS DE DETECCION DE SEÑAL.COMPRENDE ELEMENTOS DE RESISTENCIA PARA DESARROLLAR UN VOLTAJE QUE DEPENDE DEL COMPONENTE DE CORRIENTE CONTINUA Y LA SEÑAL DE CORRIENTE ALTERNA, E INCLUYEN ELEMENTOS PARA DERIVAR DIRECTAMENTE EL VOLTAJE A TRAVES DE LOS ELEMENTOS DE RESISTENCIA UNA PRIMERA (I1) Y UNA SEGUNDA (I2) CORRIENTE RELATIVAMENTE BAJAS Y PARA ALIMENTAR LAS CORRIENTES A UN PRIMER Y UN SEGUNDO NODOS DE BAJA IMPEDANCIA, RESPECTIVAMENTE, CUYOS NODOS SE MANTIENEN CASI A POTENCIAL DE TIERRA; ELEMENTOSPARA FORMAR UNA SEÑAL DE DIFERENCIA (IDIFF) A PARTIR DE LA PRIMERA (I1) Y LA SEGUNDA (I2) CORRIENTES.

Sección de la CIP Química y metalurgia

(01/07/1984). Clasificación: C25F3/12.

PROCEDIMIENTO PARA FABRICAR UN DISPOSITIVO OPTICO.CONSISTE EN MORDENTAR UNA PARTE DEL SEMICONDUCTOR COMPUESTO ELEGIDO ENTRE HAP, GAAS, ALAS, ALP Y OTROS PARA PRODUCIR UNA SUPERFICIE DE CALIDAD OPTICA, LLEVADO A CABO MEDIANTE UN FOTOMORDENTADO ELECTROQUIMICO EN EL CUAL SE PASA CORRIENTE ELECTRICA A TRAVES DEL SEMICONDUCTOR COMPUESTO, SOLUCION ELECTROLITICA CON UNA CONDUCTIVIDAD SUPERIOR A 0,0001 MHOS/CM Y UN CATODO. LA SOLUCION ELECTROLITICA ESTA COMPUESTA POR ACIDO FLUORHIDRICO ACUOSO EN CONCENTRACION ENTRE 0,01 A 5 MOLAR REALIZANDOSE EL FOTOMORDENTADO ELECTROQUIMICO POR APLICACIONDE UN POTENCIAL AL COMPUESTO SEMICONDUCTOR EN LA SOLUCION ELECTROLITICA Y EL POTENCIAL MINIMO DE LA BANDA DE CONDUCCION DEL SEMICONDUCTOR EN LA SOLUCION ELECTROLITICA. POSTERIORMENTE SE ILUMINA LA PARTE DE LA SUPERFICIE DEL SEMICONDUCTOR COMPUESTO A MORDENTAR CON RADIACION DE SUFICIENTE ENERGIA PARA PRODUCIR HUECOS EN LA BANDA DE VALENCIA.

Sección de la CIP Electricidad

(16/06/1984). Clasificación: H01L21/304.

PROCEDIMIENTO PARA LA PRODUCCION DE UN LASER SEMICONDUCTOR. CONSISTE EN LA ROTURA DE UNA LAMINA SEMICONDUCTORA QUE COMPRENDE SEMICONDUCTORES DE TIPO N, DE MODO QUE PARTE DE LA SUPERFICIE ROTA SE ENCUENTRE EN UN AREA ACTIVA DEL LASER SEMICONDUCTOR. LA ROTURA DE LA LAMINA SE EFECTUA PROCEDIENDO PRIMERAMENTE A UN MORDENTADO DE RANURAS ESTRECHAS O CANALES EN FORMA DE V, PREFERIBLEMENTE PROFUNDOS, SOBRE LA PARTE POSTERIOR DE DICHA LAMINA LASER MEDIANTE UN METODO DE FOTOMORDENTADO ELECTROQUIMICO, Y POSTERIORMENTE SE SOMETE DICHA LAMINA A TENSION PARA CONSEGUIR LA ROTURA DEFINITIVA DEL CRISTAL.

Sección de la CIP Física

(01/05/1984). Clasificación: G01B11/06.

PROCEDIMIENTO DE DETECCION DEL PUNTO FINAL DE UN PROCESO DE MORDENTADO EN FABRICACION POR TECNICAS FOTOLITOGRAFICAS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS MICROMINIATURIZADOS.COMPREND E LAS SIGUIENTES ETAPAS: SEPARAR PROGRESIVAMENTE UNA PORCION DE PELICULA FINA DE UN PRIMER MATERIAL DISPUESTO SOBRE UN CUERPO SOPORTE; DETERMINAR LA SEPARACION DE DICHO MATERIAL DIRIGIENDO UN RAYO DE ENERGIA ONDULATORIA SOBRE EL MISMO; Y MEDIR UN CAMBIO EN EL RAYO REFLEJADO. EL RAYO CUBRE UN AREA SUFICIENTEMENTE GRANDE PARA INCIDIR SIMULTANEAMENTE SOBRE UNA PELICULA FINA DE UN SEGUNDO MATERIAL QUE NO ES SEPARADO, O QUE ESSEPARADO PROGRESIVAMENTE A UNA VELOCIDAD MUCHO MAS LENTA QUE LA VELOCIDAD DE SEPARACION DEL PRIMER MATERIAL.

Sección de la CIP Física

(16/04/1984). Clasificación: G03F7/00.

PROCEDIMIENTO PARA LA FABRICACION DE PLACAS DE CIRCUITOS IMPRESOS.COMPRENDE LAS SIGUIENTES ETAPAS: PRIMERA, SE CUBRE UN PRIMER MODELO O ESQUEMA DE UN CONDUCTOR ELECTRICO CON UN MATERIAL ELECTRICAMENTE AISLANTE, HABILITANDOSE UNA VIA ELECTRICAMENTE CONDUCTIVA A TRAVES DE DICHO AISLANTE; SEGUNDA, SE FORMA UN SEGUNDO ESQUEMA DE UN CONDUCTOR ELECTRICO; Y POR ULTIMO, SE COLOCAN EL PRIMER Y EL SEGUNDO ESQUEMAS DE FORMA QUE ESTEN SEPARADOS POR EL MATERIAL AISLANTE PERO CONECTADOS ELECTRICAMENTE A TRAVES DE LA VIA CONDUCTORA. EL MATERIAL AISLANTE Y DICHA VIA CONDUCTORA SE PRODUCENFORMANDO UNA CAPA DE MATERIAL SENSIBLE A LA ENERGIA Y SOMETIENDOLA A UNA RADIACION ELECTROMAGNETICA.

Sección de la CIP Física

(16/04/1984). Clasificación: G02F1/13.

CELULA DE CRISTAL LIQUIDA PARA APARATOS VISUALIZADORAS.CONSTA DE UN PRIMER Y SEGUNDO SUSTRATO, UN MATERIAL DE CRISTAL LIQUIDO EN LA FASE NEUMATICA CON DIRECTORES ORIENTACIONABLES, MEDIOS DE ESCRITURA SENSIBLES A UNA PRIMERA SEÑAL ELECTRICA QUE GENERA UN CAMPO ELECTRICO Y ALINEA DICHOS DIRECTORES, Y MEDIOS DE BORRADO SENSIBLES A UNA SEGUNDA SEÑAL ELECTRICA.

Sección de la CIP Física

(16/04/1984). Clasificación: G06F9/46.

SISTEMA PARA CONTROLAR EL ACCESO A RECURSOS COMPARTIDOS CON SISTEMAS CONTROLADOS POR PROGRAMAS.COMPRENDE: UNA PLURALIDAD DE DISPOSITIVOS ADAPTADOS PARA TENER ACCESO A RECURSOS COMUNES; POR LO MENOS UN RECURSO COMUN; MEDIOS ASOCIADOS CON CADA DISPOSITIVO PARA SOLICITAR ACCESOS AL RECURSO Y PARA ESPERAR UNA RESPUESTA A LA SOLICITUD; Y APARATOS ASOCIADOS CON EL RECURSO, Y QUE COMPRENDEN; APARATOS PARA DETERMINAR SI EL RECURSO PUEDE OFRECER ACCESO EN ESE MOMENTO A UN DISPOSITIVO QUE LO SOLICITE, UN APARATO PARA SELECCIONAR UN DISPOSITIVO DE ENTRE UNA PLURALIDADDE DISPOSITIVOS SOLICITANTES, Y MEDIOS PARA RESPONDER A LA SOLICITUD DE ESTE DISPOSITIVO EN CASO AFIRMAT.

Sección de la CIP Electricidad

(03/04/1984). Clasificación: H04M1/31.

3 CIRCUITO PULSATORIO DE CUADRANTE PARA TELEFONO.COMPRENDE: UN TRANSISTOR PULSATORIO ; MEDIOS PARA CONECTARLO EN SERIE CON LA LINEA TELEFONICA ; MEDIOS PARA CONECTAR Y DESCONECTAR EL TRANSISTOR PULSATORIO EN RESPUESTA AL TREN DE PULSOS; UNA FUENTE DE CORRIENTE AJUSTABLE CONECTADA AL TRANSISTOR PULSATORIO PARA ACTIVARLO PONIENDOLO EN CONDUCCION; Y MEDIOS PARA AJUSTAR LA FUENTE DE CORRIENTE EN RESPUESTA A LA MAGNITUD DE LA CORRIENTE DE LA LINEA TELEFONICA.

Sección de la CIP Electricidad

(03/04/1984). Clasificación: H01L21/265.

3 PROCEDIMIENTO PARA LA FABRICACION DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES EN CIRCUITOS INTEGRADOS.COMPRENDE LAS ETAPAS SIGUIENTES: REALIZAR, EN UN CUERPO DE SILICIO, UNA PRIMERA REGION DE CONDUCTIVIDAD DE TIPO P Y UNA SEGUNDA REGION DE CONDUCTIVIDAD DE TIPO N; FORMAR, DENTRO DE LA PRIMERA REGION, UNA TERCERA REGION DE CONDUCTIVIDAD DE TIPO P CON MAYOR CONCENTRACION; Y FORMAR, DENTRO DE LA SEGUNDA REGION, UNA CUARTA REGION DE CONDUCTIVIDAD DE TIPO N. AMBAS REGIONES TERCERA Y CUARTA TIENEN UNA CONCENTRACION RESPECTIVA MAYOR QUE LAS PRIMERA Y SEGUNDA. LAS PORCIONESSUPERFICIALES DEL CUERPO DE SILICIO EN DONDE HAN DE FORMARSE LAS REGIONES TERCERA Y CUARTA, SON TRATADAS SELECTIVAMENTE CON IONES BORO, Y LAS PORCIONES DEL MISMO CORRESPONDIENTES A LA REGION CUARTA, CON IONES FOSFORO O ARSENICO. EL CUERPO DE SILICIO SE ENMASCARA SELECTIVAMENTE Y SE CALIENTA PARA OXIDAR SELECTIVAMENTE LAS REGIONES TERCERA Y CUARTA.

Sección de la CIP Electricidad

(03/04/1984). Clasificación: H01L21/316.

3 ESTRUCTURA SEMICONDUCTORA DE CIRCUITO INTEGRADO.EL AISLAMIENTO ENTRE LAS METALIZACIONES DE PRIMER Y SEGUNDO NIVELES COMPRENDE UNA CAPA DE DIOXIDO DE SILICIO RICA EN FOSFORO SITUADA SOBRE LA METALIZACION DEL PRIMER NIVEL, Y UNA CAPA DE DIOXIDO DE SILICIO POBRE EN FOSFORO SITUADA SOBRE LA OTRA . EL CUERPO SEMICONDUCTOR BASE ES DE SILICIO MONOCRISTALINO , Y LAS METALIZACIONES DE PRIMER Y SEGUNDO NIVEL SON AMBAS ESENCIALMENTE DE ALUMINIO.

Sección de la CIP Física

(07/02/1984). Clasificación: G06F13/24.

PERFECCIONAMIENTOS EN DISPOSITIVOS DE INTERRUPCION DE MULTIPROCESOS.CONSISTE EN UNA MEMORIA DE PRIORIDAD DE SALIDA SEGUN EL ORDEN DE ENTRADA (FIFO), DESTINADO A PONER EN FILA DE ESPERA VECTORES DE INTERRUPCION RECIBIDOS POR EL SISTEMA Y PARA PROPORCIONAR EN SECUENCIA A UN PROCESADOR CORRESPONDIENTE UNA SEÑAL DE INTERRUPCION POR CADA VECTOR EN FILA DE ESPERA. CONSTA DE UNOS PROCESADORES INDIVIDUALES UN BUS DEL SISTEMA , UNAS INTERFASES DEL BUS , UNOS CPU , UNAS MEMORIAS COMPARTIDAS 0T QUE PUEDEN SER DE ACCESO ALEATORIO, UNOS CONTROLADORES DE INTERRUPTORES PROGRAMABLES QUE SIRVEN PARA RECIBIR UNA SEÑAL DE INTERRUPCION Y PARA PROCESAR LA SEÑAL DE FORMA QUE EL CPU DEJA LA TAREA QUE ESTUVIERA PROCESANDO, Y DE UNAS FILAS DE ESPERA DE INTERRUPTORES DE FIFO.

Sección de la CIP Electricidad

(31/01/1984). Clasificación: H03K17/56.

CIRCUITERIA DE CONTROL PARA INTERRUPTORES DE DIODOS CONMUTADOS.CONSTA DE UN INTERRUPTOR DE VOLTAJE ELEVADO (GDSC); DE UN PRIMER CIRCUITO DE RAMIFICACION DE VOLTAJE QUE MANTIENE DE UNA FORMA SELECTIVA LOS INTERRUPTORES DE CARGA SIMILAR (GDSL1, GDSL2) EN ESTADO DE CONEXION, DE MODO QUE PUEDA TENER LUGAR LA INDUCCION A TRAVES DE UNO U OTRO INTERRUPTOR DE CARGA SIMILAR (GDSL), SI LOS TERMINALES DE SUS POTENCIALES ANODICOS Y CATODICOS SON SUFICIENTES PARA MANTENER LA CONDUCCION; DE UN SEGUNDO CIRCUITO DE RAMIFICACION QUE SIRVE PARA CONMUTAR LOS INTERRUPTORESDE CARGA SIMILAR (GDSL1, GDSL2) A UN ESTADO DE DESCONEXION; Y DE VARIOS DISPOSITIVOS INTERRUPTORES PROVISTOS DE CADA UNO DE ELLOS DE UN TERMINAL DE CONTROL Y DE UN PRIMER Y UN SEGUNDO TERMINALES DE SALIDA.

Sección de la CIP Electricidad

(16/12/1983). Clasificación: H01H1/02.

PERFECCIONAMIENTOS EN CONTACTOS ELECTRICOS CUYO CIERRE DEPENDE DE UN CONTACTO MECANICO.COMPRENDE UN SUBSTRACTO EN INTIMO CONTACTO CON UNA CAPA DE CONTACTO , DE ESPESOR INFERIOR A 120 MICRAS Y RESISTIVIDAD MAXIMA DE 1 D 10,3 CHM-CM, QUE TIENE UNA PRIMERA SUPERFICIE COINCIDENTE DONDE SE PRODUCE EL CONTACTO FISICO QUE DA POR RESULTADO UNA CONEXION ELECTRICA, Y QUE CONSTA DE UNA PRIMERA FASE CRISTALOGRAFICA, QUE ESTA FORMADA AL MENOS EN UN 85 EN PESO DE UN COMPUESTO QUIMICO, QUE PUEDE SER UN SULFURO, SELENIURO, CARBURO, NITRURO, BORURO, FOSFORURO, SILICIURO, QUE SEPRODUCE POR LA REACCION IN SITU DE UN REACTIVO QUE FORMA PARTE DEL SUBSTRACTO, TAL COMO COBRE, TITANIO, TANGALO, MOLIBDENO, NIOBIO, VANADIO, HFNIO Y OTROS METALES, Y OTRO REACTIVO QUE SE INTRODUCE DURANTE LA REACCION EN FASE GASEOSA O EN FASE LIQUIDA; LA CAPA DE CONTACTO COMPRENDE UNA SEGUNDA FASE QUE CONTIENE MATERIAL INTRODUCIDO DESPUES DE LA REACCION.