186 patentes, modelos y diseños de UNIVERSIDAD AUTONOMA DE MADRID (pag. 6)
POLIMORFISMOS EN EL PROMOTOR DEL GEN HUMANO DE LA APOLIPOPROTEINA E, Y SUS USOS PARA APLICACIONES DIAGNOSTICAS Y TERAPEUTICAS.
(16/11/2000) Método para detectar la presencia de polimorfismos de DNA, estuche de ensayo y ácidos nucleicos recombinantes correspondientes. El método consiste en analizar DNA genómico humano, DNA genómico clonado o DNA genómico amplificado mediante el empleo de moléculas de oligonucleótidos como sondas-que hibridan con una porción del gen de la apolipoproteína E. En otra variante, la detección se realiza mediante la digestión del DNA con una o varias enzimas de restricción, o bien mediante la utilización de diferentes técnicas electroforéticas. El estuche de ensayo se caracteriza por una cantidad definida de una o más sondas de oligonucleótidos marcados, una cantidad definida de una o más enzimas de restricción y medios necesarios para la amplificación del DNA. El ácido nucleico recombinante a utilizar en el método contiene cualquier fragmento del promotor…
PROCEDIMIENTO PARA LA FABRICACION DE FLEJES DE GEOMETRIA CIRCULAR CON UN ESPEJO EN SU EXTREMO PARA LA DETECCION DE SU DEFELXION.
Sección de la CIP Física
(16/10/2000). Inventor/es: COLCHERO PAETZ, JAIME, REINALDO FALANGON, MANUEL, BUENDIA ALMANSA, ANDRES, BARO VIDAL, ARTURO. Clasificación: G01B9/04, G01B21/30.
Procedimiento para la fabricación de flejes de geometría circular con un espejo en su extremo para la detección de su deflexión, que consiste en adherir al extremo del fleje una capa delgada de un material reflejante, tal y como puede ser oro, depositado sobre un substrato adecuado. Cuando la unión de la capa reflejante al fleje es mayor que la adhesión de esta capa al substrato, y si la capa reflejante es lo suficientemente delgada, únicamente se desprende del substrato un pequeño fragmento de la capa reflejante desempeñando este fragmento la función de espejo.
PROCEDIMIENTO PARA LA INCORPORACION DE LA ORIENTACION DEL RELIEVE A IMAGENES RASTER.
Sección de la CIP Física
(01/01/2000). Inventor/es: ESPIAGO GONZALEZ, JAVIER, ALMONACID RAMIRO, CARLOS, CARRO DE LOS SANTOS, IGNACIO. Clasificación: G06T17/50, G03C9/08, G01C11/28.
Procedimiento para la incorporación de la orientación delelieve a imágenes raster, que consiste en la precepción del relieve en imágenes de satélite, mediante la utilización de imágenes bidimensionales de la orientación del relieve en formato raster y de las propias imágenes de satélite en formato raster, pudiendo utilizar para su aplicación en fotografías aéreas digitales, imágenes bidimensionales de la orientación del relieve en formato raster y de las propias fotografías aéreas digitales, incluso en imágenes escaneadas utilizando imágenes bidimensionales de la orientación del relieve en formato raster y de las propias imágenes escaneadas en formato raster.
ELEMENTO PIEZOELECTRICO QUE PERMITE EL MOVIMIENTO TRIDIMENSIONAL Y ORTOGONAL.
Sección de la CIP Electricidad
(16/11/1999). Ver ilustración. Inventor/es: COLCHERO PAETZ, JAIME, BARO VIDAL, ARTURO, LUNA ESTEVEZ, MONICA. Clasificación: H01L41/083, H01J37/26.
Elemento piezoeléctrico que permite el movimiento tridimensional y ortogonal caracterizado por estar compuesto de tres láminas piezoeléctricas polarizadas y conectadas de manera que dos de ellas permitan un movimiento lateral en direcciones ortogonales, mientras que la tercera permita un movimiento perpendicular, es decir en la dirección del grosor de las láminas. Por sus características, este tipo de elemento piezoeléctrico es especialmente apropiado para su aplicación en microscopios de campo cercano, siendo su ventaja esencial el tamaño reducido del elemento, así como la rapidez y precisión de sus movimientos.
PROCEDIMIENTO PARA LA PREPARACION DE SUBTALOCIANINAS CON APLICACIONES COMO MATERIALES OPOTICOS NO LINEALES.
Sección de la CIP Química y metalurgia
(01/07/1999). Ver ilustración. Inventor/es: TORRES CEBADA,TOMAS, DEL REY ALVAREZ,BELEN, SASTRE SANTOS, ANGELA. Clasificación: C07D487/22, C09B47/04.
LA PRESENTE INVENCION COMPRENDE UN PROCEDIMIENTO PARA LA PREPARACION DE SUBFTALOCIANINAS SUSTITUIDAS DE FORMULA GENERAL I, HOMOLOGOS DE FTALOCIANINA, CON PROPIEDADES OPTICAS NO LINEALES DE SEGUNDO Y TERCER ORDEN. LOS COMPUESTOS DEL TITULO I SE PREPARAN EN UNA 0 MAS ETAPAS A PARTIR DE O-DICIANODERIVADOS ADECUADAMENTE SUSTITUIDOS II, CUYA OBTENCION ES AMPLIAMENTE CONOCIDA EN LA TECNICA.
NITRATO REDUCTASA TERMOESTABLE APLICABLE PARA LA DETECCION DE NITRATOS A ALTA TEMPERATURA.
(16/05/1999) NITRATO REDUCTASA TERMOESTABLE APLICABLE PARA LA DETECCION DE NITRATOS DE ALTAS TEMPERATURAS, QUE CONSISTE EN CLONAR LA REGION DE ADN QUE CODIFICA LA NITRATO REDUCTASA TERMOESTABLE APLICABLE PARA LA DETECCION DE NITRATOS A ALTA TEMPERATURA, A PARTIR DE UNA GENOTECA DE ADN DE LA BACTERIA THERMUS THERMOPHILUS HB8, UTILIZANDO PARA ELLO UNA SONDA DE ADN ESPECIFICA PARA SU DETECCION. UN FRAGMENTO DE 8.2 KILOPARES DE BASES, COMPRENDIDO ENTRE DOS DIANAS DE RESTRICCION PSTI FUE AISLADO A PARTIR DE ESTA REGION Y CLONADO EN EL VECTOR BIFUNCIONAL PMK18. EL VECTOR PMK18 ESTA CARACTERIZADO POR POSEER DOS ORIGENES DE REPLICACION FUNCIONALES DE ESCHERICHIA…
METODO PARA LA SINTESIS ENZIMATICA DE DESOXIOLIGONUCLEOTIDOS EN SOPORTE SOLIDO.
Sección de la CIP Química y metalurgia
(01/02/1999). Ver ilustración. Inventor/es: IZQUIERDO ROJO,MARTA, MARTINEZ CABRERA, VICENTE, FLORES INFANTE, CARLOS, HERNANDEZ FERRER, MARIANO. Clasificación: C07H21/00, C12P19/34.
METODO PARA LA SINTESIS ENZIMATICA DE DESOXIOLIGONUCLEOTIDOS EN SOPORTE SOLIDO, QUE CONSISTE EN REALIZAR LA SINTESIS SOBRE UN SOPORTE SOLIDO EN LA DIRECCION (5') A (3'), UTILIZANDO LA TRANSFERASA TERMINAL, UNA ADN POLIMERASA INDEPENDIENTE DE MOLDE QUE PREFERENTEMENTE, CATALIZA LA INCORPORACION DE DESOXIRRIBONUCLEOSIDOS 5" TRIFOSFATOS A TERMINALES 3", HIDROXILO DE ADN MONOCATENARIO Y SE EMPLEA DESOXIRRIBONUCLEOTIDOS CON SU HIDROXILO (3') TRANSITORIAMENTE PROTEGIDO CON OBJETO DE AÑADIR UN SOLO NUCLEOTIDO EN CADA CICLO.
ESPIROMETRO FOTOELECTRO-HELICOIDAL.
Secciones de la CIP Física Necesidades corrientes de la vida
(16/11/1998). Ver ilustración. Inventor/es: CARRETIE ARANGUENA, LUIS. Clasificación: G01F1/06, A61B5/091, A61B5/09.
ESPIROMETRO FOTOELECTRO-HELICOIDAL. CONSTA DE LOS SIGUIENTES ELEMENTOS BASICOS; UNA HELICE , UN FOTOEMISOR (OPCIONAL: 3) Y UN FOTORRECEPTOR . LA HELICE, DE TIPO CILINDRICO, ESTA TABICADA TRANSVERSALMENTE EN CADA UNA DE SUS ASPAS (CUATRO EN LA FIGURA, AUNQUE PUEDE SER OTRO SU NUMERO) POR MEDIO DE LAMINAS OPACAS (2: SITUADAS EN EL CENTRO DE LAS ASPAS EN LA FIGURA, AUNQUE PUEDEN SITUARSE EN OTRO PUNTO). DICHOS TABIQUES INTERRUMPEN EL HAZ DE LUZ PROVINIENTE DEL FOTOEMISOR IMPIDIENDO SU LLEGADA AL FOTORRECEPTOR. ESTOS ELEMENTOS BASICOS SE INSERTAN EN UN MODULO CUYO INTERIOR ES UN PARALELEPIPEDO ABIERTO EN SU PARTE ANTERIOR Y POSTERIOR PARA PERMITIR LA CIRCULACION DEL AIRE. EN DICHO MODULO SE INSTALAN TAMBIEN EL FOTOEMISOR Y EL FOTORRECEPTOR. EL MODULO SE AJUSTA A UNA MASCARILLA QUE CUBRE FOSAS NASALES Y BOCA DEL SUJETO. TIENE APLICACION EN MEDICINA, PSICOLOGIA Y BIOLOGIA.
PROCEDIMIENTO PARA LA FABRICACION DE GUIAS DE ONDA OPTICAS PARA EL INDICE DE REFRACCION ORDINARIO DEL LINBO3.
Sección de la CIP Física
(16/02/1998). Ver ilustración. Inventor/es: OLIVARES VILLEGAS, JOSE, CABRERA CASTILLO, JOSE MANUEL. Clasificación: G02B6/10.
PROCEDIMIENTO PARA LA FABRICACION DE GUIAS DE ONDA PARA EL INDICE DE REFRACCION ORDINARIO DEL NIOBATO DE LITIO MEDIANTE DOBLE INTERCAMBIO IONICO. CON UN PRIMER INTERCAMBIO PROTONICO PROFUNDO SE GENERA UNA CAPA DE VARIAS MICRAS DE ESPESOR DE LA CUAL SE HA EXTRAIDO UNA CIERTA FRACCION DE LOS IONES LITIO DEL MATERIAL, GENERANDO UNA DISMINUCION DEL INDICE ORDINARIO EN APROXIMADAMENTE DLNO _ 0,04 (FIG. 1). CON UN SEGUNDO INTERCAMBIO MENOS PROFUNDO QUE EL PRIMERO, EN SOLUCION RICA EN LITIO, SE REINTRODUCEN LOS IONES DE LITIO Y SE RECUPERA EL INDICE ORDINARIO APROXIMADAMENTE A SU VALOR INICIAL, EN UNA CAPA MENOR QUE LA PRIMERA. ESTA ULTIMA CAPA JUNTO CON EL RESTO DE LA CAPA ANTERIOR QUE HACE DE SUSTRATO EFECTIVO CONSTITUYE LA GUIA DE ONDAS (FIG. 2). LA GUIA DE ONDAS FINALMENTE TIENE UN SALTO DE INDICE ORDINARIO DE DLNO 0,03 PARA LA = 0,6328 MIM.
PROCEDIMIENTO PARA LA OBTENCION DE METALOAZAPORFIRINAS ANALOGAS DE FTALOCIANINA CON APLICACIONES COMO METALES MOLECULARES.
Sección de la CIP Química y metalurgia
(16/12/1997). Ver ilustración. Inventor/es: TORRES CEBADA,TOMAS, CABEZON LOPEZ,BEATRIZ, RODRIGUEZ MORGADE, SALOME. Clasificación: C07D487/22.
LA PRESENTE INVENCION COMPRENDE UN PROCEDIMIENTO PARA LA PREPARACION DE METALOAZAPORFIRINAS SUSTITUIDAS DE FORMULA GENERAL I, ANALOGOS DE FTALOCIANINA, CON POTENCIALES PROPIEDADES CONDUCTORAS, MAGNETICAS, OPTICAS NO LINEALES Y CRISTAL-LIQUIDO, CARACTERIZADO POR LA REACCION DE UN COMPLEJO METALICO DE TRANSICION DE UN 3,5-BIS (3'-IMINO-L'-ISOINDOLINILIDENAMINO)-1 ,2,4-TRIAZOL DE FORMULA GENERAL II CON UNA 1,3-DIIMINOISOINDOLINA ADECUADAMENTE SUSTITUIDA DE FORMULA GENERAL III.
SISTEMA REGULADOR DE NIVEL DE CUBETAS ELECTROLITICAS.
Sección de la CIP Física
(16/11/1997). Ver ilustración. Inventor/es: PALAZUELOS CANO, CARLOS, FERNANDEZ RIOS, JAVIER FRANCISC, CUEVAS RODRIGUEZ, FERMIN, SANCHEZ LOPEZ, CARLOS. Clasificación: G01F23/04.
EL SISTEMA REGULADOR DE NIVEL DE CUBETAS ELECTROLITICAS CONSISTE EN UNA SONDA QUE DETECTA LA TENSION EN LA SUPERFICIE DEL ELECTROLITO, TOMANDO UNO DE LOS ELECTRODOS COMO REFERENCIA Y DISPONE DE UNA SONDA, UN CIRCUITO ELECTRONICO DE REGULACION Y CONTROL, UNA ELECTROVALVULA Y UN DEPOSITO CON EL LIQUIDO DE RELLENO, PERMITIENDO SU UTILIZACION MEDIANTE UNA PEQUE¥A MODIFICACION EN CUBETAS HERMETICAS SOMETIDAS A CUALQUIER PRESION Y EN CUBETAS EN LAS QUE NO SE ESTA EFECTUANDO ELECTROLISIS, SIEMPRE QUE EL ELECTROLITO SEA CONDUCTOR.
FILTRO INTERFERENCIAL DE BANDA ESTRECHA CON MATERIAL FOTORREFRACTIVO.
Sección de la CIP Física
(01/07/1997). Ver ilustración. Inventor/es: CABRERA CASTILLO, JOSE MANUEL, MULLER, RENE, ARIZMENDI LOPEZ, LUIS. Clasificación: G02B5/28.
FILTRO INTERFERENCIAL DE BANDA ESTRECHA CON MATERIAL FOTORREFRACTIVO ESTA REALIZADO GRABANDO UNA RED HOLOGRAFICA EN UN MATERIAL FOTORREFRACTIVO, LA CUAL POSTERIORMENTE ES FIJADA CON UN TRATAMIENTO TERMICO. MEDIANTE DOS HACES Y , INCIDIENDO EN EL MATERIAL FOTORREFRACTIVO , PRODUCEN UNA VARIACION DE LA INTENSIDAD LUMINOSA ESTACIONARIA EN SU INTERIOR. ESTA MODULACION CAMBIA EL INDICE DE REFRACCION POR EFECTO FOTORREFRACTIVO. EFECTUANDO ESTE PROCESO A ALTA TEMPERATURA (180 C), RESULTA UNA FIJACION DE LA MODULACION DE INDICE DE REFRACCION. EL DISPOSITIVO REFLEJA UNA BANDA ESTRECHA DE LONGITUDES DE ONDA REFLEJADOS, CON EL MAXIMO EN DOS VECES EL ESPACIADO DE LAS FRANJAS DE INDICE DE REFRACCION. SE CONSIGUE UNA SINTONIZACION DE LA BANDA FILTRADA USANDO EL EFECTO PIEZOELECTRICO INVERSO DEL MATERIAL.
SISTEMA AUTONOMO AUTOMATICO DE CONTROL CORRELATIVO DEL TRAFICO.
Sección de la CIP Física
(16/11/1996). Ver ilustración. Inventor/es: POGORELOV, JURY G. Clasificación: G01S17/93, G08G1/04.
SISTEMA AUTONOMO AUTOMATICO DE CONTROL CORRELATIVO DEL TRAFICO, INSTALADO EN CADA VEHICULO Y QUE CONSISTE EN DOS MODULOS DE COMUNICACION: DELANTE (MCA) Y DETRAS (MCT) DEL VEHICULO, EL MICROPROCESADOR (MC) Y EL SERVOMECANISMO (SM). CADA MC INCLUYE EL EMISOR (EA, ET), EL REFLECTOR (RA, RT), EL DETECTOR (DA, DT) Y EL CONMUTADOR (CA, CT). LOS EMISORES SON LASERES QUE EMITEN IMPULSOS DE LUZ INFRARROJA CON LONGITUD DE ONDA LAA O LAT Y ESTOS, REFLEJADOS DEL RT DEL VEHICULO PRECEDENTE O RA DEL VEHICULO POSTERIOR Y DETECTADOS POR DA O DT, PERMITEN CONTAR DISTANCIAS DA Y DT HASTA DICHOS VEHICULOS. SEGUN DATOS DE DA Y DT Y UNA CIERTA FUNCION MATEMATICA M(D), EL MICROPROCESADOR DESARROLLA LA SEÑAL DE MANDO; M = M(DT) - (M(DA) QUE PRODUCE, POR MEDIO DE SM, UNA ACELERACION (CUANDO M > 0) O MODERACION (M < O) DEL VEHICULO, CORRELATIVAS CON SU POSICION CON RESPECTO A LOS VEHICULOS CONTIGUOS.
DETECTOR SINTONIZABLE DE LA RADIACION ULTRAVIOLETA EN EL RANGO 200-400 NM.
Sección de la CIP Física
(16/08/1996). Ver ilustración. Inventor/es: LIFANTE PEDROLA,GINES, CUSSO PEREZ,FERNANDO, JAQUE RECHEA, FRANCISCO, AGUIRRE DE CARCER, IÑIGO. Clasificación: G01J1/04.
DETECTOR SINTONIZABLE DE LA RADIACION ULTRAVIOLETA EN EL RANGO 200-400 NM., QUE SE PRESENTA COMO UN DISPOSITIVO BASADO EN LA EMISION PRODUCIDA EN UN CRISTAL DE HALURO ALCALINO DE IONES EU QUE TRANSFORMA LA RADIACION ULTRAVIOLETA (UV) EN VISIBLE. ESTA LUZ VISIBLE ES DETECTADA MEDIANTE UN FOTODETECTOR CUYA SEÑAL ES AMPLIFICADA. EL DISPOSITIVO PUEDE MEDIR LA RADIACION UV A DIFERENTES LONGITUDES DE ONDA ENTRE 220 NM Y 400 NM. SUS CARACTERISTICAS LE PERMITEN MEDIR EL UV SOLAR EN LA SUPERFICIE TERRESTRE. ESTA MEDIDA PUEDE SER ADEMAS INDICATIVA DEL NIVEL DE POLUCION.
GEN QUIMERICO CAPAZ DE CONFERIR RESISTENCIA TERMOESTABLE A KANAMICINA EN BACTERIAS TERMOFILAS DEL GENERO THERMUS.
(16/09/1995) EL GEN QUIMERICO CAPAZ DE CONFERIR RESISTENCIA TERMOESTABLE A KANAMICINA EN BACTERIAS TERMOFILAS DEL GENERO THERMUS ESTA CARACTERIZADO PARA CONFERIR RESISTENCIA AL ANTIBIOTICO KANAMICINA EN THERMUS THERMOPHILUS Y EN ESCHERICHIA COLI, DENTRO DE UN RANGO DE TEMPERATURAS COMPRENDIDO ENTRE 30 Y 80GC. EL GEN QUIMERICO HA SIDO CONSTRUIDO MEDIANTE UNA FUSION TRANSCRIPCIONAL ENTRE EL PROMOTOR DE UN GEN DE ALTO NIVEL DE EXPRESION PROCEDENTE DE THERMUS THERMOPHILUS HB8 DENOMINADO SLPA Y UN GEN DE RESISTENCIA A KANAMICINA MODERADAMENTE ESTABLE (KAT) PROCEDENTE DE BACILLUS STEAROTHERMOPHILUS. LA CONSTRUCCION HA SIDO REALIZADA MEDIANTE LA REACCION DE LA POLIMERASA EN CADENA (PCR), INTRODUCIENDO POR MUTAGENESIS DIRIGIDA LA SECUENCIA DE RECONOCIMIENTO PARA LA ENDONUCLEASA DE RESTRICCION NDEI SOBRE EL PRIMER TRIPLETE CODIFICANTE…
PROCEDIMIENTO DE PREPARACION DE AZAPORFIRINAS SUSTITUIDAS PARA APLICACIONES COMO MATERIALES MOLECULARES ORGANICOS.
Sección de la CIP Química y metalurgia
(01/03/1995). Ver ilustración. Inventor/es: TORRES CEBADA,TOMAS, FERNANDEZ LAZARO, FERNANDO. Clasificación: C07D487/22, C09B47/00.
LA PRESENTE INVENCION SE REFIERE A UN PROCEDIMIENTO DE PREPARACION DE AZAPORFIRINAS SUSTITUIDAS CON POTENCIALES PROPIEDADES CONDUCTORAS, OPTICAS, MAGNETICAS Y CRISTAL LIQUIDO, CARACTERIZADO POR LA REACCION DE UN DERIVADO DE 3,5-DIAMINO-1,2,4-TRIAZOL CON UNA 1,3-DIIMINOISOINDOLINA SUSTITUIDA, EN UNA ESTEQUIOMETRIA ADECUADA, EN PRESENCIA DE UNA SAL DE UN METAL DE TRANSICION.
OBTENCION DE UNA FUENTE ATOMICA DE IONES METALICOS PRODUCIENDO UNA FUSION SUPERFICIAL POR MEDIO DE UN CAMPO ELECTRICO.
(01/08/1992) EXPERIMENTOS Y CALCULOS RECIENTES MUESTRAN QUE APLICANDO UN CAMPO ELECTRICO A UNA SUPERFICIE METALICA ES POSIBLE PRODUCIR FUSION DE LA ULTIMA CAPA DE ATOMOS EN UN METAL. EL FUNDAMENTO ES QUE EL CAMPO ELECTRICO ES APANTALLADO POR LA CAPA SUPERFICIAL DEL METAL NO EJERCIENDO NINGUNA FUERZA SOBRE LAS CAPAS ADYACENTES. TENEMOS PUES EL PARAMETRO CAMPO ELECTRICO Y LA TEMPERATURA. NUESTROS DATOS PRUEBAN QUE ES POSIBLE FUNDIR LA SUPERFICIE A LA TEMPERATURA DE APROXIMADAMENTE UN TERCIO DE LA DE FUSION DE VOLUMEN CUANDO SE APLICA UN CAMPO ELECTRICO DE APROXIMADAMENTE 15 V/NM PARA LA SUPERFICIE DEL TUNGSTENO. ASI PODEMOS FORMAR PEQUEÑAS PROTRUSIONES EN LA SUPERFICIE QUE EMITEN UN HAZ DE IONES DE 10 IONES/SEGUNDO DESDE UNA SOLA POSICION ATOMICA EN LA SUPERFICIE CON UN ANGULO DE FOCALIZACION…
PROCESO DE ACTIVACION DE FOTOCATODOS CON TELURURO DE CESIO.
Sección de la CIP Electricidad
(01/07/1992). Ver ilustración. Inventor/es: GALAN ESTELLA,LUIS, SORIANO DE ARPE, LEONARDO. Clasificación: H01L31/0216, H01L31/0272.
PROCESO DE ACTIVACION DE TOFOCATODOS CON TELURURO DE CESIO, QUE DETERMINA UNA ALTERNATIVA A LA ACTIVACION CON OXIDOS DE CESIO, TANTO PRA FOTOCATODOS DE ANTIMONIUROS DE METALES ALCALINOS COMO DE COMPUESTOS III-V. EL PROCESO PROPUESTO CONSISTE EN QUE, UNA VEZ ACABADA LA FABRICACION DE LA PELICULA DE MATERIAL SEMICONDUCTOR QUE VA A CONSTITUIR EL FOTOCATODO, SE LE EVAPORA CESIO Y TELURO EN PASOS ALTERANTIVOS (CS, TE, CS), HASTA OBTENER UN MAXIMO EN LA FOTOEMISION. LA SUPERFICIE DE TELURURO DE CESIO ASI FORMADA PRODUCE UNA ESTRUCTURA ELECTRONICA ADECUADA PARA LA FOTOEMISION E INCLUSO PUEDE PRODUCIR AFINIDAD ELECTRICA EFECTIVA NEGATIVA.
MICROSCOPIO TUNEL PARA OPERACION EN ULTRA ALTO VACIO CON MOVIMIENTO DE LA MUESTRA MEDIANTE INCHWORM SEPARABLE Y POSICIONAMIENTO DEL PORTAMUESTRAS MEDIANTE PIEZAS V.
Sección de la CIP Electricidad
(01/07/1992). Ver ilustración. Inventor/es: BARO VIDAL, ARTURO, WEN HAO, HUAN. Clasificación: H01J37/26.
MICROSCOPIO (STM) COMPATIBLE CON ULTRA ALTO VACIO (UHV). EL MECANISMO DE APROXIMACION DE LA MUESTRA A LA PUNTA ES MEDIANTE INCHWORM (QUE POSEE UN SALTO DE LNM). EL CONTACTO DEL INCHWORM CON EL PORTAMUESTRAS ES ELIMINADO CUANDO MUESTRA Y PUNTA ALCANZAN LA POSICION TUNEL. EL PORTAMUESTRAS SE MUEVE Y SE POSICIONA EN LAS DIRECCIONES X, Y, Z, POR UN SISTEMA DE PIEZAS V. ELLO PERMITE UN MOVIMIENTO ESTABLE, PRECISO Y REPETITITVO DE LA MUESTRA, LO QUE HACE MAS FIABLE EL FUNCIONAMIENTO DEL MICROSCOPIO. TODOS LOS ELEMENTOS SON COMPATIBLES CON LA OPERACION DEL MICROSCOPIO EN UHV.
METODOS DE PREPARACION DE TETRACLOROMETALATOS (II) DE 3-DIALQUIL (ARIL) AMINO-5-FENIL 1,2,4-DITIAZOLIO.
Sección de la CIP Química y metalurgia
(16/05/1991). Inventor/es: RICHTER, RAINER, KOHLER, RONALD, HOYER, EBERHARD, BEYER, LOTHAR, HARTUNG, JURGEN, FERNANDEZ, VICENTE, SIELER, JOACHIM, BAYER, GERALD. Clasificación: C07D285/01.
METODOS DE PREPARACION DE TETRACLOROMETALATOS DE 3-DIALQUIL(ARIL)AMINO-5-FENIL 1,2,4-DITIAZOLIO. EL INVENTO PROPORCIONA UN METODO PARA PREPARAR LOS COMPUESTOS INDICADOS EN EL TITULO, QUE TIENEN IMPORTANCIA POR SER SUSTANCIAS TERMOCROMICAS.
METODOS DE PREPARACION DE TETRAHALOMETALATOS (II) DE 3-DIALQUIL (ARIL)AMINO-5-FENIL-1 ,2,4-DITIAZOLIO.
Sección de la CIP Química y metalurgia
(16/05/1991). Inventor/es: WEBER, GUNTER, DR., KOHLER, RONALD, HOYER, EBERHARD, BEYER, LOTHAR, HARTUNG, JURGEN, ROSENBAUM, KAREN, FERNANDEZ, VICENTE. Clasificación: C07D285/01.
METODOS DE PREPARACION DE TETRAHALOMETALATOS DE 3-DIALQUIL(ARIL)AMINO-5-FENIL 1,2,4-DITIAZOLIO. EL INVENTO PROPORCIONA UN METODO PARA PREPARAR LOS COMPUESTOS INDICADOS EN EL TITULO, QUE TIENEN IMPORTANCIA PARA LA OBTENCION DE QUELATOS METALICOS ESPECIALES, INTERESANTES COMO SUSTANCIAS TERMOCROMICAS.
PROCEDIMIENTO DE ELECTRODEPOSICION PARA PREPARAR PELICULAS SEMICONDUCTORAS DE CDXHG1-XTE DE BAJO COSTE.
Sección de la CIP Electricidad
(01/10/1990). Ver ilustración. Inventor/es: SANCHEZ LOPEZ, CARLOS, SURENDRA NATH, SAHU. Clasificación: H01L31/0336.
PROCEDIMIENTO DE ELECTRODEPOSICION PARA PREPARAR PELICULAS SEMICONDUCTORAS DE CDSIXHGSI1-XTE RICAS EN HG SOBRE SUSTRATOS DE TITANIO Y VIDRIO CONDUCTOR. LA CARACTERIZACION DE LAS PELICULAS, PREPARADAS EN UNA UNICA CELDA DE ELECTROLISIS QUE CONTIENE CDSOSI4, HGSOSI4 Y TEOSIS, MUESTRA LA EXISTENCIA DE CDSIXHGSI1-XTE RICO EN HG, DONDE EL VALOR DE X DISMINUYE SEGUN AUMENTA EL NUMERO DE PELICULAS PREPARADAS.
DISPOSITIVO PARA LA OBTENCION DE MONOCRISTALES DE ALTO PUNTO DE FUSION.
Sección de la CIP Química y metalurgia
(01/10/1986). Clasificación: C30B15.
Resumen no disponible.
PROCESO TECNOLOGICO DE FABRICACION DE DIODOS ELECTROLUMINISCENTES POR DIFUSION ASISTIDA POR LASER EN SEMICONDUCTORES COMPUESTOS.
Sección de la CIP Electricidad
(16/07/1986). Clasificación: H01L33.
PROCEDIMIENTO TECNOLOGICO PARA LA FABRICACION DE DIODOS ELECTROLUMINISCENTES POR DIFUSION ASISTIDA POR LASER EN SEMICONDUCTORES COMPUESTOS. COMPRENDE LAS SIGUIENTES FASES: PRIMERA, SE EVAPORA EN VACIO SOBRE 10C6 TORR DE SN, AU/GE, AU/GE, AU/GE/NI SOBRE LA SUPERFICIE POSTERIOR NO PULIDA DE UNA OBLEA TIPO CNB; SEGUNDA, SE EVAPORA EN VACIO, SOBRE 10C6 TORR, DEL CONTACTO DE AU/ZN Y UNA CAPA DELGADA (50-100 A) DE ZN SOBRE LA OTRA CARA PULIDA DE LA OBLEA, PROVOCANDO LA ALEACION DEL CONTACTO POSTERIOR DE SN, AU/GE O AU/GE/NI, MEDIANTE UN PULSO LASER DE DENSIDAD DE ENERGIA MAYOR QUE 1 JULIO/CM2; TERCERA, SE REALIZA LA DIFUSION DE LA IMPUREZA TIPO-P Y LA ALEACION DEL CONTACTO DE ORO MEDIANTE PULSO LASER DE DENSIDAD DE ENERGIA COMPRENDIDA ENTRE 0,3 Y 5 JULIOS/CM2; Y POR ULTIMO SE RETIRA EL EXCESO DE METALIZACION DEL ZN, LA IMPUREZA TIPO-P UTILIZADA, MEDIANTE ATAQUE QUIMICO SELECTIVO.
NUEVO DETECTOR DE LUZ VISIBLE E INFRAROJA FABRICADO CON ARSENIURO DE GALIO, CON ALTA SENSIBILIDAD Y ELEVADA SEÑAL DE SALIDA.
Sección de la CIP Electricidad
(01/11/1976). Clasificación: H01L31/06.
FOTODETECTOR A LUZ VISIBLE E INFRARROJA CON ALTA SENSIBILIDAD. ESTA FORMADA POR UNA OBLEA DE ARSENIURO DE GALIO DE TIPO N , UNA CAPA DE SEMICONDUCTOR TIPO P Y UNA ZONA DE TIPO N+ DE ALTA CONDUCTIVIDAD. LOS ELECTRODOS SON ALEACIONES DE AU-GE, AU-GE-NI Y SN Y LA CAPA ESTA METALIZADA AL VACIO. CUANDO SE POLARIZA EL DISPOSITIVO APARECE UN FENOMENO DE IONIZACION POR IMPACTO QUE MULTIPLICA LA CORRIENTE GENERADA LO CUAL PERMITE APRECIAR NIVELES MUY BAJOS DE ILUMINACION.
PROCEDIMIENTO DE FABRICACION DE UN ELEMENTO SEMICONDUCTOR CAPAZ DE EMITIR LUZ ROJA Y VERDE AL PASAR POR EL UNA CORRIENTE ELECTRICA.
Sección de la CIP Electricidad
(01/03/1976). Clasificación: H01L1/00.
Resumen no disponible.
