115 patentes, modelos y diseños de STANDARD ELECTRICA, SOCIEDAD ANONIMA (pag. 4)

Sección de la CIP Química y metalurgia

(16/09/1960). Ver ilustración. Clasificación: C01B33/00.

Mejoras en o relativas a métodos de producir silicio de alta pureza caracterizados por un procedimiento para la fabricación de silicio sustancialmente puro que comprende pasar silano sustancialmente puro en una concentración que tiene una zona que contiene una superficie calentada a una temperatura por lo menos igual a la temperatura de descomposición del silano, colocar una bobina concentradora en dicha cámara, la cual bobina circunda dicha zona, y suministrar corriente eléctrica alterna de alta frecuencia a dicha bobina para calentar dicha superficie por acoplamiento directo al campo electromagnético de dicha bobina.

Sección de la CIP Química y metalurgia

(16/09/1960). Ver ilustración. Clasificación: C25F.

Mejoras en o relativas a procedimientos para refinar materiales semiconductores, caracterizadas por un proceso para el tratamiento de una barra de material fundible que comprende disponer la barra en posición vertical, fundir una zona anular circundando una parte no fundida de dicha barra y hacer que la zona fundida atraviese un recorrido recto paralelo al eje de la barra, con lo que todo el material de la barra queda sometido a fusión excepto un núcleo interior sustancialmente cilíndrico que es paralelo al eje.

Sección de la CIP Técnicas industriales diversas y transportes

(16/09/1960). Ver ilustración. Clasificación: B28D5/00.

Mejoras en o relativas a fabricación de material semiconductor, caracterizadas por un método de fabricación de un elemento semiconductor que comprende pasar un hidroruro gaseoso de dicho elemento a través de un antinodo de potencial en una línea de transmisión eléctrica de alta frecuencia, con lo que el hidruro se descompone en el elemento e hidrógeno atónico, utilizando el calor producido por la recombinación de átomos de hidrógeno para fundir el elemento semiconductor y recoger el elemento fundido.

Sección de la CIP Química y metalurgia

(01/09/1960). Ver ilustración. Clasificación: C08L.

Mejoras en o relativas a métodos de producción de "silano" prácticamente puro que comprenden un suministro continuoen un recipiente de una solución de halogenuro de silicio y de una solución o suspensión líquida de un hidruro de aluminio y de otro metal.

Sección de la CIP Química y metalurgia

(01/09/1960). Ver ilustración. Clasificación: C01B33/00.

Mejoras en o relativas a métodos de producir silicio de alta calidad caracterizadas por un procedimiento de fabricación de silicio sustancialmente puro por la reacción de una solución de tetracloruro de silicio con una suspensión líquida de hidruro de litio aluminio para producir silano y la subsiguiente descomposición térmica del silano en el cual dicha reacción se efectúa añadiendo el tetracloruro de silicio al hidruro de litio aluminio en tal cantidad o a tal ritmo que un exceso de hidruro de litio es mantenido den la mezclapor encima del requerido para la completa reacción químicacon lo que la producción como impureza en el silano de diborano por cualquiera compuestos de boro presentes en los reactivosse mantiene al mínimo.

Sección de la CIP Electricidad

(16/08/1960). Ver ilustración. Clasificación: H01H51/28F, H01H51/28.

Resumen no disponible.

Sección de la CIP Química y metalurgia

(16/08/1960). Ver ilustración. Clasificación: C30B11/10.

Un procedimiento para la formación y tratamiento de cristales de un material dado que es conductivo a una temperatura inferior a su punto de fusión, caracterizado por las operaciones que comprenden someter un germen de dicho material a caldeo por inducción de alta frecuencia para hacer que se funda una parte de dicho germen mientras que el resto está en estado sólido, interactuando las corrientes de Foucault inducidas en la parte fundida con el campo de alta frecuencia para mover la parte fundida, disolver material adicional en dicha parte fundida y retirar dicho germen de la zona de caldeo por inducción, para controlar la formación de la parte sólida del mismo.

Sección de la CIP Química y metalurgia

(01/08/1960). Ver ilustración. Clasificación: C01B.

Mejoras en o relativas a la purificación de gases usados en la producción de silicio, principalmente del gas de silano que es descompuesto por el calor.

Sección de la CIP Técnicas industriales diversas y transportes

(01/08/1960). Ver ilustración. Clasificación: B01J.

Método y aparellaje para el tratamiento por calor de materiales fusibles, caracterizado por hacer pasar directamente a través del material una corriente continua o una corriente alterna de bajo frecuencia entre dos electrodos de plata, permitiendo el paso de un fluido de enfriamiento (agua) a través de estos, de los cuales uno es el "dedo" de plata y el otro el crisol.

Sección de la CIP Electricidad

(16/06/1960). Ver ilustración. Clasificación: H01B13/14, H01B13/06, H01B13/06R.

Mejoras en, o relativas a la fabricación de conductores eléctricos aislados caracterizadas por un método de fabricación de cables aislados con plástico dilatado incluyendo los operadores de predilatar gránulos de material termoplástico adecuado que contiene un agente soplador, alimentar los gránulos predilatados al espacio entre el conductor interior o conductores y un formador tubular que circunda dicho conductor o conductores, formar un conductor exterior y después calentar la estructura resultante para dilatar más y unir los gránulos en un cuerpo continuo.

Sección de la CIP Electricidad

(01/06/1960). Clasificación: H03C1/54B2, H03C1/54.

Un circuito modulador en contrafase que comprende dos amplificadores iguales conectados en contrafase, un suministro de señales portadoras y un suministro de señales moduladoras, siendo ambos aplicados a ramas anticonjugadas de dicho circuito, de modo que estén desacopladas una de otra, caracterizado porque dicho suministro de señales moduladoras se aplica a la rama de entrada en contrafase de dicho circuito y dicho suministro de señales portadoras se aplica a una rama de entrada de alta impedancia de dicho circuito, teniendo ambos suministros un punto común de potencial fijo.

Secciones de la CIP Mecánica, iluminación, calefacción, armamento y voladura Técnicas industriales diversas y transportes Electricidad

(01/06/1960). Clasificación: F16L58/18, B29C63/42, B29C61/08, H01B3/44B, H02G15/18B, H02G15/18, H01B3/44.

Mejoras en o relativas a empalmes o terminaciones para conductores eléctricos caracterizados por el método de cubrir un empalme o terminación entre conductores eléctricos que comprende irradiar ligeramente una longitud de tubo de polietileno o polipropileno, calentar el tubo irradiado por encima del punto de fusión de plástico que no ha sido sometido a irradiación, deformar dicha longitud de tubo, colocarla sobre el empalme o terminación y calentar el tubo para hacer que adopte su forma original y se encoja sobre el empalme.

Sección de la CIP Física

(01/05/1960). Ver ilustración. Clasificación: G04B.

Dispositivo para medir el tiempo de duración de las conferencias telefónicas, formado por una llave telefónica y varias lámparas conectadas a un mecanismo eléctrico susceptible de hacerlas lucir sucesivamente, permaneciendo encendida cada una de ellas un tiempo determinado previamente, de forma que al final de una conferencia se puede conocer el tiempo empleado según la lámpara que en este momento permanezca encendida.

Sección de la CIP Física

(01/05/1960). Ver ilustración. Clasificación: G01S1/02, G01S13/78D2, G01S13/78.

Sistema de radiofaro giratorio omnidireccional que tiene medios para transmitir señales indicadoras de dirección giratorias con características de radiación de las cuales se pueden producir indicaciones de azimut en una nave, comprendiendo además un generador para producir otras señales, medios para transmitir dichas otras señales sustancialmente omnidireccionales desde dicho radiofaro a un ritmo dado, un dispositivo indicador en dicho radiofaro sincronizado con dichas otras señales, medios en dicha nave para repetir dichas otras señales en respuesta a energía recibida en el momento en que dicho radiofaro está alineado en forma predeterminada con respecto a dicha nave y medios en dicho radiofaro que responden a dichas otras señales repetidas para producir en dicho dispositivo indicador una indicación de la distancia desde dicha nave a dicho radiofaro.

Sección de la CIP Electricidad

(16/03/1960). Ver ilustración. Clasificación: H04B.

La identidad de un canal entrante sobre un enlace entranteesto esla identidad del enlace entrante y la posición de tiempo dentro de un periodo de repetición al que este canal entrante se presenta.

Sección de la CIP Electricidad

(01/02/1960). Ver ilustración. Clasificación: H01B.

Mejoras en el procedimiento de secado e impregnación de cables eléctricos caracterizadas por un recipiente en forma de anillo que está dispuesto para girar con respecto a una tapa estacionaria, o a una parte estacionaria de una tapa o pared lateral, que tiene una salida para el cable, proveyéndose una disposición de empaquetadura ajustada entre la parte fija y la giratoria.

Sección de la CIP Electricidad

(16/01/1960). Ver ilustración. Clasificación: H01H11/00, H01H36/00, H01H67/24, H01H51/28, H01H37/58.

Conmutador electromagnético múltiple que comprende un número de dispositivos conmutadores magnéticos montados en una estructura que incluye imanes permanentes para producir un campo magnético constante através de dichos dispositivos, con devanado que circunda todos dichos dispositivos para producir un campo magnético variable a través de dichos dispositivos, medios para ajustar la intensidad del cuerpo magnético constante a través de cada dispositivo conmutador y medios para excitar dicho devanado para producir el funcionamiento simultáneo o en secuencia predeterminada de dichos dispositivos conmutadores según dicho ajuste de intensidad del campo magnético constante a través de cada dispositivo y la intensidad del campo magnético variable.