9 patentes, modelos y diseños de SIEMENS SOLAR GMBH

Sección de la CIP Electricidad

(01/03/2009). Ver ilustración. Inventor/es: KARG,FRANZ. Clasificación: H01L31/032, H01L31/0336, H01L31/072.

Estructura de diodos, particularmente para celdas solares de película delgada, con una capa con conducción de tipo p compuesta por un compuesto de calcopirita y con una capa con conducción de tipo n que limita con la capa con conducción de tipo p compuesta por un compuesto que contiene titanio y oxígeno, donde el lado opuesto a la capa con conducción de tipo p de la capa con conducción de tipo n limita con una capa de refuerzo con conducción de tipo n, que presenta una mayor separación de banda que la capa con conducción de tipo n.

Sección de la CIP Electricidad

(16/10/2007). Ver ilustración. Inventor/es: MUNZER, ADOLF, SCHLOSSER,REINHOLD. Clasificación: H01L31/18, H01L31/04, H01L31/068, H01L31/0288.

PARA PRODUCIR DE UN MODO SENCILLO UN BACK-SURFACE-FIELD, SE PROPONE APLICAR UNA CAPA DE HINCHAMIENTO DE DIFUSION QUE CONTIENE BORO, SOBRE LA PARTE POSTERIOR (RS) DE UN WAFER DE SILICIO , E INTRODUCIR EL BORO A 900 HASTA 1200 (GRADOS) C APROXIMADAMENTE, DE 1 HASTA 5 {MI}M DE PROFUNDIDAD EN EL WAFER. ESTO SE REALIZA EN UNA ATMOSFERA OXIGENADA DE MODO QUE SOBRE LAS SUPERFICIES DE SILICIO QUE ESTAN AL DESCUBIERTO SE FORMA UNA CAPA DE OXIDO , SIENDO INNECESARIO CUBRIR LAS ZONAS A NO DOTAR. UNA VEZ ELIMINADAS LAS CAPAS DE OXIDO Y DE HINCHAMIENTO TIENE LUGAR UNA DIFUSION DE FOSFORO Y LA PRODUCCION DEL CONTACTO POSTERIOR . ESTE CONTIENE ALUMINIO Y PROVOCA, CON EL PROCESO DE QUEMADO, UN BUEN CONTACTO OHMICO.

Sección de la CIP Electricidad

(01/04/2007). Inventor/es: HOLDERMANN, KONSTANTIN, MUNZER, ADOLF, SCHMIDT, HANS-JOSEF, DR. Clasificación: H01L31/0224, H01L31/18.

PARA LA ELABORACION DE CELULAS SOLARES DE ALTA EFICIENCIA A BASE DE MATERIAL SEMICONDUCTOR POLI O MONOCRISTALINO, SE PROPONE QUE LOS CONTACTOS DE LA CARA POSTERIOR ESTEN IMPRIMIDOS CON UNA PASTA QUE CONTIENE METAL Y LOS CONTACTOS DE LA CARA DELANTERA ESTEN FINAMENTE ESTRUCTURADOS MEDIANTE DEPOSITOS QUIMICOS. MEDIANTE LA UTILIZACION DE UNA SOLUCION DE GERMINACION IONOGENICA, ES POSIBLE GENERAR UNA METALIZACION ESPECIFICA EXCLUSIVAMENTE EN ABERTURAS U HOYOS EN LA CARA FRONTAL, EN DONDE LAS CAPAS DE PASIVACION QUE CUBRE LA CAPA SEMICONDUCTORA HAN SIDO ELIMINADAS. MEDIANTE DEPOSITO QUIMICO DE AL MENOS OTRO METAL O DE LA CAPA DE GERMINACION QUE HA SIDO PRIMERAMENTE GENERADA, EL CONTACTO DE LA CARA FRONTAL ESTA REFORZADO DE FORMA QUIMICA O GALVANICA.

Sección de la CIP Electricidad

(01/05/2003). Ver ilustración. Inventor/es: ENDROS, ARTHUR. Clasificación: H01L31/0236, H01L31/0224.

PARA PRODUCIR UNA CELULA SOLAR DE GRAN RENDIMIENTO, CON MAS DEL 20% DE EFICIENCIA, SE USA UN SUBSTRATO DE SILICIO ORIENTADO , DISPONIENDOSE TODOS LOS CONTACTOS EN EL LADO POSTERIOR (RS) Y LA CONEXION ELECTRICA DEL LADRO FRONTAL (VS) SE LLEVA, ATRAVESANDO EL SUBSTRATO, A TRAVES DE UN MOTIVO DE RANURAS ALTAMENTE DOPADAS QUE SE PRODUCEN POR ATAQUE DE MANERA ORIENTADA AL CRISTAL Y QUE VAN ALINEADAS PARALELAS A UNOS PLANOS DEL SUBSTRATO.

Secciones de la CIP Electricidad Química y metalurgia

(01/05/2000). Inventor/es: ENDROS, ARTHUR, MARTINELLI, GIULIANO. Clasificación: H01L31/18, C30B15/00, H01L31/068.

SE PROPONE UNA PLACA DE SEMICONDUCTOR DE SILICIO (WAFER) A BASE DE TRES ZONAS MONOCRISTALINAS INCLINADAS QUE FORMAN TRES SECTORES DEL WAFER. SUS SUPERFICIES DE LIMITACION Y LINEAS CIRCUNDANTES SE EXTIENDEN RADIALMENTE UNA HACIA OTRA E INCLUYEN ANGULOS (W6, W7, W8) DE MENOS DE 180 SUPERFICIES DE LIMITACION FORMAN LIMITES DE CONTORNO GRANULADAS O GEMELAS ENTRE DOS PLANOS DE CRISTAL . ESTE WAFER SEMICONDUCTOR DE SILICIO ES UTILIZADO PARA LA ELABORACION DE CELDAS SOLARES DE ALTA POTENCIA ECONOMICA.

Sección de la CIP Electricidad

(01/03/1997). Inventor/es: HOLDERMANN, KONSTANTIN. Clasificación: H01L31/0224.

PARA LA GENERACION FINA DE ESTRUCTURAS DE ELECTRODOS CON BUENA ADHERENCIA SOBRE SUBSTRATOS SEMICONDUCTORES Y NO CONDUCTORES SE PROPONE, UN REFORZAMIENTO EN FORMA CONOCIDA DE LA METALIZACION DE PELICULA ESPESA APLICADA DE FORMA GALVANICA. EN UNA UTILIZACION DEL PROCESO SE GENERAN LOS CONTACTOS DE LA PARED DELANTERA DE LAS CELULAS SOLARES, Y CONTENIENDO CELULAS SOLARES CON UN GRADO DE ACCION MEJORADO.

Secciones de la CIP Electricidad Construcciones fijas

(16/02/1997). Inventor/es: PERKONIGG, ERWIN, RIERMEIER, MANFRED. Clasificación: H01L31/042, E04F13/08.

SE PROPONE UNA PINZA DE MONTAJE PARA LA SUJECION DE CUERPOS EN FORMA DE PLACA SOBRE UNA PLACA DE ASIENTO PLANA, QUE SE COMPONE DE UNA PLACA DE FONDO Y UN PERFIL EN FORMA DE U DUPLICADA. A TRAVES DE LA INTRODUCCION DE LOS CUERPOS A SUJETAR EN LAS DIFERENTES PINZAS EN FORMA DE U SE CONSIGUE UNA DISPOSICION DEL TIPO DE RIPIA SOLAPADA DE FORMA SENCILLA EN LA ZONA DE LOS BORDES DEL CUERPO SOBRE LA PLACA BASE DE ASIENTO.

Sección de la CIP Electricidad

(16/10/1996). Inventor/es: HOLDERMANN, KONSTANTIN. Clasificación: H01L31/0236, H01L31/0224.

PARA GENERAR UNA METALIZACION BIEN ADHERIDA EN SUPERFICIES DE SEMICONDUCTORES, SE PROPONE EL DISPONER LOS SEMICONDUCTORES EN UN CAJEADO EN FORMA DE ZANJA QUE POR LO MENOS PRESENTA UN LIMITE DE CAJEADO DE ZANJA TEXTURADO.

Sección de la CIP Electricidad

(16/04/1995). Inventor/es: HOLDERMANN, KONSTANTIN, DIPL.-CHEM.-ING. Clasificación: H01L31/0236, H01L21/306.

UN PROCEDIMIENTO PARA EL TRATAMIENTO QUIMICO HUMEDO DE LA ESTRUCTURA DE SILICIO EN EL QUE LA SUPERFICIE DEL SILICIO SE PONE EN CONTACTO CON UNA SOLUCION QUIMICA, QUE CONTIENE AGUA, UN REACTIVO BASICO, ALCOHOL Y SILICIO U OXIDO DE SILICIO DEBE PERMITIR LA FABRICACION REPRODUCIBLE DE DETERMINADAS ESTRUCTURAS SUPERFICIALES UNIDA A UN TEXTURADO COMPLETO DE LA SUPERFICIE DEL DISCO. A LA SOLUCION QUIMICA SE AGREGA OXIGENO.