7 patentes, modelos y diseños de Gebr. Schmid GmbH

(06/03/2019) Dispositivo para la fabricación de capas finas sobre substratos, especialmente para la fabricación de células solares, con - un camino de transporte horizontal con rodillos transportadores , que consisten en un material resistente a la temperatura, no metálico, para el transporte de los substratos en servicio continuo, - un dispositivo de revestimiento APCVD dispuesto sobre el camino de transporte para la aplicación de las capas finas mediante un procedimiento APCVD a temperaturas de más de 250°C, - un dispositivo calentador y un dispositivo de sumnistro de gas de purga , que están dispuestos en el área del dispositivo de revestimiento APCVD en el lado del camino de transporte opuesto…

(25/03/2015) Método para el tratamiento de una superficie de substrato de un substrato plano con un medio de proceso en la cara inferior del substrato, donde el medio de proceso presenta un efecto cáustico o corrosivo sobre la superficie del substrato, y donde los substratos se humedecen encontrándose horizontalmente con el medio de proceso desde abajo, caracterizado por el hecho de que la cara superior del substrato orientada hacia arriba se humedece o cubre en gran parte o completamente con agua o un líquido de protección correspondiente como protección frente a la influencia o el alcance del medio de proceso o sus emisiones de gas sobre la cara superior del substrato.

(03/12/2014) Método para el tratamiento de obleas de silicio para la fabricación de células solares, donde sobre la superficie de la oblea de silicio se aplica un líquido de tratamiento para la texturización, donde el líquido de tratamiento presenta un aditivo, caracterizado por el hecho de que el líquido de tratamiento presenta como aditivo etilhexanol o ciclohexanol.

(24/10/2013) Procedimiento para el tratamiento de substratos, particularmente para la fabricación de módulos fotovoltaicos, dondeen una etapa del procedimiento se eliminan capas resistentes de los substratos mediante pulverizaciones ohumedecimiento con ayuda de una solución de proceso introducida en un ciclo, donde los substratos en primerlugar se humedecen o rocían en un módulo de extracción principal y luego en un módulo de extracción sucesivo con la solución de proceso y la solución de proceso se acumula en recipientes bajo de los módulos, donde para elmódulo de extracción principal y el módulo de post-extracción o sucesivo respectivamente al menos se prevé unrecipiente…

(03/06/2013) Procedimiento para el recubrimiento de una superficie de una célula solar con un metal,especialmente para la producción de estructuras de electrodos, donde la célula solar se sumerge en un bañode recubrimiento que contiene el metal y se irradia luz esencialmente sobre toda la superficie arecubrir, dicha luz es irradiada por varias fuentes de luz en el baño de recubrimiento para elrecubrimiento de la superficie inducido por la luz o asistido por la luz en el baño de recubrimiento, donde lasfuentes de luz emiten luz esencialmente en un rango de longitud de onda de luz que se ajusta a un rangode longitud de onda de transmisión del baño de recubrimiento para la minimización de la absorción de luzmediante el baño de recubrimiento, caracterizado por el hecho de que las fuentes de luz …

(02/05/2012) Procedimiento para el tratamiento de células solares , que muestran sobre un lado superior una capa activa con una capa antirreflejo encima, con las etapas: - producir varias cavidades en la capa antirreflejo mediante láser (20a), que llegan hasta la capa activa dedebajo, - introducir material de contacto sólo en las cavidades o sobre el fondo de las cavidades , - caldeamiento (20b) o calentamiento del material de contacto en las cavidades para la unión con el material de la capa activa colindante , con lo cual el calentamiento o caldeamiento del material de contacto tiene lugar localmente sólo en el material decontacto en las cavidades por radiación sólo del material de contacto con un láser (20b).

(07/03/2012) Procedimiento para la dotación selectiva de silicio de un sustrato de silicio para la producción de una transición-pn en el silicio con las siguientes etapas: a) provisión de la superficie del sustrato de silicio con un agente de dotación basado en fósforo, b) calentamiento siguiente del sustrato de silicio para la generación de un cristal de silicato de fósforo sobre la superficie del silicio, en el que se difunde al mismo tiempo fósforo en el interior del silicio como primera dotación , c) aplicación de una máscara sobre el cristal de silicato de fósforo , de tal manera que la máscara cubre…