68 patentes, modelos y diseños de ENERGY CONVERSION DEVICES, INC. (pag. 2)

Sección de la CIP Electricidad

(16/09/1985). Clasificación: H01L31/052.

SISTEMA PARA HACER DISPOSITIVOS FOTOVOLTAICOS.CONSTA DE; UNA FUENTE DE SUMINISTRO (11A) DE SUSTRATO O CONDUCTOR CONTINUO ; UNA CAMARA DE PREPARACION DE LA SUPERFICIE DEL SUSTRATO; UNA CAMARA DE DEPOSICION DE VAPOR METALICO Y UNA PLURALIDAD DE CAMARAS DE DEPOSICION DOTADAS DE, UN DISPOSITIVO DE ELECTRODO , UN CONDUCTO DE SUMINISTRO DE GAS , UN CONDUCTO DE DESGASIFICACION ; UN GENERADOR DE RADIOFRECUENCIA , UNA RED DE SINTONIZACION , UNA PLURALIDAD DE ELEMENTOS DE CALENTAMIENTO POR CALOR RADIANTE Y UNA PUESTA DE GAS.

Sección de la CIP Química y metalurgia

(16/06/1985). Clasificación: C23C14/00.

PROCEDIMIENTO PARA DEPOSITAR UNA PELICULA ELECTRICAMENTE CONDUCTORA, DELGADA Y TRANSMISORA DE LA LUZ.INCLUYE LOS SIGUIENTES PASOS: VACUODESHIDRATAR UNA CAMARA ; SOSTENER UN SUSTRATO EN LA CAMARA; PROPORCIONAR UNA FUENTE DE MATERIAL METALICO ; EVAPORAR EL MATERIAL METALICO EN LA CAMARA VACUODESHIDRATADA PARA PRODUCIR UN VAPOR METALICO EN LA ZONA FORMADA ENTRE EL SUSTRATO Y LA FUENTE DE MATERIAL METALICO; INTRODUCIR GAS DE OXIGENO EN LA ZONA; COLOCAR UNA FUENTE DE CATODO ENERGIZADO DE RADIOFRECUENCIA ADYACENTE A LA FUENTE DEL MATERIAL METALICO; Y ENERGIZAR EL CATODO PARA DESARROLAR UN PLASMA IONIZADO.

Sección de la CIP Electricidad

(16/03/1985). Clasificación: H01L31/0224.

METODO PARA FABRICAR UNA CINTA LAMINADA LIGERA Y CONTINUA QUE CONTIENE CELULAS SOLARES DE GRAN AREA, ENCAPSULADAS, SEPARADAS E INTERCONECTADAS ELECTRICAMENTE A PARTIR DE UN ROLLO ALARGADO DE UN MATERIAL DE CELULAS O CELDAS SOLARES.COMPRENDE LAS SIGUIENTES OPERACIONES: PRIMERA, SE MOVILIZA EL MATERIAL DE CELDAS SOLARES DE UNA ESTACION DE DESENROLLAMIENTO, A TRAVES DE MULTIPLES ESTACIONES FUNCIONALES; SEGUNDA, SE INTERCONECTAN ELECTRICAMENTE LAS CELDAS SOLARES ADYACENTES, DE GRAN AREA, EN UNA DE LAS ESTACIONES FUNCIONALES, DE MANERA QUE SE OBTENGA UNA CINTA LAMINADA CONTINUA; Y POR ULTIMO, SE SUJETAN MULTIPLES DISPOSITIVOS DE CONTACTO A CADA CELDA SOLAR DE GRAN AREA.

Sección de la CIP Electricidad

(01/03/1985). Clasificación: H01L31/075.

METODO PARA ACTIVAR UN POTENCIAL Y ELIMINAR LAS TRAYECTORIAS DE CORRIENTE DE CORTOCIRCUITO ACTIVADAS.CONSISTE EN: A) APLICAR UNA POLARIZACION AL DISPOSITIVO FOTOVOLTAICO QUE TIENE: UNA REGION SEMICONDUCTORA POR ENCIMA DE UN SUSTRATO Y CON UNA SUPERFICIE DE INTERFAZ OPUESTA AL SUSTRATO, Y UNA CAPA DE UN MATERIAL CONDUCTOR TRANSMISOR DE LA LUZ, POR ENCIMA DE LA SUPERFICIE DE INTERFAZ DE LA REGION SEMICONDUCTORA, PARA CONVERTIR LOS DEFECTOS POTENCIALES LATENTES EN TRAYECTORIAS DE CORRIENTE DE CORTOCIRCUITO EXISTENTES; Y B) AUMENTAR CONSIDERABLEMENTE LA RESISTIVIDAD DE LAS TRAYECTORIAS DE CORRIENTE DE CORTOCIRCUITO DE MANERA SELECTIVA EN LA SUPERFICIE DE INTERFAZ DE LA REGION SEMICONDUCTORA.

Sección de la CIP Electricidad

(01/03/1985). Clasificación: H01L27/14.

PERFECCIONAMIENTOS INTRODUCIDOS EN UNA CELULA FOTOVOLTAICA DE GRAN AREA.CONSISTENTES EN LA COMBINACION DE UN PATRON DE MATERIAL ELECTRICAMENTE AISLANTE EN LA PARTE SUPERIOR DEL CUERPO SEMICONDUCTOR, DIVIDIENDO EL PATRON LA CELULA O CELDA DE AREA GRANDE EN LA MATRIZ DE SEGMENTOS DE AREA PEQUEÑA; Y EL GRUESO DEL PATRON DE MATERIAL AISLANTE DE 0,0254 MM ES MAYOR QUE EL GRUESO DEL REVESTIMIENTO TRANSPARENTE ELECTRICAMENTE CONDUCTOR DE MANERA TAL QUE EL MATERIAL AISLANTE A BASE DE PASTA DE SILICIO SEPARA Y AISLA ELECTRICAMENTE LOS SEGMENTOS DE AREA PEQUEÑA ADYACENTES.

Sección de la CIP Química y metalurgia

(01/03/1985). Clasificación: C23C16/50.

PROCEDIMIENTO PARA DEPOSITAR UN MATERIAL TRANSPARENTE ELECTRICAMENTE AISLANTE SOBRE UN DISPOSITIVO FOTOVOLTAICO.CONSISTE EN: A) FACILITAR UNA FUENTE DE ENERGIA DE MICROONDAS ; B) ACOPLAR LA ENERGIA DE MICROONDAS A UN RECIPIENTE DE REACCION CERRADO QUE CONTIENE EL SUSTRATO SOBRE EL QUE HA DE DEPOSITARSE LA PELICULA SEMICONDUCTORA AMORFA ; Y C) INTRODUCIR EN EL RECIPIENTE GASES DE REACCION INCLUYENDO SILICIO Y NITROGENO U OXIGENO. LA ENERGIA DE MICROONDAS Y LOS GASES DE REACCION FORMAN UN PLASMA DE DESCARGA LUMINOSA EN EL INTERIOR DEL RECIPIENTE PARA DEPOSITAR SOBRE EL SUSTRATO UNA PELICULA SEMICONDUCTORA AMORFA A PARTIR DE LOS GASES DE REACCION.

Sección de la CIP Química y metalurgia

(16/02/1985). Clasificación: C23C16/50.

PROCEDIMIENTO Y DISPOSITIVO PARA DEPOSITAR PELICULAS DE ALEACION SEMICONDUCTORA AMORFA SOBRE UN SUSTRATO.COMPRENDE LAS SIGUIENTES OPERACIONES: PRIMERA, SE PREVEE UNA FUENTE DE ENERGIA DE MICROONDAS; SEGUNDA, SE ACOPLA DICHA FUENTE DE ENERGIA DE MICROONDAS A UN RECIPIENTE DE REACCION SUSTANCIALMENTE CERRADO QUE CONTIENE EL SUSTRATO; Y POR ULTIMO, SE INTRODUCEN EN EL RECIPIENTE GASES DE REACCION, INCLUYENDO DICHOS GASES AL MENOS UN COMPUESTO QUE ES SEMICONDUCTOR, PARA FORMAR UN PLASMA DE DESCARGA LUMINOSA EN EL INTERIOR DE DICHO RECIPIENTE Y PARA DEPOSITAR UNA PELICULA SEMICONDUCTORA AMORFA.

Sección de la CIP Electricidad

(16/12/1984). Clasificación: H01L31/052.

METODO Y APARATO DE HACER UN DISPOSITIVO FOTOVOLTAICO.COMPRENDE: A) DEPOSITAR EN FASE DE VAPOR UN MATERIAL REFLECTOR COMO AU, AG, AL, CU, CR O MO SOBRE SL SUSTRATO PARA FORMAR UN REFLECTOR ESPECULAR; Y B) DEPOSITAR UNA VARIEDAD DE MATERIALES SEMICONDUCTORES AMORFOS, COMO ALEACIONES DE SILICIO DE TIPO P, I Y N SOBRE EL REFLECTOR, HACIENDO AVANZAR AL SUSTRATO A TRAVES DE LAS CAMARAS DE DEPOSICION DE MATERIAL SEMICONDUCTOR. CONSTA DE UNA CAMARA DE PREPARACION DE SUPERFICIE DEL SUSTRATO; UNA CAMARA DE DEPOSICION DE VAPOR METALICO Y VARIAS CAMARAS DE DEPOSICION DE SEMICONDUCTOR AMORFO QUE INCLUYEN UN DISPOSITIVO DE ELECTRODO , UN CONDUCTO DE SUMINISTRO DE GAS , UN CONDUCTO DE DESGASIFICACION Y VARIOS CALENTADORES DE CALOR RADIANTE.

Sección de la CIP Física

(16/12/1984). Clasificación: G01R31/02.

METODO PARA ELIMINAR UN PASO DE CORRIENTE DE CORTOCIRCUITO A TRAVES DE UN DISPOSITIVO FOTOVOLTAICO.CONSISTE EN: A) APLICAR UN REVESTIMIENTO DE UNA SOLUCION ACIDA, NEUTRA O ALCALINA DE UN ELECTROLITO AL MATERIAL TRANSMISOR DE LUZ CONDUCTOR QUE QUEDA POR ENCIMA DE LA REGION SEMICONDUCTORA DEL DISPOSITIVO FOTOVOLTAICO , EN EL AREA DE TRAYECTORIA O PASO DE CORRIENTE DE CORTOCIRCUITO ; B) APLICAR UN POTENCIAL DE VOLTAJE ENTRE EL ELECTROLITO Y EL SUSTRATO Y HACER PASAR UNA CORRIENTE EN LA TRAYECTORIA DE CORRIENTE DE CORTOCIRCUITO Y EL ELECTROLITO, PARA SEPARAR EL MATERIAL TRANSMISOR DE LUZ CONDUCTOR EN CONTACTO CON ; Y C) DEPOSITAR UN AISLANTE EN LA REGION SEMICONDUCTORA DONDE SE HA QUITADO A.

Sección de la CIP Química y metalurgia

(16/11/1984). Clasificación: C23C16/54.

VALVULA DESTINADA A EVITAR LA DIFUSION DE GASES ENTRE CAMARAS DE DEPOSICION ADYACENTES.CONSTAN DE UN PASO RELATIVAMENTE ESTRECHO PARA INTERCONECTAR OPERATIVAMENTE UN PAR DE CAMARAS DE DEPOSICION ADYACENTES Y REDUCIR SUSTANCIALMENTE LA DISFUNCION ENTRE DICHO PAR DE CAMARAS; DE MEDIOS QUE FACILITAN EL PASO DE MATERIAL DE SUSTRATO DESDE UNA DE LAS DOS CAMARAS A LA OTRA CAMARA; Y DE CANALES DE FLUJO QUE MANTIENEN UNA COMUNICACION HIDRAULICA CON AMBAS CAMARAS DE DEPOSICION ADYACENTES.

Sección de la CIP Química y metalurgia

(01/11/1984). Clasificación: C23C16/50.

SISTEMA DE CATODO DE CORRIENTE ARRIBA O DE PREDEPOSICION PARA SER USADO CON UN APARATO DE DEPOSICION DE DESCARGA LUMINISCENTE, ESTANDO DICHO APARATO ADAPTADO PARA LA PRODUCCION CONTINUA DE DISPOSITIVOS FOTOVOLTAICOS DE GRAN AREA.CONSISTE EN UN MEDIO DE DESCARGA LUMINISCENTE SITUADO CORRIENTE ARRIBA DE LA REGION DE PLASMA DE DEPOSICION, EL CUAL ESTA ADAPTADO PARA DESARROLLAR UNA REGION DE PLASMA CORRIENTE ARRIBA, SIENDO LA PELICULA SEMICONDUCTORA DEPOSITADA SOBRE LA SUPERFICIE DEL SUSTRATO DE UNA COMPOSICION QUIMICA ESENCIALMENTE HOMOGENEA Y UNIFORME A TRAVES DE TODA LA SUPERFICIE DEL SUSTRATO DE AREA GRANDE.

Sección de la CIP Química y metalurgia

(16/09/1984). Clasificación: C23C16/54.

METODO PARA DEPOSICION DE UN CUERPO DE MATERIAL AMORFO DE SILICIO, EN CAPAS MULTIPLES SOBRE UN SUSTRATO, TENIENDO DICHO CUERPO POR LO MENOS DOS CAPAS DE COMPOSICION DIFERENTES.COMPRENDE LAS SIGUIENTES OPERACIONES: PRIMERA, EN DOS CAMARAS APROPIADAS SE INTRODUCEN UNOS MATERIALES DE INICIACION, A PARTIR DE LOS CUALES SE OBTIENEN LAS CAPAS DE MATERIAL DEPOSITADAS, SIENDO LOS MATERIALES DEPOSITADOS EN CADA UNA DE LAS CAMARAS DE COMPOSICION DIFERENTE; SEGUNDA, SE TRANSFIERE EL SUSTRATO DEPOSITADO SOBRE LA SEGUNDA CAMARA A LA PRIMERA CAMARA, DEPOSITANDOLOENCIMA DEL SUSTRATO DEPOSITADO EN DICHA PRIMERA CAMARA; Y POR ULTIMO, SE ESTABLECE UNA CIRCULACION DE GAS DESDE LA PRIMERA HASTA LA SEGUNDA CAMARA.

Sección de la CIP Química y metalurgia

(16/08/1984). Clasificación: C23C16/44.

SISTEMA PARA INTRODUCIR, CONFINAR Y EVACUAR GASES DE ELABORACION, EN UN SITIO ADYACENTE A LA REGION DE CATODO DE UN APARATO DE DEPOSITO POR DESCARGA DE EFLUVIO, ESTANDO DICHO APARATO ADAPTADO PARA DEPOSITAR CUANDO MENOS UNA CAPA DE UN MATERIAL SEMICONDUCTOR SOBRE UN SUSTRATO.CONSTA DE UNA PRIMERA CAMARA DE DEPOSITO EN LA QUE SE DEPOSITA UNA CAPA SEMICONDUCTORA DEL TIPO P SOBRE UN SUSTRATO ; DE UNA SEGUNDA CAMARA DE DEPOSITO EN LA QUE SE DEPOSITA UNA CAPA SEMICONDUCTORA AMORFA SOBRE LA CAPA P; Y DE UNA TERCERA CAMARA DE DEPOSITO EN LA QUE UNACAPA SEMICONDUCTORA DE TIPO N SE DEPOSITA SOBRE LA CAPA SEMICONDUCTORA AMORFA.

Sección de la CIP Química y metalurgia

(03/04/1984). Clasificación: C23C16/54.

COMPUERTA MAGNETICA DE GAS PARA REDUCIR LA RETROCIRCULACION DE GASES.LA COMPUERTA (42A, 42B) CONECTA DOS CAMARAS DE DEPOSICION ADYACENTES UTILIZADAS PARA DEPOSITAR CAPAS SUCESUVAS SOBRE UNA HOJA DE MATERIAL DE SUSTRATO A PARTIR DE GASES INTRODUCIDOS SEPARADAMENTE EN CADA CAMARA. PARA IMPEDIR LA CONTAMINACION MUTUA DE LA ATMOSFERA DE LAS CAMARAS POR DIFUSION A TRAVES DE LA COMPUERTA DE GAS, ESTA UTILIZA UN CAMPO MAGNETICO, ADAPTADO PARA EMPUJAR A LA SUPERFICIE NO PROVISTA DE LA CAPA DE SUSTRATO MAGNETICO, EN CONTACTO DESLIZANTE CON UNA DE LAS PAREDES DEL PASO FORMADOEN LA COMPUERTA DE GAS.

Sección de la CIP Electricidad

(16/03/1984). Clasificación: H01L31/052.

3 DISPOSITIVO FOTOVOLTAICO HECHO DE MATERIAL SEMICONDUCTOR.EL DISPOSITIVO INCLUYE AL MENOS UNA REGION ACTIVA SOBRE LA CUAL PUEDE CHOCAR LA RADIACION INCIDENTE PARA PRODUCIR PORTADORES DE CARGA. INCLUYE TAMBIEN UNOS MEDIOS DIRECTIVOS DE LAS RADIACIONES PARA DIRIGIR AL MENOS UNA PARTE DE ELLAS A TRAVES DE DICHA REGION ACTIVA CON UN ANGULO SUFICIENTE PARA HACER QUE LAS RADIACIONES SE MANTENGAN EN EL INTERIOR DEL DISPOSITIVO FOTOVOLTAICO.

Sección de la CIP Química y metalurgia

(01/03/1984). Clasificación: C23C16/50.

PROCEDIMIENTO Y APARATO PARA PRODUCIR DE FORMA CONTINUA CELULAS FOTOVOLTAICAS AMORFAS EN TANDEM.EL APARATO COMPRENDE: UNA TRIADA DE CAMARAS DE DEPOSICION PARA CADA UNIDAD DE TRES CAPAS DE LAS CELULAS EN TANDEM; UN DISPOSITIVO PARA DESPLAZAR CONTINUAMENTE EL MATERIAL DEL SUBSTRATO DE TRAVES DE CADA TRIADA DE CAMARAS EN DEPOSICION; UN DISPOSITIVO PARA DEPOSITAR LAS SUCESIVAS CAPAS DE LAS UNIDADES; UN DISPOSITIVO ASOCIADO ACTIVAMENTE CON CADA CAMARA DE CADA TRIADA, PARA INTRODUCIR UNA MEZCLA GASEOSA DE REACCION PREDETERMINADA ENELLA; UN DISPOSITIVO PARA IMPEDIR LA CONTAMINACION MUTUA DE LA MEZCLA GASEOSA CONTENIDA EN LA TERCERA CAMARA DE CADA TRIADA CON LA MEZCLA GASEOSA CONTENIDA EN LA PRIMERA CAMARA ; Y UN DISPOSITIVO (58D, 58E, 58H, 58I) PARA AISLAR LA MEZCLA GASEOSA CONTENIDA EN LA SEGUNDA CAMARA DE CADA TRIADA DE LAS MEZCLAS GASEOSAS CONTENIDAS EN LA PRIMERA Y TERCERA CAMARA.

Sección de la CIP Química y metalurgia

(16/10/1983). Clasificación: C23C16/54.

SISTEMA PARA LA DEPOSICION DE UN CUERPO DE MATERIAL DE SILICIO AMORFO EN CAPAS MULTIPLES SOBRE UN SUSTRATO. COMPRENDE UNA PRIMERA CAMARA QUE INCLUYE UN DISPOSITIVO PARA DEPOSITAR SOBRE EL SUSTRATO UNA PRIMERA CAPA DE MATERIAL, UNA SEGUNDA CAMARA QUE INCLUYE UN DISPOSITIVO PARA DEPOSITAR SOBRE DICHO SUSTRATO UNA SEGUNDA CAPA DE MATERIAL QUE TIENE UNA COMPOSICION, QUE DIFIERE DE LA COMPOSICION DE LA PRIMERA CAPA POR LA AUSENCIA DE AL MENOS UN ELEMENTO, UN DISPOSITIVO PARA TRANSFERIR EL SUSTRATO DESDE LA PRIMERA CAMARA A LA SEGUNDA, UN DISPOSITIVO DE FUENTE PARA SUMINISTRARA LA SEGUNDA CAMARA AL MENOS UN GAS Y UN DISPOSITIVO DE AISLAMIENTO DE LA SEGUNDA CAMARA RESPECTO AL ELEMENTO AL MENOS EN EL INTERIOR DE LA PRIMERA CAMARA, QUE INCLUYE UN DISPOSITIVO PARA ESTABLECER UNA CIRCULACION UNIDIRECCIONAL DEL GAS AL MENOS A PARTIR DE LA SEGUNDA CAMARA HASTA LA PRIMERA CAMARA.SE UTILIZA PARA LA PRODUCCION DE CELULAS FOTOVOLTAICAS.

Sección de la CIP Química y metalurgia

(01/06/1983). Clasificación: C23C16/50.

DISPOSITIVO DE UNION P-N O P-I-N PARA CELULAS SOLARES. EL DISPOSITIVO ESTA CONSTITUIDO POR UN SUBSTRATO QUE INCLUYE UN ELECTRODO METALICO, UN MATERIAL QUE CONTIENE POR LO MENOS UN ELEMENTO QUE INCLUYE SILICIO, TAL COMO UNA MEZCLA DE SIF Y H , DEPOSITADO SOBRE DICHO ELECTRODO CALENTADO A UNA TEMPERATURA ENTRE 500 Y 800 C MEDIANTE DEPOSICION POR DESCARGA LUMINISCENTE CONSECUTIVA DE POR LO MENOS DOS ALEACIONES DE TIPO DE CONDUCTIVIDAD OPUESTO, P Y N, SIENDO POR LO MENOS UNA DE ELLAS UNA ALEACION SUSTANCIALMENTE AMORFA. LA ALEACION QUE CONTIENE SILICIO DE TIPO P INCORPORA POR LO MENOS UN ELEMENTO METALICO P-IMPURIFICADOR, TAL COMO BORO, EVAPORADOR Y ES DEPOSITADA HASTA UN ESPESOR INFERIOR A 1000 A, Y LA ALEACION QUE CONTIENE SILICIO DE TIPO N INCORPORA POR LO MENOS UN ELEMENTO N-IMPURIFICADOR DURANTE SU DEPOSICION.

Sección de la CIP Química y metalurgia

(01/06/1983). Clasificación: C23C16/50.

METODO DE FABRICACION DE UN PANEL FOTOVOLTAICO. SE FORMA UN ROLLO DE UNA HOJA DE SUSTRATO FLEXIBLE, DESENROLLANDOSE DICHO ROLLO DE SUSTRATO DE FORMA CONTINUA EN UN ESPACIO PARCIALMENTE EVACUADO QUE CONTIENE AL MENOS UNA REGION DE DEPOSICION DE SILICIO DONDE SE DEPOSITAN SOBRE UNA PORCION DEL SUSTRATO AL MENOS DOS ALEACIONES DE SILICIO FLEXIBLES Y DELGADAS QUE SON DE TIPO DE CONDUCTIVIDAD OPUESTO, FORMANDO UNA O MAS DE LAS CITADAS ALEACIONES UNA O VARIAS REGIONES DE AGOTAMIENTO FOTOVOLTAICOS, Y CADA UNA DE LAS ALEACIONES DE SILICONA SE DEPOSITA EN UNA REGION DE DESCARGA LUMINISCENTE DISTINTA, PASADA LA CUAL DICHA BOBINA SE LLEVA A FORMAR UN PROCESO DE DEPOSICION SUSTANCIALMENTE CONTINUO Y POSTERIORMENTE SE APLICA SOBRE DICHAS ALEACIONES DE SILICIO UNA CAPA FORMADORA DE ELECTRODO FLEXIBLE Y DELGADA, SOBRE POR LO MENOS ALGUNA DE LAS CITADAS REGIONES DE AGOTAMIENTO FOTOVOLTAICO.

Sección de la CIP Técnicas industriales diversas y transportes

(01/05/1983). Clasificación: B01J23/84.

DISPOSITIVO DE ELECTRODO PARA USO EN UNA CELULA ELECTROQUIMICA. CARACTERIZADO PORQUE INCLUYE UNA COMPOSICION DE POR LO MENOS DOS COMPONENTES; PORQUE LAS CANTIDADES RELATIVAS DE DICHOS COMPONENTES SON SUFICIENTES PARA MANTENER DICHA COMPOSICION CATALITICA EN EL ESTADO SUSTANCIALMENTE AMORFO; Y PORQUE DICHA COMPOSICION TIENE UNA CONFIGURACION ESTRUCTURAL NO EQUILIBRADA DEL ORDEN LOCALIZADO QUE DA LUGAR A UN CIERTO NUMERO DE POR LO MENOS UN TIPO DESEADO DE EMPLAZAMIENTOS CATALITICAMENTE ACTIVOS INTERDISPUESTOS A TRAVES DE LA COMPOSICION.

Sección de la CIP Técnicas industriales diversas y transportes

(16/04/1983). Clasificación: B22F9/10.

APARATO PARA PREPARAR UN MATERIAL VIDRIOSO AMORFO MODIFICADO O LO QUE ES LO MISMO, UN MATERIAL VIDRIOSO METALICO, DIELECTRICO O SEMICONDUCTOR. CONSTA DE UN SUSTRATO DE REFRIGERACION; DE UN DISPOSITIVO PARA FORMAR UN MATERIAL DE MATRIZ RECEPTORA SOBRE EL SUSTRATO; DE UN DISPOSITIVO PARA DIRIGIR UN MATERIAL FLUIDO QUE INCLUYE UN MATERIAL MODIFICADOR HACIA DICHO SUSTRATO; DE UN DISPOSITIVO PARA CONTROLAR LAS VELOCIDADES DE CIRCULACION Y ENFRIAMIENTO DEL MATERIAL FLUIDO; DE UN DISPOSITIVO QUE PRODUCE UN MOVIMIENTO RELATIVO ENTRE EL SUSTRATO Y LA CORRIENTE DE MATERIAL MODIFICADOR; Y DE UN DISPOSITIVO QUE MANTIENE EL SUSTRATO A UNA TEMPERATURA DE REFRIGERACION TAL, QUE ES CAPAZ DE REFRIGERAR LOS MATERIALES COMBINADOS DE MATRIZ RECEPTORA Y DE MODIFICADOR AL ENTRAR EN CONTACTO MUTUO.

Sección de la CIP Técnicas industriales diversas y transportes

(16/02/1983). Clasificación: B01J23/84.

_(PROCEDIMIENTO PARA REALIZAR UN CUERPO CATALITICO UTILIZABLE COMO ELECTRODO PARA TRATAMIENTOS ELECTROQUIMICOS . SE DIRIGEN POR LO MENOS DOS COMPONENTES EN UNA SUPERFICIE LA CUAL ESTA, DURANTE LA OPERACION, A UNA TEMPERATURA TAL Y LA OPERACION SE REALIZA DE TAL MANERA QUE SE OBTIENE UNA COMPOSICION ESTABLE SUSTANCIALMENTE AMORFA DE LOS DOS COMPONENTES POR LO MENOS Y QUE TIENE UNA CONFIGURACION ESTRUCTURAL NO EQUILIBRADA DE ORDEN LOCALIZADO QUE DA LUGAR A LA FORMACION DE POR LO MENOS UN TIPO DESEADO DE EMPLAZAMIENTOS CATALITICAMENTE ACTIVOS INTERDISPERSOS A TRAVES DEL CUERPO, SIENDO DICHOS EMPLAZAMIENTOS CATALITICAMENTE ACTIVOS DURANTE LA REACCION.

Sección de la CIP Química y metalurgia

(01/02/1983). Clasificación: C23C16/24.

METODO PARA PREPARAR UNA ALEACION AMORFA FOTOSENSIBLE DE UN MATERIAL QUE INCLUYE SILICIO Y QUE INCORPORA POR LO MENOS UN ELEMENTO REDUCTOR DE DENSIDAD DE ESTADOS, SIENDO DICHO ELEMENTO EL FLUOR. COMPRENDE LAS SIGUIENTES OPERACIONES: PRIMERA, SE DEPOSITA SOBRE UN SUSTRATO, MEDIANTE DEPOSICION A VACIO, UN MATERIAL QUE INCLUYE POR LO MENOS SILICIO Y QUE INCORPORA POR LO MENOS UN ELEMENTO REDUCTOR DE LA DENSIDAD DE ESTADOS, SIENDO DICHO ELEMENTO EL FLUOR; SEGUNDA, AL CITADO MATERIAL SE LE AÑADE POR LO MENOS UN ELEMENTO DE AJUSTE DE INTERVALO DE BANDA; Y POR ULTIMO, LA REACCION DE LA COMPOSICION FORMADA QUE CONTIENE SILICIO, PROVOCADA POR LA DEPOSICION A VACIO, ES CONTROLADA HASTA LA OBTENCION DE LA ALEACION BUSCADA. DE APLICACION EN DISPOSITIVOS FOTORRECEPTORES, EN MEDIOS FOTOCONDUCTORES Y EN DISPOSITIVOS FOTODETECTORES.

Sección de la CIP Química y metalurgia

(16/12/1982). Clasificación: C23C16/24.

METODO PARA PREPARAR UNA ALEACION AMORFA FOTOSENSIBLE A PARTIR DE UN MATERIAL QUE CONTIENE GERMANIO Y QUE INCORPORA POR LO MENOS UN ELEMENTO REDUCTOR DE LA DENSIDAD DE ESTADOS, SIENDO DICHO ELEMENTO EL FLUOR. CONSISTE EN DEPOSITAR SOBRE UN SUBSTRATO MEDIANTE DEPOSICION A VACIO UN MATERIAL QUE INCLUYE POR LO MENOS GERMANIO Y QUE INCORPORA EL ELEMENTO REDUCTOR DE LA DENSIDAD DE ESTADOS, SIENDO DICHO ELEMENTO EL FLUOR, MEDIANTE REACCION DE DICHO MATERIAL CON VAPOR, Y CON LA CONDICION DE QUE SE INTRODUCE POR LO MENOS UN ELEMENTO DE AJUSTE DE INTERVALO DE BANDA. LA ALEACION SE DEPOSITA CON UNA REGION FOTOSENSIBLE ACTIVA Y EN ELLA SE INTRODUCE EL ELEMENTO DE AJUSTE. DE APLICACION EN LA FABRICACION DE DISPOSITIVOS FOTORECEPTORES, TALES COMO CELULAS SOLARES.

Sección de la CIP Química y metalurgia

(16/12/1982). Clasificación: C23C16/24.

METODO PARA PREPARAR UNA ALEACION AMORFA FOTOSENSIBLE A PARTIR DE UN MATERIAL QUE CONTIENE SILICIO Y QUE INCORPORA POR LO MENOS UN ELEMENTO REDUCTOR DE LA DENSIDAD DE ESTADOS, SIENDO DICHO ELEMENTO EL FLUOR. CONSISTE EN DEPOSITAR SOBRE UN SUBSTRATO MEDIANTE DEPOSICION A VACIO UN MATERIAL QUE INCLUYE POR LO MENOS SILICIO Y QUE INCORPORA EL ELEMENTO REDUCTOR DE LA DENSIDAD DE ESTADOS, SIENDO DICHO ELEMENTO EL FLUOR, MEDIANTE REACCION DE DICHO MATERIAL CON VAPOR, Y CON LA CONDICION DE QUE SE INTRODUCE POR LO MENOS UN ELEMENTO DE AJUSTE DE INTERVALO DE BANDA. LA ALEACION SE DEPOSITA CON UNA REGION FOTOSENSIBLE ACTIVA Y EN ELLA SE INTRODUCE EL ELEMENTO DE AJUSTE. DE APLICACION EN LA FABRICACION DE DISPOSITIVOS FOTORECEPTORES, TALES COMO CELULAS SOLARES.

Sección de la CIP Química y metalurgia

(16/12/1982). Clasificación: C23C16/24.

METODO PARA PREPARAR UNA ALEACION AMORFA FOTOSENSIBLE. CARACTERIZADO PORQUE COMPRENDE EL DEPOSITAR SOBRE UN SUSTRATO, MEDIANTE DEPOSICION A VACIO, UN MATERIAL QUE INCLUYE POR LO MENOS SILICIO; PORQUE INCORPORA UN ELEMENTO REDUCTOR DE LA DENSIDAD DE ESTADOS, SIENDO DICHO ELEMENTO EL FLUOR, MEDIANTE REACCION DEL CITADO MATERIAL QUE INCLUYE SILICIO CON UNA DEPOSICION A VACIO, CON LA CONDICION DE QUE SE HA DE INTRODUCIR POR LO MENOS UN ELEMENTO DE INCREMENTO DE INTERVALO DE BANDA; PORQUE DICHO ELEMENTO DE INCREMENTO ES CARBONO O NITROGENO; PORQUE LA DEPOSICION A VACIO PUEDE SER UNA DEPOSICION CON VAPOR, UNA DEPOSICION DE CHISPA O UNA DEPOSICION MEDIANTE DESCARGA LUMINISCENTE; Y PORQUE LA ALEACION SE DEPOSITA CON UNA REGION FOTOSENSIBLE ACTIVA. DE APLICACION EN LA FABRICACION DE CELULAS SOLARES Y FOTODIODOS.

Sección de la CIP Química y metalurgia

(16/12/1982). Clasificación: C23C16/24.

DISPOSITIVO DE CELULAS MULTIPLES DE ALEACION FOTOSENSIBLE QUE TIENE INTERVALOS DE BANDA HECHOS A MEDIDA PARA APLICACIONES DE FOTORESPUESTA ESPECIFICAS. CARACTERIZADO PORQUE COMPRENDE POR LO MENOS DOS CELULAS, DE LAS CUALES UNA DE ELLAS INCLUYE UNA ALEACION DE CAPAS MULTIPLES AMORFAS, PRESENTANDO UNA REGION FOTOSENSIBLE ACTIVA; PORQUE POR LO MENOS UNA DE LAS CAPAS PERTENECIENTES A LA ALEACION DE CAPAS MULTIPLES AMORFAS TIENE UN ELEMENTO DE AJUSTE DE INTERVALO DE BANDA INCORPORADO EN ELLA, SIN AUMENTAR SUSTANCIALMENTE LOS ESTADOS EN DICHO INTERVALO; Y PORQUE DICHA CAPA DE ALEACION DE CELULA TIENE UN INTERVALO DE BANDA AJUSTADO PARA UNA FUNCION DE RESPUESTA A UNA LONGITUD DE ONDA ESPECIFICA, QUE ES DIFERENTE A LA CORRESPONDIENTE A LA OTRA U OTRAS CELULAS. DE APLICACION EN LA CONSTRUCCION DE FOTORECEPTORES, CELULAS SOLARES Y DISPOSITIVOS DE CONTROL DE CORRIENTE.

Sección de la CIP Técnicas industriales diversas y transportes

(16/12/1982). Clasificación: B22F9/10.

METODO PARA PREPARAR UN MATERIAL VIDRIOSO METALICO, DIELECTRICO O SEMICONDUCTOR. COMPRENDE LAS SIGUIENTES OPERACIONES: PRIMERA, SE PREPARA UN SUBSTRACTO DE REFRIGERACION; SEGUNDA, SE FORMA UN MATERIAL DE MATRIZ RECEPTORA SOBRE EL SUBSTRATO; TERCERA, SE DIRIGE POR LO MENOS UNA CORRIENTE DE MATERIAL MODIFICADOR HACIA DICHO SUBSTRATO EN UNA DIRECCION TAL QUE CONVERJA SOBRE EL MATERIAL DE MATRIZ RECEPTORA; CUARTA, SE CONTROLAN LAS VELOCIDADES DE CIRCULACION Y DE ENFRIAMIENTO DE LA CORRIENTE DE MATERIAL MODIFICADOR; QUINTA, SE REALIZA UN MOVIMIENTO RELATIVO ENTRE EL SUBSTRATO Y LA CORRIENTE DE MATERIAL MODIFICADOR; Y POR ULTIMO, SE MANTIENE DICHO SUBSTRATO A UNA TEMPERATURA DE REFRIGERACION PREDETERMINADA.

Sección de la CIP Química y metalurgia

(01/10/1982). Clasificación: C23C16/50.

METODO DE FABRICACION DE UNA ALEACION SEMICONDUCTORA DE TIPO P. SE DEPOSITA SOBRE UN SUSTRATO UN MATERIAL QUE CONTENGA COMO MINIMO SILICIO, MEDIANTE DESCARGA LUMINISCENTE DE UN COMPUESTO QUE CONTIENE POR LO MENOS SILICIO,EN UNA ATMOSFERA A VACIO PARCIAL. DURANTE LA DEPOSICION POR DESCARGA LUMINISCENTE DEL MATERIAL SE INTRODUCE UN METAL EVAPORADO COMO ELEMENTO P-IMPURIFICADOR EN LA REGION DE DESCARGA LUMINISCENTE DONDE SE DEPOSITA EL SILICIO,CUYO ELEMENTO METALICO P-IMPURIFICADOR SE DEPOSITA CON EL MATERIAL DE SILICIO DEPOSITADO POR DESCARGA LUMINISCENTE PARA PRODUCIR UNA ALECAION DEL TIPO P.

Sección de la CIP Electricidad

(16/01/1980). Clasificación: H01L21/205.

Un método de preparación de una película semiconductora amorfa o similar, con propiedades fotoconductoras y/u otras interesantes, consiste en depositar sobre un sustrato una película semiconductora amorfa sólida, por descomposición mediante descarga luminiscente de n compuesto en una atmósfera que independientemente contiene por lo menos otro elemento alterante, donde se incorpora una multiplicidad de diferentes elementos alterantes a dicha película semiconductora amorfa durante la deposición de la misma, dando un material semiconductor amorfo alterado con densidad menor de estados localizados en el intervalo de energía del mismo, de manera que se obtienen longitudes de difusión considerablemente aumentadas para aplicación en células solares y pueden agregarse efectivamente modificadores o dopantes para producir películas semiconductoras amorfas de tipo p o n de manera que las películas funcionan como los semiconductores cristalinos similares.

Sección de la CIP Electricidad

(16/11/1979). Clasificación: H01L21/205.

Un método de producción de una película semiconductora amorfa que comprende una matriz huésped semi conductora amorfa sólida, con configuraciones electrónicas que presentan un intervalo de energía y una baja densidad de estados localizados en dicho intervalo, cuyo método consiste en introducir en dicha película de matriz huésped semiconductora amorfa una pluralidad de materiales compensadores complementarios, cada uno de los cuales reduce los estados reducibles por cualesquiera cantidades utilizadas de los otros materiales compensadores, de manera que la combinación de los materiales compensadores, de manera que la combinación de los materiales compensadores produce una reducción de la densidad de estados localizados en el intervalo de energía mayor que la que podría conseguir uno cualquiera de los mismos por si solo.

Sección de la CIP Electricidad

(16/10/1979). Ver ilustración. Clasificación: H01L29/04.

Mejoras introducidas en un elemento conductor amorfo constituido por un material semiconductor amorgo caracterizadas porque incluyen una composición de una pluralidad de elementos, de los cuales uno por lo menos es un elemento de peso atómico constituido por boro, carbono, nitrógeno y oxígeno, que tiene la forma de una matriz de recepción amorfa sólida teniendo configuraciones estructurales de orden localizada en lugar de largo alcance y configuraciones electrónicas que proporcionan un intervalo de energía y una energía eléctrica de activación, y un material modificador añadido a dicha matriz de recepción amorfa y que tiene órbitas que reaccionan con la matriz de recepción amorfa y forman en el intervalo de energía estados electrónicos que modifican sustancialmente las configuraciones electrónicas de la matriz de recepción amorfa a la temperatura ambiente y a temperaturas superiores.