56 patentes, modelos y diseños de AMERICAN TELEPHONE & TELEGRAPH COMPANY

Sección de la CIP Electricidad

(01/04/1998). Ver ilustración. Inventor/es: HAAG, KENNETH WILLSON, LIU, SHEN-CHUNG, PETERS, JIM DUARD. Clasificación: H04Q11/04, H04M3/00.

APARATO Y METODO PARA DAR APOYO A UN APARATO DE GRUPO DE LINEAS DISTANTE DE UNA UNIDAD DE LINEAS UTILIZADO EN UN SISTEMA EN EL CUAL, PARA AMPLIAR LA COBERTURA DE UNA UNIDAD DE LINEAS UTILIZADA EN UN SISTEMA DE COMUNICACIONES, SE UTILIZA UN APARATO DE CENTRALIZACION DE LINEAS EN LUGAR DE UN APARATO DE GRUPO DE LINEAS TRADICIONAL EN UNA UNIDAD DE LINEAS. LA UNIDAD DE CENTRALIZACION COMUNICA INFORMACION DIRIGIDA AL APARATO DE GRUPO DE LINEAS, AL QUE SUSTITUYE, POR VIA DE UN MEDIO DE TRANSMISION A UNA UNIDAD DE GRUPO DE LINEAS DE LARGA DISTANCIA QUE ESTA SEPARADO GEOGRAFICAMENTE DE LA UNIDAD DE LINEAS. EL GRUPO DE LINEAS DE LARGA DISTANCIA DA APOYO A UNA PLURALIDAD DE LINEAS DE ABONADOS Y PRESTA SERVICIO SIN EXIGIR MUCHOS DE LOS ELEMENTOS NORMALMENTE NECESARIOS EN UN BASTIDOR NORMAL UTILIZADO EN UNA UNIDAD DE LINEAS TRADICIONAL.

Sección de la CIP Electricidad

(01/10/1991). Ver ilustración. Inventor/es: SINGH GREWAL, KALWANT, ROY ORDUN, MICHAEL, SHU-HUI QUAN, ZOE, JOSEPH SAWYER, ALBERT, LEE SNEED, ELBERT. Clasificación: H04Q11/04, H04Q3/545, H04M1/64, H04Q3/68.

PROCEDIMIENTO Y APARATO PARA PROCESAR UNA LLAMADA EN UN GRUPO DE BUSCA DE UN SISTEMA DE PROCESO DE LLAMADAS DISTRIBUIDO. EN UN SISTEMA DE CONMUTACION DE CONTROL DISTRIBUIDO, LOS GRUPOS DE BUSCA DE ACCESOS MULTIPLES SE CONTROLAN BUSCANDO ELEMENTOS DE GRUPOS DESOCUPADOS EN SECUENCIA, COMENZANDO CON LOS ELEMENTOS EN UNO DE LOS MODULOS DE CONMUTACION DEL SISTEMA Y CONTINUANDO A TRAVES DE UNA SECUENCIA PREDETERMINADA DE MODULOS HASTA QUE SE HALLA UN ELEMENTO DE UN GRUPO DESOCUPADO. EL DATO DE BUSCA DE OCUPADO/DESOCUPADO SE DISTRIBUYE A TRAVES DE LOS MODULOS, DE MANERA QUE CADA MODULO MANTENGA EL DATO DE BUSCA SOLAMENTE PARA LOS ELEMENTOS DE GRUPOS EN DICHO MODULO, SIN SER NECESARIO LA COMUNICACION DE CONTROL INTERMODULOS PARA ACTUALIZAR EL DATO DE BUSCA DE OTROS MODULOS. LA INVENCION ES DE APLICACION EN SISTEMAS DE CONMUTACION DIGITAL EN EL CAMPO DE LAS COMUNICACIONES.

Sección de la CIP Electricidad

(01/09/1990). Ver ilustración. Inventor/es: LEVY, ROLAND ALBERT, GALLAGHER, PATRICK KENT, GREEN, MARTIN LAURENCE. Clasificación: H01L31/0312.

METODO DE FABRICACION DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES. COMPRENDE LA ETAPA DE REACCIONAR AL MENOS DOS ENTIDADES REACTIVAS PARA FORMAR UN MATERIAL CONTENIENDO METAL SOBRE UNA REGION O REGIONES DE UN SUSTRATO PROCESADO O SIN PROCESAR. UN HECHO INHERENTE AL METODO ES EL RECONOCIMIENTO DE QUE UNA DE LAS ENTIDADES REACTIVAS REACCIONARA FRECUENTEMENTE CON EL MATERIAL DEL SUSTRATO PARA PRODUCIR RESULTADOS ALTAMENTE INDESEABLES, DESCONOCIDOS CON ANTERIORIDAD, POR EJEMPLO, LA EROSION CASI COMPLETA DE LOS COMPONENTES DE DISPOSITIVOS ANTERIORMENTE FABRICADOS. POR TANTO, SEGUN EL METODO DE LA INVENCION, SE EMPLEA CUALQUIERA DE DIVERSAS TECNICAS PARA REDUCIR LA VELOCIDAD DE REACCION ENTRE EL MATERIAL DEL SUSTRATO Y LA ENTIDAD QUE REACCIONA CON ESTE MATERIAL, AL TIEMPO QUE SE EVITA UNA REDUCCION SUSTANCIAL EN LA VELOCIDAD DE REACCION ENTRE LAS DOS ENTIDADES.

Sección de la CIP Electricidad

(16/08/1989). Inventor/es: BUHRKE, ROLFE ERWIN, SPENCER, DOUGLAS ALBERT, DAVIS, JAMES ALVIN. Clasificación: H04L5/22.

TRANSMISION RAPIDA DE DATOS EN PAQUETES PARA REDES DIGITALES. EN UNA RED DE COMUNICACIONES DE DATOS, QUE COMPRENDE UNA PLURALIDAD DE PUNTOS DE CONMUTACION DE DATOS, UN PROCEDIMIENTO PARA TRANSMITIR INFORMACION DIGITAL EN PAQUETES DESDE UN TERMINAL FUENTE HASTA UN TERMINAL DESTINO, CARACTERIZADO POR LAS ETAPAS DE: EN RESPUESTA A UNA PETICION PARA ESTABLECER UNA CONEXION DE DATOS DESDE EL REFERIDO TERMINAL FUENTE HASTA EL REFERIDO TERMINAL DESTINO, ASIGNAR SELECTIVAMENTE A UN PUNTO, DE LA REFERIDA PLURALIDAD DE PUNTOS DE CONMUTACION EN EL CAMINO DE DATOS ENTRE LOS REFERIDOS TERMINALES FUENTE Y DESTINO, UNA PALABRA DE CONTROL INDIVIDUAL DISTINTIVA; Y EN RESPUESTA A LA RECEPCION DE LA REFERIDA INFORMACION DIGITAL EN PAQUETES, EN EL REFERIDO PUNTO, DE LA PLURALIDAD DE PUNTOS DE CONMUTACION DEL CAMINO DE DATOS, EJECUTAR UNA SECUENCIA, DE UNA PLURALIDAD DE SECUENCIAS DE PASOS DE PROGRAMA, IDENTIFICADA POR LAREFERIDA PALABRA DE CONTROL INDIVIDUAL PARA PROCESAR LA REFERIDA INFORMACION DIGITAL EN PAQUETES.

Sección de la CIP Electricidad

(01/08/1988). Inventor/es: DIESEL, MICHAEL EVANS, TAFF, LOUIS MICHAEL. Clasificación: H04Q3/00, H04M3/58.

PROCEDIMIENTO DE DESPACHO DE LLAMADAS QUE PERMITE QUE LA PERSONA A QUIEN SE HACE LA LLAMADA DESPACHE, DE UNA FORMA SELECTIVA, LLAMADAS DE AVISO INDIVIDUALES BASADAS, POR EJEMPLO, EN LA IDENTIDAD DE LA PERSONA QUE HACE LA LLAMADA O DE LO OCUPADA QUE ESTE LA PERSONA QUE LA RECIBE EN CUALQUIER MOMENTO DEDO, PERO SIN EXIGIR QUE LA PERSONA A QUIEN SE HACE LA LLAMADA RESPONDA PRIMERO A LAS LLAMADAS. LA PERSONA A QUIEN SE HACE LA LLAMADA PUEDE EFECTUAR LA TRANSFERENCIA AUN CUANDO ESTE EN CONVERSACION CON TRA PERSONA.

Sección de la CIP Electricidad

(01/08/1988). Inventor/es: GAVRILOVICH, CHARLES DAN. Clasificación: H04B3/54.

DISPOSITIVO PARA SUMINISTRAR ENERGIA ELECTRICA DESDE UNA CENTRAL DE TELECOMUNICACIONES A UNA TERMINACION DE LA RED DISTANTE, QUE EMPLEA LOS HILOS CONDUCTORES DE UN BUCLE DE ABONADO DIGITAL DE DOS CONDUCTORES EN PARALELO, 7UTILIZANDO LA TOMA A TIERRA COMO TRAYECTO DE RETORNO. EN LA CENTRAL, DOS FUENTES DE ALIMENTACION PROPORCIONAN, POR SEPARADO, POTENCIA A LOS DOS HILOS DEL BUCLE PARALELO Y LA CORRIENTE SUMINISTRADA POR LAS DOS FUENTES DE ALIMENTACION SE AÑADE EN LA INTERFASE DISTANTE POR MEDIO DEL DEVANADO DE UN TRANSFORMADOR DE TOMA INTERMEDIA, QUE FORMA PARTE DEL TRANSFORMADOR UTILIZADO PARA LA TRANSMISION DE SEÑALES DE VOZ Y DE DATOS, CODIFICADAS DIGITALMENTE. UN CONVERTIDOR DC-DC, CONECTADO A LA TOMA INTERMEDIA, PROPORCIONA LA POTENCIA EXIGIDA PARA LA CIRCUITERIA DE LA INTERFASE. EL CONVERTIDOR DC-DC SE PONE A TIERRA A TRAVES DE UN FILTRO DE PASO BAJO, DISEÑADO PARA BLOQUEAR LAS SEÑALES DE RUIDO EN FRECUENCIA SUPERIOR.

Sección de la CIP Física

(16/07/1988). Ver ilustración. Inventor/es: BROER MENO MATTHIJS, WALKER, KENNETH LEE. Clasificación: G02B6/16.

FIBRA OPTICA PARA SISTEMAS DE COMUNICACION Y DETECCION QUE FUNCIONAN EN LONGITUDES DE ONDA LARGAS, V.G., LONGITUDES DE ONDA DE MAS DE APROXIMADAMENTE 2/UM, PERO MENOS DE UNAS 11/UM. CADA UNO DE ESTOS SISTEMAS INCLUYE UNA FIBRA OPTICA QUE TIENE UN MATERIAL, POR EJEMPLO UN CRISTAL DE HALURO METALICO, QUE ES SUSTANCIALMENTE TRANSPARENTE A LA RADIACION ELECTROMAGNETICA DE LONGITUD DE ONDA LARGA. ESTAS FIBRAS OPTICAS PRESENTAN UNA MICRODEFORMACION REDUCIDA Y PERDIDAS POR MACROFLEXION TAMBIEN REDUCIDAS, ASI COMO BAJAS DISPERSIONES TOTALES, A LONGITUDES DE ONDA LARGAS. AL CONTRARIO QUE OCURRE CON LA CREENCIA MANTENIDA ACTUALMENTE, ESTO SE CONSIGUE EMPLEANDO DISEÑOS DE FIBRAS OPTICAS QUE COMPRENDEN DIFERENCIAS DE INDICES DE REFRACCION RELATIVA COMPARATIVAMENTE PEQUEÑOS Y QUE EVITAN LA CRISTALIZACION INDESEABLE EN LAS ZONAS INTERFACIALES DEL REVESTIMIENTO Y EL NUCLEO O ALMA.

Sección de la CIP Electricidad

(16/03/1988). Clasificación: H01L21/314.

PROCEDIMIENTO PARA FORMAR UNA BARRERA O SELLO CONTRA LA PENETRACION DE IMPUREZAS, EN UN CIRCUITO INTEGRADO A BASE DE NITROXIDO DE SILICIO. SE SOMETE UNA CAPA DE DIOXIDO DE SILICIO, A UN RECOCIDO TERMICO RAPIDO, A TEMPERATURA ENTRE 1.200 Y 1.300JC, EN UNA ATMOSFERA QUE CONTIENE NITROGENO, POR EJEMPLO EN FORMA DE AMONIACO. SE OBTIENE ASI UNA CAPA DE SILICIO NITRURADO ENTRE 40 Y 400 A, EN CUYOS PRIMEROS 30 A SE ALCANZA UNA FRACCION DE NITROGENO DE 0,13.

Sección de la CIP Física

(16/12/1987). Clasificación: G06F5/06.

APARATO PARA ADMINISTRAR UNA FILA DE ESPERA. CONSTA DE: UNA PLURALIDAD DE ELEMENTOS DE PROCESO ; UN ADAPTADOR DE ENTRADA Y SALIDA (IÑO) ; UNA UNIDAD DE ALMACEN PRINCIPAL ; UN CONTROL ARBITRADOR DE BUS DE SISTEMA; UNAS UNIDADES DE MEMORIA DE CAPTACION Y UN BUS DE INFORMACION PARA TRANSICION DE BYTES. SE UTILIZA EN CENTRALES TELEFONICAS.

Sección de la CIP Física

(01/12/1987). Clasificación: G11C8/00.

MEMORIA SEMICONDUCTURA CON LINEA DE PALABRAS REFORZADAS. CONSTA DE UNA FORMACION DE CELULAS DE MEMORIA DESTINADAS A FUNCIONAR A UN VOLTAJE DE LA FUENTE DE ALIMENTACION Y DISPUESTAS EN FILAS Y COLUMNAS, COMPRENDIENDO LAS CELULAS DE LA MEMORIA UN TRANSISTOR DE ACCESO Y UN CAPACITOR DE ALMACENAMIENTO DE INFORMACION, EN DONDE UN CONDUCTOR DE COLUMNA SE CONECTA A UNA COLUMNA DE LAS REFERIDAS CELULAS DE LA MEMORIA Y UN CONDUCTOR DE FILA SE CONECTA A UNA FILA DE LAS REFERIDAS CELULAS DE LA MEMORIA; DE MEDIOS DE SELECCION DE FILAS PARA ELEGIR UNA FILA DADA APLICANDO UN VOLTAJE DE FILA AL CONDUCTOR DE FILA CORRESPONDIENTE; Y DE MEDIOS PARA AUMENTAR EL VOLTAJE DE FILA EN EXCESO AL VOLTAJE DE LA FUENTE DE ALIMENTACION DURANTE UN PERIODO INICIAL SIGUIENTE A LA SELECCION, Y PARA REDUCIR DESPUES EL VOLTAJE DE FILA A UN NIVEL IGUAL AL VOLTAJE DE LA FUENTE DE ALIMENTACION.

Sección de la CIP Electricidad

(01/12/1987). Clasificación: H01L21/74.

FABRICACION DE SEMICONDUCTORES SOBRE AISLANTES. CONSISTE EN FABRICAR CIRCUITOS INTEGRADOS SOI FORMANDO UNA SUPERFICIE DE SIBSTRATO PRECURSORA QUE INCLUYE ISLAS DE MATERIAL AISLANTE ELECTRICAMENTE, CADA UNA DE LAS CUALES ESTA RODEADA POR UN AREA DE SIEMBRA DE CRISTALIZACION DE MATERIAL SEMICONDUCTOR, MONOCRISTALINO. UN SISTEMA DE DELIMEACION DEL PATRON DEFINE LOS LIMITES DE LAS ISLAS SIENDO IDENTICO A UN SEGUNDO SISTEMA DELINEADOR, EL CUAL A SU VEZ ES UN COMPONENTE DE UN ELEMENTO QUE SE EMPLEA PARA DEFINIR LOS PATRONES DE LOS CIRCUITOS NECESARIOS PARA FORMAR UN CIRCUITO INTEGRADO. A CONTINUACION SE FORMA UNA CAPA DE MATERIAL SEMICONDUCTOR NO MONOCRISTALINO SOBRE LA SUPERFICIE PRECURSORA.

Sección de la CIP Física

(16/11/1987). Clasificación: G03F7/36.

PROCEDIMIENTO PARA FABRICAR DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE BURBUJA MAGNETICA Y DE COMUNICACION OPTICA. COMPRENDE: A) PROPORCIONAR UN PRECURSOR QUE CONTENGA UNA CAPA ORGANICA; B) SORBER UN GAS EN LA CAPA ORGANICA; C) IRRADIAR LA CAPA ORGANICA CON RADIACION ACTINICA; D) FORMAR UN COMPUESTO PROTECTOR EN UNA PORCION DE LA CAPA ORGANICA; Y E) SEPARAR POR EXPOSICION AL PLASMA, OTRA PORCION DEL PRECURSOR DEL DISPOSITIVO NO PROTEGIDO QUE NO ESTA PROTEGIDA POR EL COMPUESTO PROTECTOR. LA CAPA ORGANICA ES UNA CAPA SUBYACENTE EN UN MATERIAL RESISTIVO DE NIVELES MULTIPLES COMO UNA RESINA NOVOLACA Y POLIMERO QUE CONTIENE GRUPOS ACRILICOS ACIDOS; LA CAPA INORGANICA SE ELIGE ENTRE SILICIO (SI), GERMANIO (GE) Y ESTAÑO (SN) Y PERTENECE A UN COMPUESTO PROTECTOR DE DICHA CAPA ORGANICA; EL GAS ES UN HALURO ORGANICO Y EL PLASMA TIENE OXIGENO. SE UTILIZA PARA DELINEAR MODELOS EMPLEADOS PARA DEFINIR GEOMETRIA DE DISPOSITIVOS EN ESTADO SOLIDO O EN BURBUJA.

Sección de la CIP Electricidad

(16/11/1987). Clasificación: H04L12/56.

NUDO DE CONMUTACION PARA CONMUTAR PAQUETES DE SEÑALES DIGITALES ENTRE UNA PLURALIDAD DE TERMINALES DE ENTRADA Y DE SALIDA. CONSTA DE: UNOS CONTROLADORES DE ENTRADA DOTADOS CON TERMINALES DE ENTRADA Y CONECTADOS A LOS TEMPORIZADORES MEDIANTE LOS CABLES ; UNOS CONTROLADORES DE SALIDA DOTADOS CON TERMINALES DE SALIDA Y UN DISPOSITIVO DE CONEXION ENTRE LOS CONTROLADORES DE ENTRADA Y DE SALIDA, FORMADO POR UN CABLE QUE TIENE TRES CONDUCTORES Y LOS CABLES . SE UTILIZA EN ORDENADORES.

Sección de la CIP Electricidad

(16/11/1987). Clasificación: H01L21/28.

PROCEDIMIENTO PARA LA REALIZACION DE UN DISPOSITIVO TRANSISTOR MOS. COMPRENDE LAS ETAPAS DE FORMAR UN SURCO EN UNA SUPERFICIE DE SUSTRATO SEMICONDUCTOR, TENIENDO EL SURCO UN PAR DE PAREDES LATERALES OPUESTAS, UN PAR DE PAREDES EXTREMAS OPUESTAS Y UN FONDO; DE FORMAR UNA ESTRUCTURA DE PUERTA, EN EL SURCO, QUE SE EXTIENDE DESCENDIENDO DE UNA FORMA CONTINUA A LO LARGO DE UNA PARED LATERAL, A LO LARGO DEL FONDO Y ASCENDIENDO A LO LARGO DE LA OTRA PARED LATERAL, COMPRENDIENDO LA ESTRUCTURA DE LA PUERTA UNA CAPA DIELECTRICA Y UNA CAPA DE ELECTRODO SUPERPUESTA A LA CAPA DIELECTRICA; DE FORMAR UNA PRIMERA REGION DE IMPUREZA EN LAS REGIONES SUPERFICIALES DEL SURCO NO CUBIERTAS POR EL ELECTRODO PUERTA, PARA CREAR UN CONTACTO DE LA FUENTE CON LA REGION DE IMPUREZA, EN UN LADO DEL ELECTRODO PUERTA; Y DE FORMAR UN CONTACTO DEL DRENADOR CON LA REGION DE IMPUREZA EN EL OTRO LADO DEL ELECTRODO PUERTA.

Sección de la CIP Física

(01/07/1987). Clasificación: G03F7/004.

PROCEDIMIENTO LITOGRAFICO PARA LA FABRICACION DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES. CONSISTE EN FORMAR UN MATERIAL SENSIBLE A LA ENERGIA SOBRE UNA SUPERFICIE DE UN SUSTRATO; EXPONER A LA ENERGIA PORCIONES SELECCIONADAS DE DICHO MATERIAL SENSIBLE A ESTA; TRATAR EL MATERIAL SENSIBLE A LA ENERGIA CON UN AGENTE DE DESARROLLO; DONDE LA SUPERFICIE DEL SUSTRATO ES NO PLANAR, Y DONDE EL MATERIAL SENSIBLE A LA ENERGIA REVISTA A LA SUPERFICIE DEL SUSTRATO DE UN MODO PRACTICAMENTE CONFORMAL; FORMANDOSE EL MATERIAL SENSIBLE A LA ENERGIA POR DEPOSICION A PARTIR DE UN VAPOR O DE UNA NIEBLA. TIENEN APLICACION EN LA FABRICACION DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE CIRCUITOS INTEGRADOS.

Sección de la CIP Electricidad

(16/05/1987). Clasificación: H01L21/306.

METODO DE FABRICAR DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES. COMPRENDE: A) CONFINAR EL PLASMA EN UNA REGION QUE SE EXTIENDE LATERALMENTE DESDE LA PERIFERIA DEL SUSTRATO EN UNA DISTANCIA INFERIOR AL 20% DEL DIAMETRO EFICAZ DEL SUSTRATO, MEDIANTE SEPARACION CON UN MATERIAL DIELECTRICO EN LA PROXIMIDAD DEL SUSTRATO; B) MORDENTAR EN UN REACTOR UN PRIMER MATERIAL DE SUSTRATO POR CONTACTO CON ENTIDADES DE CLORO DE UN PLASMA DE GAS; Y C) TRATAR UN SEGUNDO MATERIAL DE SUSTRATO CON EL PLASMA DE GAS, PARA FORMAR EL DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR. EL PRIMER MATERIAL ES OXIDO DE SILICIO; EL SEGUNDO MATERIAL ES SILICIO; Y EL REACTOR TIENE UN CATODO HEXAGONAL PARA PRODUCIR PLASMA. TIENE APLICACIONES EN LA FABRICACION DE CIRCUITOS INTEGRADOS.

Sección de la CIP Electricidad

(01/05/1987). Clasificación: H04M19/00.

SISTEMA DE ALIMENTACION POR BATERIAS PARA ALIMENTAR DOS CIRCUITOS DE COMUNICACION. CADA CIRCUITO DE ALIMENTACION TIENE DOS CONDUCTORES DE SALIDA Y EL SISTEMA COMPRENDE MEDIOS PARA PONER AMBOS CIRCUITOS EN SERIE ENTRE UNA ENTRADA DE ALIMENTACION DE CORRIENTE ENTRE C48 V Y TIERRA, DE FORMA QUE SE ALIMENTA DE CORRIENTE A LOS CIRCUITOS DE COMUNICACION POR LOS CONDUCTORES DE SALIDA A TRAVES DE ELEMENTOS RESISTIVOS EN CADA CIRCUITO DE ALIMENTACION, PARA ELIMINAR DIFERENCIALES DE INTERFERENCIA EN LA SEÑAL DE TIERRA QUE PUEDEN ACOPLAR LAS SEÑALES DE TIERRA A TODOS LOS CONDUCTORES DE SALIDA SIMULTANEAMENTE. TIENE ADEMAS UNOS MEDIOS PARA ELIMINAR INTERFERENCIAS DE LA ALIMENTACION DE CORRIENTE QUE TIENE UN DIVISOR DE VOLTAJE RESISTIVO.

Sección de la CIP Electricidad

(01/05/1987). Clasificación: H01L21/74.

DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES SOBRE AISLADORES. CONSTAN DE UN SUSTRATO QUE TIENE UNA SUPERFICIE QUE INCLUYE UNA REGION DE MATERIAL ELECTRICAMENTE AISLANTE, ESTANDO DICHO SUSTRATO FORMADO POR MATERIAL SEMICONDUCTOR, POR EJEMPLO SILICIO, MIENTRAS QUE LA REGION AISLANTE ESTA FORMADA POR SIO2; DE UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR QUE INCLUYE UN VOLUMEN ACTIVO DE MATERIAL SEMICONDUCTOR VIRTUALMENTE MONOCRISTALINO QUE ES SUPERYACENTE A LA REGION DE MATERIAL AISLANTE; DE UN CAMINO ELECTRICAMENTE CONDUCTIVO QUE TIENE UNA RESISTENCIA MENOR QUE 100 KILOOHMIOS; Y DE UN CONTACTO ELECTRICO.

Sección de la CIP Física

(01/05/1987). Clasificación: G02B6/38.

MODIFICACIONES EN UN APARATO PARA INTERCONECTAR CABLES DE FIBRA OPTICA. CONSISTENTES EN UN CONECTOR QUE COMPRENDE: UN PAR DE ELEMENTOS ENCHUFABLES DISPUESTOS PARA MANTENER Y SOPORTAR UN SUSTRATO TERMINADOR DE FIBRAS TRANSMISORAS DE LUZ DE LOS CABLES DE FIBRA OPTICA , PUDIENDOSE EMPLEAR EL ELEMENTO PARA TERMINAR UN CABLE OPTICO CON PLANO POSTERIOR , Y EL ELEMENTO PUEDE COMBINARSE CON EL CONECTOR DE LA PLACA DE CIRCUITO ENCHUFABLE Y EMPLEARSE PARA TERMINAR FIBRAS TRANSMISORES DE LUZ ACOPLADAS CON EL APARATO DE LA PLACA DE CIRCUITO ; Y UN ELEMENTO DE MANGUITO PARA RECIBIR SUSTRATOS DE LOS ELEMENTOS . TIENE APLICACION EN LA INDUSTRIA DE COMUNICACIONES Y ELECTRONICA.

Sección de la CIP Electricidad

(01/05/1987). Clasificación: H03M11/00.

METODO PARA EXPLORACION DE UN TECLADO CAPACITIVO PARA VERIFICACION DE SUS ESTADOS DE CONMUTACION. DICHO PROCEDIMIENTO SE BASA EN LA ALIMENTACION DE UN IMPULSO DE INTERROGACION A UN LADO DEL CONDENSADOR DE UNA TECLA DE UNA FILA, ASI COMO A UN LADO DE AL MENOS OTRO CONDENSADOR DE OTRA TECLA DEL TECLADO. ASI SE DETECTA EL IMPULSO DE RESPUESTA AL OTRO LADO DEL CONDENSADOR DE LA TECLA Y SE OBTIENE UN IMPULSO COMBINADO MULTIPLICANDOLO CON LOS OTROS CONDENSADORES DE LAS OTRAS TECLAS. ASI, SE COMPARA ESTE IMPULSO COMBINADO CON UN NIVEL DE REFERENCIA PARA GENERAR LA SEÑAL QUE INDICA SI LA TECLA ESTA CERRADO. ESTA EXPLORACION SE HACE AL MENOS TRES VECES POR TECLA EN SUCESION PARA VERIFICAR SU CIERRE O VUELTA AL ESTADO ABIERTO.-.

Sección de la CIP Física

(16/04/1987). Clasificación: G10L9/14.

PROCEDIMIENTO Y APARATO PARA ANALIZAR CONVERSACION EN UN AMBIENTE PROPENSO A LOS RUIDOS. CONSISTE EN DIVIDIR UN PATRON DE CONVERSACION DE ENTRADA EN INTERVALOS DE TRAMAS DE TIEMPOS SUCESIVOS; FORMAR SEÑALES DE AUTOCORRELACION DE LA CONVERSACION DE ENTRADA; GENERAR SEÑALES DE RUIDO; FORMAR DOS SEÑALES DE AUTOCORRELACION EN RESPUESTA A LAS SEÑALES ANTERIORES; GENERAR UNA SEÑAL CORRESPONDIENTE A LA DIFERENCIA ENTRE LAS SEÑALES ANTERIORES; Y PRODUCIR UN CONJUNTO DE SEÑALES EN RESPUESTA A LAS SEÑALES DE AUTOCORRELACION. EL APARATO COMPRENDE: UN FILTRO DE PASO BAJO ; UN CONVERTIDOR ; UN PROCESADOR ; OTRO PROCESADOR ; Y UNA MEMORIA . TIENE UTILIDAD EN RECINTOS PROPENSOS A SER RUIDOSOS.

Sección de la CIP Electricidad

(16/04/1987). Clasificación: H04M3/42.

PROCEDIMIENTO Y SISTEMA DE MARCAR AUTOMATICAMENTE EL ULTIMO NUMERO MARCADO EN UN SISTEMA DE CONMUTACION TELEFONICA. CONSISTE EN ALMACENAR LOS DIGITOS MARCADOS DE CADA DISPOSITIVO DE COMUNICACION EN UNA POSICION DE MEMORIA; ESTABLECER UNA CONEXION DE LLAMADA ENTRE EL DISPOSITIVO Y EL DESTINO IDENTIFICADO POR LOS DIGITOS MARCADOS; Y GENERAR EN EL DISPOSITIVO UNA SEÑAL DE SOLICITUD DEL ULTIMO NUMERO MARCADO. EL SISTEMA COMPRENDE UNA RED DE CONMUTACION ; UNA CENTRAL ; LINEAS PRIVADAS Y APARATOS DE ESTACION TALES COMO: APARATO TELEFONICO ANALOGICO (T100); CENTRALITA DE OPERADORA (T110); Y APARATO TELEFONICO DE LINEAS MULTIPLES (T150). ES UTIL EN EL CAMPO DE LAS TELECOMUNICACIONES.

Sección de la CIP Química y metalurgia

(01/03/1987). Clasificación: C08K5/01.

PROCEDIMIENTO PARA OBTENER COMPUESTOS PARA PROTEGER EMPALMES DE CABLES POR ENCAPSULACION. EL MATERIAL CURABLE COMPRENDE AL MENOS UN ISOCIANATO, UN POLIOL, UN ESTER PLASTIFICANTE Y OPCIONALMENTE UNO O MAS DILUYENTES, TENIENDO EL MATERIAL UN TIEMPO DE CURADO DE POR LO MENOS 50 MINUTOS, APROXIMADAMENTE A 25JC. EL ENCAPSULANTE SE EMPLEA MEZCLANDO, EN EL PUNTO DE EMPALME, LOS COMPONENTES ANTERIORES, VERTIENDO EL ENCAPSULANTE EN UNA ENVUELTA DEL EMPALME, EN DONDE SE CURA IN SITU.

Sección de la CIP Física

(01/03/1987). Clasificación: G09G1/00.

PROCEDIMIENTO DE OPERACION SOBRE UN MONITOR QUE REPRESENTA INFORMACION SOBRE UNA PANTALLA. COMPRENDE LAS SIGUIENTES OPERACIONES: PRIMERA, SE TRANSMITE UNA SEÑAL DE INFORMACION AL MONITOR QUE REPRESENTA LA INFORMACION QUE HA DE SER EXHIBIDA SOBRE LA PANTALLA; SEGUNDA, SE TRANSMITE UNA SEÑAL DE SINCRONIZACION AL MONITOR PARA SINCRONIZAR LA EXPLORACION DE LA PANTALLA; Y POR ULTIMO, SE REPOSICIONA ESPACIAL DE LA INFORMACION REPRESENTADA SOBRE EL MONITOR. LA ETAPA DE REPOSICIONAMIENTO COMPRENDE RETARDAR LA SEÑAL DE SINCRONIZACION CON RESPECTO A LA SEÑAL DE INFORMACION.DE APLICACION EN TELEVISION Y EN MONITORES DE VIDEO.

Sección de la CIP Electricidad

(01/03/1987). Clasificación: H01L21/28.

MODIFICACIONES EN UNA ESTRUCTURA DE TRANSISTOR DE SEMICONDUCTOR DE OXIDO METALICO. CONSISTENTES EN: EXTENDER AL ELECTRODO DE ALIMENTACION DEL TRANSISTOR EN EL INTERIOR DE UNA CAVIDAD, PARA LLENARLA Y REBAJAR LA CAPA AISLANTE DE PARED LATERAL; TERMINAR AL ELECTRODO DE ALIMENTACION DEL TRANSISTOR EN UNA RELACION PRESELECCIONADA CON EL BORDE DE LA CAPA DE ELECTRODO DE PUERTA; CONFORMAR AL CUERPO SEMICONDUCTOR EN SILICIO; DOTAR A LA CAPA AISLANTE DE PUERTA CON DIOXIDO DE SILICIO; REALIZAR LA CAPA DE ELECTRODO DE PUERTA COMO SILICIO POLICRISTALINO; PRODUCIR A LA CAPA DE ELECTRODO DE ALIMENTACION EN UN SILICIURO METALICO; Y CONFORMAR A LA CAPA AISLANTE DE PARED LATERAL COMO DIOXIDO DE SILICIO.

Sección de la CIP Electricidad

(01/03/1987). Clasificación: H01L23/485.

ESTRUCTURAS DE METALIZACION UTILIZADAS EN DISPOSITIVOS DE TIPO SEMICONDUCTOR DE OXIDO METALICO. CONSTAN DE UN CUERPO DE SILICIO QUE INCLUYE UNA REGION DE SILICIO DE TIPO P QUE TIENE UNA REGION DE ALIMENTACION DE TIPO NB CONVENCIONAL FORMADA EN LA MISMA; DE UNA CAPA DE SILICIURO METALICO REFRACTARIO SUPERYACENTE SOBRE LA REGION DE ALIMENTACION ; DE UNA CAPA DIELECTRICA MODELADA DE DIOXIDO DE SILICIO, DOPADO CON FOSFORO, QUE COMPRENDE DOS REGIONES ; Y DE UNA CAPA DE BARRERA DE CARBONITRURO DE TITANIO QUE COMPRENDE UN MATERIAL DE BAJA RESISTENCIA, TERMICAMENTE ESTABLE, QUE ESTA INTERPUESTA ENTRE UNA CAPA DE ALUMINIO Y LA CAPA DE SILICIURO . DE APLICACION EN DISPOSITIVOS MOS.-.

Sección de la CIP Electricidad

(01/03/1987). Clasificación: H01L21/285.

PROCEDIMIENTO PARA PRODUCIR UN CONTACTO ELECTRICO A UNA REGION SUBYACENTE EN DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES. COMPRENDE: A) DEPOSITAR UN MATERIAL DE ALISADO SOBRE LA REGION ADYACENTE Y LA PARED LATERAL DE LA ABERTURA DE MATERIAL DIELECTRICO; B) SEPARAR ANISOTROPICAMENTE EL MATERIAL DE ALISADO DE UNA PORCION DE LA REGION, MANTENIENDO UNA PORCION DE LA MISMA EN CONTACTO CON LA PARED LATERAL DE LA ABERTURA;Y C) DEPOSITAR MATERIAL CONDUCTOR SOBRE LA REGION Y LA PORCION RESTANTE. EL MATERIAL DE ALISADO SE ELIGE ENTRE DIOXIDO DE SILICIO Y NITRURO DE SILICIO, ES CONDUCTOR O DIELECTRICO Y SE DEPOSITA EN UN 4% DEL ESPESOR DEL DIELECTRICO Y EL MATERIAL DIELECTRICO ES UN POLISILICIO. SE UTILIZA EN LOS CIRCUITOS INTEGRADOS.

Sección de la CIP Electricidad

(01/03/1987). Clasificación: H01H1/02.

PROCEDIMIENTO PARA FABRICAR UN DISPOSITIVO CONECTOR ELECTRICO. COMPRENDE: A) ELECTRODEPOSITAR SOBRE UN SUSTRATO DE COBRE, UNA CAPA DE MATERIAL DE CONTACTO QUE INCLUYE NIQUEL EN ATMOSFERA OXIDANTE; Y B) DESORDENAR CRISTALOGRAFICAMENTE LA ESTRUCTURA DEL MATERIAL DE CONTACTO POR LA INCLUSION DE UN ELEMENTO ADICIONAL, A UNA TEMPERATURA DE 75JC, PARA OBTENER UN DISPOSITIVO CONECTOR ELECTRICO FORMADO POR UN ALOJAMIENTO Y CLAVIJAS DE CONTACTO . LOS ELEMENTOS ADICIONALES SE ELIGEN ENTRE BORO, GERMANIO, FOSFORO Y ARSENICO.

Sección de la CIP Electricidad

(01/03/1987). Clasificación: H04L11/20.

PUNTO DE CONMUTACION DE PAQUETES DEL PAQUETE DE CIRCUITOS DE UNA RED. CONSTA DE: UN CONTROLADOR CON DOS CIRCUITOS QUE LLEVAN 8 CONTADORES DE BITIOS, UN SELECTOR CON UN CONTROL DE SELECCION Y CONTADORES DE BITIOS DE ENTRADA; DOS TRANSMISORES DE ACUSE DE RECIBO (11A, 11B); SEIS EXCITADORES DE LINEAS CICLICAS (12A, 12B, 13A, 13B, 16A, 16B); DOS DECODIFICADORES DE PAQUETES (14A, 14B); DOS MEMORIAS INTERMEDIAS DE ALMACENAMIENTO (15A, 15B); DOS RECEPTORES DE ACUSE DE RECIBO (17A, 17B); DOS MULTIPLEXORES (18, 18B); UN CONTADOR Y DOS PUERTAS DE ENTRADA Y DE SALIDA CONECTADAS A LA TRANSMISION DE BITIOS.

Sección de la CIP Electricidad

(16/02/1987). Clasificación: H04L11/16.

PROCEDIMIENTO Y APARATO PARA MANTENER UNA RED DE COMUNICACION QUE TIENE TRAYECTOS DE TRANSMISION EN ANILLO INTERCONECTADOS POR NUDOS. COMPRENDE LAS ETAPAS DE AISLAR SEGMENTOS DE LA RED DE COMUNICACION DE DATOS PERMITIENDO QUE ALGUNOS DE LOS NUDOS (RI1, RI2, RI3) CONECTEN EN BUCLES ALGUNOS DE LOS TRAYECTOS DE TRANSMISION EN ANILLO Y ESTABLECER COMUNICACION CON ALGUNOS DE LOS NUDOS (RI1, RI2, RI3) SITUADOS EN LOS SEGMENTOS AISLADOS DE LA RED DE COMUNICACION DE DATOS, TRANSFIRIENDO MENSAJE DE DATOS ENTRE ALGUNOS DE LOS TRAYECTOS EN ANILLO CONECTADOS EN BUCLE. EL APARATO COMPRENDE UN DETECTOR DE FALLO DE UNO DE LOS NUDOS EN LA RECEPCION DE UN MENSAJE DE DATOS PROCEDENTE DE UNO DE LOS NUDOS DE PROGRAMACION.

Sección de la CIP Electricidad

(16/12/1986). Clasificación: H04M3/50.

PROCEDIMIENTO PARA PROPORCIONAR ALERTA AUTOMATICA DE ESPERA DE MENSAJES EN SISTEMAS TELEFONICOS. INCLUYE INDICADORES DE ESPERA DE MENSAJES ASOCIADOS CON CADA UNA DE LAS ESTACIONES Y UNA BASE DE DATOS DONDE SE ALMACENAN LOS MENSAJES Y LOS INDICATIVOS DE LAS ESTACIONES TELEFONICAS REMITENTES Y DESTINATARIAS. DESPUES DEL ALMACENAMIENTO SE ACTIVAN LOS INDICADORES DE ESPERA. POSTERIORMENTE SE ADQUIEREN LOS MENSAJES, ALMACENANDO TAL CONDICION EN LA BASE DE DATOS. EL SISTEMA ADMITE CANCELACIONES, ASI COMO LA DESACTIVACION DE LOS INDICADORES DE ESPERA.