CIP-2021 : H01L 21/365 : utilizando la reducción o la descomposición de un compuesto gaseoso que dan un condensado sólido, es decir, un depósito químico.
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Notas[n] desde H01L 21/02 hasta H01L 21/67:
H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas.
H01L 21/365 · · · · · utilizando la reducción o la descomposición de un compuesto gaseoso que dan un condensado sólido, es decir, un depósito químico.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
ELEMENTO FOTOVOLTAICO CON UNA CAPA SEMICONDUCTORA QUE CONTIENE MATERIAL CRISTALINO NO SIMPLE, QUE TIENE POR LO MENOS ZN, SE Y H EN CANTIDAD DE 1-40 % EN ATOMOS.
(01/07/1996). Solicitante/s: CANON KABUSHIKI KAISHA. Inventor/es: SAKAI,AKIRA, KANAI, MASAHIRO, MURAKAMI, TSUTOMU, NAKAGAWA, KATSUMI, ISHIHARA, SHUNICHI, ARAO, KOZO, FUJIOKA, YASUSHI.
UN ELEMENTO FOTOVOLTAICO QUE GENERA FUERZA FOTOELECTROMOTRIZ MEDIANTE LA CONEXION DE UNA CAPA SEMICONDUCTORA TIPO-P Y OTRA TIPO-N, CARACTERIZADO PORQUE POR LO MENOS UNA DE DICHAS CAPAS ESTA HECHA DE UNA PELICULA DEPOSITADA, COMPUESTA DE ATOMOS DE ZN, SE, OPCIONALMENTE TE, Y POR LO MENOS H, CONTENIENDO DICHA PELICULA DEPOSITADA UN AGENTE DOPANTE TIPO-P O TIPO-N, QUE CONTIENE 1-4 % EN ATOMOS DE ATOMOS DE H, QUE CONTIENEN ATOMOS DE SE Y DE TE EN LA RELACION 1:9-3:7 (EN TERMINOS DE NUMERO DE ATOMOS), Y QUE TAMBIEN TIENE GRANOS EN UNA RELACION DE 65-85 % EN VOLUMEN POR UNIDAD DE VOLUMEN.
ELEMENTO FOTOVOLTAICO DE UNION POR REMACHE CON CAPA SEMICONDUCTORA TIPO P O N, QUE TIENE MATERIAL DE CRISTAL NO SIMPLE, QUE CONTIENE ZN, SE, H EN CANTIDAD DE 1 A 4 % EN ATOMOS Y UN DOPANTE, Y UNA CAPA SEMICONDUCTORA TIPO I, QUE TIENE UN MATERIAL DE CRISTAL NO SIMPLE DE SI (H, F).
(16/08/1995). Solicitante/s: CANON KABUSHIKI KAISHA. Inventor/es: SAKAI,AKIRA, KANAI, MASAHIRO, NAKAGAWA, KATSUMI, ISHIHARA, SHUNICHI, ARAO, KOZO, FUJIOKA, YASUSHI.
UN ELEMENTO FOTOVOLTAICO DE UNION POR REMACHE MEJORADO, QUE PRODUCE ENERGIA FOTOELECTROMOTRIZ POR UNION DE UNA CAPA SEMICONDUCTORA TIPO P, UNA CAPA SEMICONDUCTORA TIPO I, Y UNA CAPA SEMICONDUCTORA TIPO N, CARACTERIZADO PORQUE POR LO MENOS UNA DE DICHAS CAPAS SEMICONDUCTORAS TIPO P Y N CONTIENE UNA PELICULA DE ZNSE:H:M TIPO P O N, DONDE M ES UN DOPANTE TIPO P O N, LA CANTIDAD DE HIDROGENO ESTA ENTRE 1 Y 4 % EN ATOMOS; Y DICHA PELICULA CONTIENE CAMPOS DE GRANO DE CRISTAL EN UNA PROPORCION DE 65-85 % EN VOLUMEN POR UNIDAD DE VOLUMEN; Y DICHA CAPA SEMICONDUCTORA TIPO I TIENE UNA PELICULA DE CRISTAL NO SIMPLE DE SI (H, F) O UNA PELICULA DE CRISTAL NO SIMPLE DE SI (C, GE) (H, F).
ELEMENTO FOTOVOLTAICO DE UNION POR REMACHE, CON CAPA SEMICONDUCTORA TIPO P O N, QUE TIENE MATERIAL DE CRISTAL NO SIMPLE, QUE CONTIENE ZN SE, TE H EN CANTIDAD DE 1-4 % EN ATOMOS Y UN DOPANTE, Y CAPA SEMICONDUCTORA TIPO I QUE TIENE MATERIAL DE SI (H, F) DE CRISTAL NO SIMPLE.
(16/08/1995). Solicitante/s: CANON KABUSHIKI KAISHA. Inventor/es: SAKAI,AKIRA, KANAI, MASAHIRO, MURAKAMI, TSUTOMU, NAKAGAWA, KATSUMI, ISHIHARA, SHUNICHI, ARAO, KOZO, FUJIOKA, YASUSHI.
UN ELEMENTO FOTOVOLTAICO DE UNION POR REMACHE, QUE PRODUCE ENERGIA FOTOELECTROMOTRIZ POR UNION DE UNA CAPA SEMICONDUCTORA TIPO P, UNA CAPA SEMICONDUCTORA TIPO I Y OTRA TIPO N, CARACTERIZADO PORQUE POR LO MENOS UNA DE DICHAS CAPAS SEMICONDUCTORAS TIPOS P Y N TIENE UNA PELICULA TIPO P O N DE ZNSE1-XTEX:H:M, DONDE M ES UN DOPANTE TIPO P O N; LA RELACION CUANTITATIVA DE SE A TE ESTA EN EL INTERVALO DE 1:9 A 3:7 EN TERMINOS DE RELACION ATOMICA, LA CANTIDAD DE HIDROGENO ESTA ENTRE 1 Y 4 % EN ATOMOS; Y DICHA PELICULA CONTIENE CAMPOS DE GRANO CRISTALINO EN PROPORCION DE 65-85 % EN VOLUMEN POR UNIDAD DE VOLUMEN; Y DICHA CAPA DE SEMICONDUCTOR TIPO I TIENE UNA PELICULA DE CRISTAL NO SENCILLO DE SI(C, GE) (H, F).
COMPUESTOS METALOORGANICOS DE APLICACION EN EL CAMPO ELECTRONICO.
(16/12/1994). Solicitante/s: PREUSSAG PURE METALS GMBH. Inventor/es: HOFMANN, HARTMUT.
COMPUESTOS METALOORGANICOS EN FORMA DE FENILARSINA DE APLICACION EN EL CAMPO ELECTRONICO COMO MATERIALES PARA LOS PROCESOS MO - VPE O MO - CVD O MOMBE, ASI COMO PARA LA IMPLANTACION DE IONES O PARA EL DOPING IN SITU DE POLISILICIO.
METODO DE NUCLEACION Y CRECIMIENTO DE ZONAS SELECTIVAS PARA EL DEPOSITO QUIMICO DE METAL EN FASE DE VAPOR USANDO HACES IONICOS ENFOCADOS.
(01/03/1991). Ver ilustración. Solicitante/s: HUGHES AIRCRAFT COMPANY. Inventor/es: KUBENA, RANDALL L., MAYER, THOMAS M.
METODO DE NUCLEACION Y CRECIMIENTO DE ZONAS SELECTIVAS PARA EL DEPOSITO QUIMICO DE METAL EN FASE DE VAPOR USANDO HACES IONICOS ENFOCADOS. SE DEPOSITAN LINEAS METALICAS EN UNA PLACA SEMICONDUCTORA O MASCARA DE CIRCUITO INTEGRADO MEDIANTE UN HAZ IONICO ENFOCADO (FIB) CON DOSIS DE RADIACION DE 10BS14 A 10BS15 IONES/CMB.
