CIP-2021 : H01L 21/32 : utilizando máscaras.
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Notas[n] desde H01L 21/02 hasta H01L 21/67:
H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas.
H01L 21/32 · · · · · · utilizando máscaras.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
UN METODO PERFECCIONADO DE FABRICAR UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR.
(16/03/1979). Solicitante/s: N.V. PHILIPS' GLOEILAMPENFABRIEKEN.
Un método perfeccionado de fabricar un dispositivo semiconductor que tiene un cuerpo semiconductor que comprende un elemento de circuito, por ejemplo un transistor, que tiene al menos tres zonas situadas una sobre otra de tipos de conductividad alternados, en el cual el cuerpo semiconductor se dispone en una superficie con un diseño trazado de óxido enterrado, el cual, visto desde la superficie, limita una región parcial contigua a la superficie de un primer tipo de conductividad en donde se forma el elemento de circuito con una zona situada en posición más baja y una zona situada en posición más alta de un primer tipo de conductividad.
UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR.
(16/10/1975) Un dispositivo semiconductor que tiene un cuerpo semiconductor que comprende al menos un transistor de efecto de campo de mando aislado, el cual cuerpo comprende una primera región de un primer tipo de conductividad y una segunda región del segundo tipo de conductividad contigua a la superficie y que forma una unión p-n con la primera región, estando provistas zonas de alimentación y salida del primer tipo de conductividad contiguas a la superficie en la segunda región , estando provista al menos una capa de electrodo de mando entre las zonas de alimentación y salida y estando separada del cuerpo semiconductor por una capa aislante, caracterizado porque el dispositivo comprende un trazado de material eléctricamente aislante que está intercalado al menos parcialmente…
UN METODO PARA LA FABRICACION DE UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR.
(01/10/1975). Solicitante/s: N.V. PHILIPS' GLOEILAMPENFABRIEKEN.
Resumen no disponible.
UN METODO DE FABRICAR UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR.
(01/02/1969). Ver ilustración. Solicitante/s: N.V. PHILIPS' GLOEILAMPENFABRIEKEN.
Resumen no disponible.
