CIP-2021 : B23K 26/066 : utilizando máscaras.
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Notas[t] desde B21 hasta B32: CONFORMACION
Notas[g] desde B23K 15/00 hasta B23K 28/00: Otros procedimientos de soldadura o de corte; Trabajo por rayos láser
B TECNICAS INDUSTRIALES DIVERSAS; TRANSPORTES.
B23 MAQUINAS-HERRAMIENTAS; TRABAJO DE METALES NO PREVISTO EN OTRO LUGAR.
B23K SOLDADURA SIN FUSION O DESOLDEO; SOLDADURA; REVESTIMIENTO O CHAPADO POR SOLDADURA O SOLDADURA SIN FUSION; CORTE POR CALENTAMIENTO LOCALIZADO, p. ej. CORTE CON SOPLETE; TRABAJO POR RAYOS LASER (fabricación de productos revestidos de metal por extrusión de metales B21C 23/22; realización de guarniciones o recubrimientos por moldeo B22D 19/08; moldeo por inmersión B22D 23/04; fabricación de capas compuestas por sinterización de polvos metálicos B22F 7/00; disposiciones sobre las máquinas para copiar o controlar B23Q; recubrimiento de metales o recubrimiento de materiales con metales, no previsto en otro lugar C23C; quemadores F23D).
B23K 26/00 Trabajo por rayos láser, p. ej. soldadura, corte o taladrado.
B23K 26/066 · · · · utilizando máscaras.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
MATERIAL SEMICONDUCTOR MICRO- Y NANO- ESTRUCTURADO, PROCEDIMIENTO DE OBTENCIÓN Y USO COMO PATRÓN DE CALIBRACIÓN.
(29/11/2017). Solicitante/s: CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGACIONES CIENTIFICAS (CSIC). Inventor/es: EZQUERRA SANZ,TIBERIO, REBOLLAR GONZALEZ,Esther, RODRÍGUEZ RODRÍGUEZ,Álvaro, GARCÍA GUTIÉRREZ,Mari Cruz.
Material semiconductor micro- y nano- estructurado, procedimiento de obtención y uso como patrón de calibración.
La presente invención se refiere a un material semiconductor micro- y nano- estructurado que sirve como patrón de calibración, particularmente como patrón de calibración espacial y conductor en medidas con microscopios de fuerza atómica conductivo. Además la presente invención se refiere al procedimiento de fabricación de dicho material mediante la técnica de estructuración superficial periódica inducida por láser y el uso de una máscara. Por tanto, la presente invención se podría encuadrar en el sector de las técnicas de análisis y caracterización de muestras.
PDF original: ES-2644586_A1.pdf
MATERIAL SEMICONDUCTOR MICRO- Y NANO- ESTRUCTURADO, PROCEDIMIENTO DE OBTENCIÓN Y USO COMO PATRÓN DE CALIBRACIÓN.
(02/11/2017). Solicitante/s: CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGACIONES CIENTIFICAS (CSIC). Inventor/es: EZQUERRA SANZ,TIBERIO, REBOLLAR GONZALEZ,Esther, RODRÍGUEZ RODRÍGUEZ,Álvaro, GARCÍA GUTIÉRREZ,Mari Cruz.
La presente invención se refiere a un material semiconductor micro- y nano- estructurado que sirve como patrón de calibración, particularmente como patrón de calibración espacial y conductor en medidas con microscopios de fuerza atómica conductivo. Además la presente invención se refiere al procedimiento de fabricación de dicho material mediante la técnica de estructuración superficial periódica inducida por láser y el uso de una máscara. Por tanto, la presente invención se podría encuadrar en el sector de las técnicas de análisis y caracterización de muestras.