CIP-2021 : G01N 24/12 : utilizando la resonancia doble.
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G FISICA.
G01 METROLOGIA; ENSAYOS.
G01N INVESTIGACION O ANALISIS DE MATERIALES POR DETERMINACION DE SUS PROPIEDADES QUIMICAS O FISICAS (procedimientos de medida, de investigación o de análisis diferentes de los ensayos inmunológicos, en los que intervienen enzimas o microorganismos C12M, C12Q).
G01N 24/00 Investigación o análisis de materiales por utilización de la resonancia magnética nuclear, de la resonancia paramagnética electrónica o de otros efectos de spin.
G01N 24/12 · utilizando la resonancia doble.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Procedimiento para investigar el destino de un compuesto de ensayo con estrectroscopia de RMN.
(14/03/2012) Un procedimiento para investigar el destino de un compuesto de ensayo que contiene al menos un núcleo activo de RMN, en el que dicho núcleo activo de RMN es 13C y dicho compuesto de ensayo es un compuesto orgánico 13C que comprende una abundancia enriquecida artificialmente de a una abundancia de al menos un 5%, comprendiendo dicho procedimiento:
- administrar el compuesto de ensayo a un sistema biológico en el que se va a estudiar su destino, en el que dicho sistema es un animal íntegro,
- hiperpolarizar los núcleos activos de RMN en muestras extraídas del sistema a intervalos de tiempo mediante transferencia de polarización usando polarización nuclear dinámica (PND) en estado sólido efectuada por un agente de PND; y
- analizar…
RADICALES LIBRES DE TRIARILMETILO COMO AGENTES MEJORADORES DE LA IMAGEN.
(16/03/2004). Solicitante/s: NYCOMED IMAGING AS COCKBAIN, JULIAN. Inventor/es: THANING, MIKKEL, PETTERSSON, GORAN.
NUEVOS RADICALES TRIARILMETILO LIBRES, SU USO COMO AGENTES DE REALCE DE IMAGENES EN UNA MRI, EN PARTICULAR SU USO EN UNA MRI REALZADA OVERHAUSER DE UNA MUESTRA PARA DETERMINAR LA CONCENTRACION DE OXIGENO EN DICHA MUESTRA.
(01/12/2000). Ver ilustración. Solicitante/s: SOCIEDAD DE GAS DE EUSKADI, S.A. Inventor/es: CASTAÑO CARMONA,ENRIQUE, GRACIA GAUDO,FRANCISCO J.
Sensor de gases, constituido por un sustrato de silicio que presenta al menos una zona micromecanizada de reducido espesor sobre la que se dispone, en posición centrada una resistencia calefactora y un óxido metálico semiconductor dotado de contactos eléctricos.
