CIP-2021 : H01L 27/092 : transistores de efecto de campo metal-aislante-semiconductor complementario.
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H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 27/00 Dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores o de otros componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común (detalles H01L 23/00, H01L 29/00 - H01L 51/00; conjuntos que consisten en una pluralidad de dispositivos de estado sólido individuales H01L 25/00).
H01L 27/092 · · · · · · transistores de efecto de campo metal-aislante-semiconductor complementario.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
CONTACTO DE FUENTE DE ALIMENTACION DE CIRCUITO INTEGRADO.
(01/03/1998). Solicitante/s: AT&T CORP.. Inventor/es: GABARA, THADDEUS J.
UN CIRCUITO INTEGRADO FORMADO EN UN SUSTRATO TIENE TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO CONFORMADOS EN UNA CAPA EPITAXIAL RELATIVAMENTE IMPURIFICADA (ES DECIR, CON ALTA RESISTIVIDAD), TIPICAMENTE EN UN "TUBO" FORMADO EN LA MISMA. LA CORRIENTE DE FUNCIONAMIENTO PARA LOS TRANSISTORES DE PROPORCIONA AL MENOS EN PARTE A TRAVES DE UNA CAPA METALICA SITUADA EN LA PARTE TRASERA DEL SUSTRATO. SORPRENDENTEMENTE, LA CONDUCTIVIDAD ES SUFICIENTEMENTE ALTA A TRAVES DE LA CAPA EPITAXIAL Y EL SUSTRATO QUE EL NUMERO DE ZONAS DE UNION EN LA PARTE FRONTAL PUEDE REDUCIRSE, O ELIMINARSE COMPLETAMENTE EN ALGUNOS CASOS. ADEMAS SE OBTIENE UNA REDUCCION EN LA INDUCTANCIA DE CONDUCCION DE LA FUENTE DE ALIMENTACION, REDUCIENDO LOS PROBLEMAS DEL SALTO A TIERRA Y DE OSCILACION.
ELECTRODO PARA DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR Y METODO PARA LA PRODUCCION DEL MISMO.
(16/10/1997). Solicitante/s: CANON KABUSHIKI KAISHA. Inventor/es: OHZU, HAYAO, CANON KABUSHIKI KAISHA, KOCHI, TETSUNOBU, CANON KABUSHIKI KAISHA.
SE PRESENTA UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR CON ELEMENTOS FUNCIONALES MUY PEQUEÑOS, QUE SE PUEDE CONSTRUIR UTILIZANDO LOS COMPONENTES MINIMOS NECESARIOS SIN NINGUN AREA DE SUPERFICIE INNECESARIA, SIENDO ASI CAPAZ DE REDUCIR SIGNIFICATIVAMENTE EL AREA DE DISTRIBUCION Y ADAPTADA PARA LOGRAR UNA GEOMETRIA FINA Y UN ALTO NIVEL DE INTEGRACION. EL DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR TIENE UNA PRIMERA AREA SEMICONDUCTORA DE UN PRIMER TIPO CONDUCTIVO (POR EJEMPLO UN POZO P) Y UNA SEGUNDA AREA SEMICONDUCTORA COLOCADA ENCIMA O DEBAJO DE LA PRIMERA AREA SEMICONDUCTORA Y QUE TIENE UN SEGUNDO TIPO CONDUCTIVO DIFERENTE DEL PRIMER TIPO CONDUCTIVO (POR EJEMPLO UN AREA GENERADORA O DE CONSUMO DE ENERGIA) EN QUE SE FORMA UN ELECTRODO CONECTADO A LA PRIMERA AREA SEMICONDUCTORA A TRAVES DE LA SEGUNDA AREA SEMICONDUCTORA Y LA PRIMERA Y LA SEGUNDA AREAS SEMICONDUCTORAS SON CORTOCIRCUITEADAS POR EL ELECTRODO ARRIBA MENCIONADO.
FAMILIA DE CIRCUITOS LOGICOS PARALELOS DE ENTRADA LOGICA COMPLEMENTARIA (CLIP).
(16/11/1995) UNA FAMILIA DE CIRCUITOS LOGICOS PARALELOS DE ENTRADA LOGICA COMPLEMENTARIA (CLIP), DE BAJA CAPACITANCIA Y ALTA VELOCIDAD QUE INCLUYE UNA ETAPA DE EXCITACION POR FET , UN INVERSOR DE FET Y POR LO MENOS UN FET DE COMPUERTA (13A-13B). LAS DIMENSIONES DEL FET DE COMPUERTA SE CONTROLAN RESPECTO A LAS DIMENSIONES DE LOS FETS DE ETAPA DE EXCITACION (11A-11F) PARA OBTENER UN CIRCUITO LOGICO DE ALTA VELOCIDAD. PUEDE HABER CIRCUITOS LOGICOS CLIP AND Y OR. SE PUEDE OBTENER UN CIRCUITO LOGICO CLIP TEMPORIZADO SI SE AÑADE UN FET TEMPORIZADOR. TAMBIEN SE PUEDE OBTENER UN CIRCUITO LOGICO CLIP TEMPORIZADO INVERTIDO SI SE AÑADE UN FET INVERSOR. EN EL CIRCUITO LOGICO CLIP TEMPORIZADO, INVERTIDO, LA SALIDA DE COMPUERTA SE INVIERTE DE TAL MODO QUE NO PUEDA CAMBIAR DURANTE EL PERIODO DE RELOJ INDEPENDIENTEMENTE DE LOS CAMBIOS QUE SE PRODUZCAN EN LAS ENTRADAS…
DISPOSICION DE TRANSISTORES DE ALTA TENSION CON TECNOLOGIA CMOS.
(01/07/1994) PARA ALCANZAR UNA FUERZA DIELECTRICA MAYOR DE 20 VOLTIOS, LOS MONTAJES CONOCIDOS DE TRANSISTORES DE ALTA TENSION PRODUCIDOS MEDIANTE TECNOLOGIA DMOS (MOS DE DOBLE DIFUSION), EN LA CUAL SE PRODUCEN AREAS DE DESVIACION ALREDEDOR DE BIEN EL AREA DE FUENTE Y EL AREA DE DRENAJE MEDIANTE LA DIFUSION EN DOS ETAPAS DE LOS ATOMOS DE IMPURIFICACION. ESTA TECNOLOGIA VINCULA LOS PASOS DE PROCESAMIENTO ADICIONALES DURANTE LA FABRICACION. DE ACUERDO CON LA INVENCION, SOLAMENTE LA ZONA DE DESGUE ESTA RODEADA POR UN AREA DE DESVIACION, MIENTRAS QUE LA ZONA FUENTE ESTA EMPOTRADA DIRECTAMENTE EN EL SUBSTRATO SEMICONDUCTOR. LOS TRANSISTORES DE ALTA TENSION PUEDEN POR LO TANTO OBTENERSE UTILIZANDO SOLAMENTE LOS PASOS DE PROCESO DE LA TECNOLOGIA ESTANDAR CMOS SIN PASOS DE PROCESAMIENTO ADICIONALES. DICHOS MONTAJES DE TRANSISTOR…