CIP-2021 : H01L 21/332 : Tiristores.
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Notas[n] desde H01L 21/02 hasta H01L 21/67:
H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas.
H01L 21/332 · · · · · · Tiristores.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
PROCEDIMIENTO PARA LA FABRICACION DE COMPONENTES SEMICONDUCTORES DE POTENCIA.
(16/04/2006). Solicitante/s: SEMIKRON ELEKTRONIK GMBH. Inventor/es: HERZER, REINHARD, DR. HABIL., NETZEL, MARIO, DR.
Fabricación de componentes semiconductores de potencia por ejemplo, transistor bipolar de puerta aislada de alta tensión (IGBT). La barrera o capa intermedia con una primera conductividad tiene un grosor superior que es esencial desde el punto de vista eléctrico. Se introduce en esta forma, mediante la difusión dentro de la oblea homogénea monocristalina en la zona de base , antes de introducir otras estructuras en la parte superior de la oblea. Una vez que se han formado, el exceso es puesto a tierra o se elimina.
SOPORTE CON DEPOSITO INTEGRADO DE MATERIAL ABSORBENTE DE GAS, PARA LA FABRICACION DE DISPOSITIVOS MICROELECTRONICOS, MICROOPTOELECTRONICOS O MICROMECANICOS.
(16/08/2005). Ver ilustración. Solicitante/s: SAES GETTERS S.P.A.. Inventor/es: AMIOTTI, MARCO.
Un soporte , con depósito integrado de material absorbente de gas, para la fabricación de dispositivos microelectrónicos, microoptoelectrónicos o micromecánicos, que comprende una base , que tiene las funciones de apoyo mecánico, de un depósito continuo o discontinuo (24, 24) de un material absorbente de gas , sobre una superficie de la citada base, seleccionándose, el citado material absorbente de gas , entre un material rarefactor o un material secante, y una capa , que cubre totalmente el citado depósito de material absorbente de gas, fabricado a base de un material , compatible con la producción de dispositivos microelectrónicos, microoptoelectrónicos o micromecánicos, o partes de éstos.
DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR QUE TIENE UN SURCO AISLANTE Y METODO DE FABRICACION DEL MISMO.
(16/07/1996). Solicitante/s: MITSUBISHI DENKI KABUSHIKI KAISHA. Inventor/es: TOKUNOH, FUTOSHI.
UNA ESTRUCTURA SEMICONDUCTORA COMPRENDE UNA REGION TIRISTORA PUERTA DE GIRO HACIA AFUERA (GR) Y UNA REGION DIODO (DR) CON UN AREA DE AISLAMIENTO (SR) ENTRE ELLAS. EL AREA DE AISLAMIENTO SE PROVEE CON UN SURCO MULTI-ESTADO O DE VARIAS ETAPAS QUE TIENE ESTRUCTURAS DE PASOS . EL SURCO MULTI-ESTADO SE FORMA A TRAVES DE UN PROCESO DE ATAQUE QUIMICO O MORDENTADO EN DOS ETAPAS, Y LAS REGIONES SOBRE-GRABADAS EN LOS ANGULOS DE LA PARTE INFERIOR DEL SURCO MULTI-ESTADO SON RELATIVAMENTE POCO PROFUNDAS. ESTA ESTRUCTURA ES EFECTIVA PARA INCREMENTAR EL VOLTAJE DE RUPTURA O TENSION DISRUPTIVA DE LA ESTRUCTURA SEMICONDUCTORA Y LAS AISLACIONES ENTRE LA REGION TIRISTORA DE PUERTA DE GIRO HACIA AFUERA Y LA REGION DIODO.
