(16/10/1989). Solicitante/s: DOW CORNING CORPORATION. Inventor/es: HALM, ROLAND LEE, PIERCE, ANDREW BENEDICT, WILDING JR., OLIVER K.

METODO PARA LA PREPARACION DE ALQUILHALOSILANOS. LO QUE SE DESCRIBE ES UN METODO PARA CONTROLAR UN PROCEDIMIENTO PARA LA OBTENCION DE ALQUILHALOSILANOS A PARTIR DE SILICIO Y HALUROS DE ALQUILO DONDE LOS ARSENIUROS METALICOS Y ALEACIONES DE ARSENICO SON UTILIZADOS COMO PROMOTORES PARA POTENCIAR LA SELECTIVIDAD, RENDIMIENTOS COMPLETOS DE SILANOS UTILIZABLES Y UTILIZACION DE SILICIO. TAMBIEN, SE DESCRIBE UNA COMPOSICION QUE COMPRENDE UNA MASA DE CONTACTO DE SILICIO/COBRE DE REACCION DIRECTA QUE INCLUYE ARSENICO COMO UN COMPONENTE.

(16/03/1989). Ver ilustración. Solicitante/s: DOW CORNING CORPORATION. Inventor/es: DOSAJ, VISHU DUTT, RAUCHHOLZ, ALVIN WILLIAM.

UN PROCEDIMIENTO PARA LA PRODUCCION DE SILICIO UTILIZANDO UN PLASMA GASEOSO COMO FUENTE DE ENERGIA QUE CONSISTE EN: A) GENERAR UN PLASMA GASEOSO EN UN REACTOR UTILIZANDO UNA CONFIGURACION DE PLASMA DE ARCO CON TRANSFERENCIA EN LA QUE SE UTILIZA UN MINIMO DE GAS PARA FORMAR UN PLASMA; B) ALIMENTAR DIOXIDO DE SILICIO Y UN AGENTE REDUCTOR SOLIDO DIRECTAMENTE AL REACTOR Y AL PLASMA; C) PASAR EL PLASMA GASEOSO, EL DIOXIDO DE SILICIO Y EL AGENTE REDUCTOR SOLIDO A UNA ZONA DE REACCION DEL REACTOR Y D) RECUPERAR EL SILICCIO FUNDIDO Y LOS SUBPRODUCTOS GASEOSOS.ESTA INVENCION ESTA DIRIGIDA ESPECIALMENTE A LA PREPARACION DE SILICIO PARA USO METALURGICO Y USO EN CELULAS SOLARES.

(01/11/1987). Solicitante/s: INTERNATIONAL MINERALS & CHEMICAL CORPORATION.

PROCEDIMIENTO PARA LA PREPARACION DE SILICIO O FERROSILICIO EN UN HORNO ELECTRICO DE CUBA BAJA. COMPRENDE LAS OPERACIONES DE CONFORMAR CUERPOS MOLDEADOS DE MATERIA PRIMA CON UN AGLOMERANTE BITUMINOSO QUE LLEVA AGREGADO POLVO DE SILICE FINAMENTE DIVIDIDO; DE INCORPORAR LOS CUERPOS MOLDEADOS DE MATERIA PRIMA, EN MEZCLA CON DIOXIDO DE SILICIO TROCEADO Y, EVENTUALMENTE, HIERRO EN FORMA FINAMENTE DIVIDIDA, COMO CARGA DE FUSION EN EL HORNO DE CUBA BAJA; DE REDUCIR EN UNA PARTE DEL HORNO ELECTRICO DE CUBA BAJA, A UNA TEMPERATURA INFERIOR A 1.600 GRADOS, EL DIOXIDO DE SILICIO EXISTENTE EN LOS CUERPOS MOLDEADOS DE MATERIA PRIMA PARA FORMAR EL CARBURO DE SILICIO; DE FORMAR, A PARTIR DEL CARBONO DE LOS CUERPOS MOLDEADOS DE MATERIA PRIMA NO CONSUMIDO EN ESTA REDUCCION, AGLOMERADOS CON ESTRUCTURA DE COQUE DE UNA SUPERFICIE INTERNA ESPECIFICA DE CARBONO; Y DE REDUCIR ADICIONALMENTE EN LA PARTE INFERIOR DEL HORNO ELECTRICO DE CUBA BAJA, A TEMPERATURA SUPERIOR A 1.600 GRADOS, EL DIOXIDO DE SILICIO FUNDIDO.

(16/01/1985). Solicitante/s: HELIOTRONIC FORSCHUNGS- UND ENTWICKLUNGSGESELLSCH.

METODO DE PURIFICACION DE SILICIO POR TRATAMIENTO CON UN ACIDO.SE DISPONE EL SILICIO A PURIFICAR COMO UNA FASE ESTACIONARIA, A TRAVES DE LA CUAL SE HACE PASAR UNA FASE ACIDA MOVIL, O SUCESIVAS FASES ACIDAS MOVILES DIFERENTES, POR ACCION DE LA PRESION, A UNA TEMPERATURA COMPRENDIDA ENTRE 20JC Y 80JC.ESTE SILICIO TIENE APLICACIONES PARA LA FABRICACION DE CELULAS SOLARES.

(03/04/1984). Solicitante/s: CONSEJO SUPERIOR INVESTIGACIONES CIENTIFICAS.

PROCEDIMIENTO PARA OBTENER SILICIO EN UN REACTOR DE PARED CALIENTE A PRESIONES SUBATMOSFERICAS.CARACTERIZADO PORQUE SE HACEN REACCIONAR MEZCLAS DE CLOROSILANOS, SILANO, ACIDO CLORHIDRICO E HIDROGENO EN UN REACTOR DE PARED CALIENTE Y A PRESIONES SUBATMOSFERICAS; PORQUE SE UTILIZAN COMO FUENTES DE MEZCLAS DE CLOROSILANOS, SILANOS, ACIDO CLORHIDRICO E HIDROGENO, DONDE LOS CLOROSILANOS EMPLEADOS SON EL DICLOROSILANO COMO FUENTE GASEOSA Y EL TRICLOROSILANO Y EL TETRACLORURO DE SILICIO COMO FUENTES LIQUIDAS; Y PORQUE SE TRABAJA EN UN RANGO DE TEMPERATURAS COMPRENDIDO ENTRE 600Y 1200 GRADOS, DETERMINANDO LA TEMPERATURA OPTIMA DE CADA PROCESO EL TIPO DE CRISTALIZACION QUE SE PRETENDE, LA VELOCIDAD DEL CRECIMIENTO DEL SILICIO DEPOSITADO Y LAS CONSIDERACIONES DE TIPO ECONOMICO.

(01/10/1983). Solicitante/s: HELIOTRONIC FORSCHUNGS-UND ENTWICKLUNGSGESELLSCHAF.

PROCEDIMIENTO SEMICONTINUO PARA LA PREPARACION DE SILICIO PURO. EN UN RECIPIENTE DE REACCION, SE DISPONE UNA ESCORIA FUNDIDA DE SILICATO DE UN METAL ALCALINOTERREO, POR EJEMPLO A BASE DE SILICATO DE CALCIO, SILICATO DE BARIO O SUS MEZCLAS, A LOS QUE SE PUEDEN AÑADIR UN 30% EN MOLES DE FLUORUROS DE METALES ALCALINOTERREOS. SE INTRODUCEN DISCONTINUAMENTE, A UNA TEMPERATURA DE REACCION DE 1420 A 1600 C, PORCIONES DE CUARZO Y ALUMINIO EN UNA RELACION MOLAR DE AL MENOS 3:4, PUDIENDOSE EMPLEAR ARENAS DE CUARZO CON TAMAÑO DE GRANOS DE 0,1 A 5 MM. SE SEPARA EL SILICIO RESULTANTE DE LA ESCORIA Y SE RETIRA, PARA SU REGENERACION, PARTE DE DICHA ESCORIA, LA CUAL CONTIENE UN 35 A 50% EN PESO DE OXIDO DE ALUMINIO, INTRODUCIENDOSE UNA CANTIDAD EQUIVALENTE DE ESCORIA DE NUEVA APORTACION. EL SILICIO SE EMPLEA COMO MATERIA PRIMA PARA CELULAS SOLARES TERRESTRES.

(16/04/1983). Solicitante/s: SKF STEEL ENGINEERING AKTIEBOLAG.

METODO PARA FABRICAR SILICIO A PARTIR DE MATERIAL PULVERIZADO QUE CONTIENE SILICE. COMPRENDE LAS SIGUIENTES OPERACIONES: PRIMERA, SE GENERA PLASMA DE GAS HACIENDO QUE EL GAS PASE A TRAVES DE UN ARCO ELECTRICO DE INDUCCION EN UN GENERADOR DE PLASMA; SEGUNDA, SE INYECTA EL MATERIAL EN FORMA DE POLVO QUE CONTIENE SILICE, JUNTO CON UN AGENTE REDUCTOR SOLIDO TAL COMO CARBON VEGETAL O COQUE, EN EL PLASMA DE GAS CON LA AYUDA DE UN GAS PORTADOR; Y POR ULTIMO, EL MATERIAL DE SILICE CALENTADO, CONJUNTAMENTE CON EL AGENTE REDUCTOR Y EL GAS DE PLASMA RICO EN ENERGIA, SE INTRODUCE EN UNA CAMARA DE REACCION RODEADA POR UN AGENTE REDUCTOR SOLIDO, PERMANECIENDO EN DICHA CAMARA HASTA QUE TERMINE EL PROCESO, Y RETIRANDOSE A CONTINUACION LA SILICE OBTENIDA.

(16/05/1982). Solicitante/s: INTERNATIONAL MINERALS & CHEMICAL LUXEMBOURG SOCIE.

PROCEDIMIENTO DE OBTENCION DE SILICIO A PARTIR DE CUARZO Y CARBONO EN UN HORNO ELECTRICO. EL CUARZO Y EL CARBONO SE INCORPORAN AL HORNO EN FORMA DE BRIQUETAS ESTABLES, CON PROPORCION DE CARBONO ENTRE EL 30 POR 100 Y EL 60 POR 100, DE PESO ENTRE 20 G. Y 60 G., Y FORMADAS A TEMPERATURAS ENTRE 500 C Y 600 C. TAMBIEN SE INCORPORA CUARZO GRANULAR DE TAMAÑO DE GRANO ENTRE 3 MM. Y 12 MM. EN PRIMPER LUGAR REACCIONA EL CUARZO CON LAS BRIQUETAS, A TEMPERATURAS SUPERIORES A 1.600 C, CON FORMACION DE MONOXIDO DE CARBONO, CARBURO DE SILICIO Y FUSION DEL CUARZO GRANULAR; EN SEGUNDO LUGAR SE PRODUCE LA REACCION DEL CARBURO DE SILICIO Y EL CUARZO FUNDIDO A TEMPERATURAS ENTRE 1.800 C Y 2.000 C, FORMANDOSE MONOXIDO DE CARBONO Y SILICIO.

(16/12/1981). Solicitante/s: HELIOTRONIC FORSCHUNGS-UND ENTWICKLUNGSGESELLSCHAF.

PROCEDIMIENTO SEMICONTINUO PARA LA PREPARACION DE SILICIO PURO A PARTIR DE ARENA DE CUARZO MEDIANTE REDUCCION CON ALUMINIO. EN UN RECIPIENTE DE REACCION CERRADO EN EL QUE HAY CONTENIDO ALUMINIO Y SULFURO DE ALUMINIO EN ESTADO FUNDIDO, SE INCORPORA CUARZO CON AGITACION DE MODO DISCONTINUO Y SE MANTIENE A UNA TEMPERATURA DE 950 A 1050 C. DE TIEMPO EN TIEMPO SE RETIRA EL ALUMINO QUE SE ENRIQUECE CON EL SILICIO ELEMENTAL RESULTANTE, SE ENFRIA LENTAMENTE HASTA 600 C, SE SEPARA DEL SILICIO QUE SE DEPOSITA Y SE APARTA DE NUEVO AL RECIPIENTE DE REACCION, MIENTRAS QUE EL OXIDO DE ALUMINIO DE RETIRA DE LA MASA FUNDIDA DE SULFURO DE ALUMINIO Y MEDIANTE ELECTROLISIS EN FUSION SE REDUCE NUEVAMENTE PARA FORMAR ALUMINIO ELEMENTAL SUSCEPTIBLE DE SER CARGADO POSTERIORMENTE. SE UTILIZA EL SILICIO PURO PARA LA PREPARACION DE CELULAS SOLARES.

(16/09/1981). Solicitante/s: KEMANORD AB.

PROCEDIMIENTO PARA LA PREPARACION DE SILICIO MEDIANTE REDUCCION DE OXIDO DE SILICIO. SE CARGA EN LA ZONA DE SUMINISTRO DE ENERGIA DE UNA ZONA DE REACCION LA MATERIA PRIMA DE SILICIO, OXIDO DE SILICIO, EN FORMA DE POLVO SOPLADO, MEDIANTE UNA CORRIENTE DE GAS DE 0,005 M CUBICOS, EN CONDICIONES NORMALES, DE MONOXIDO DE CARBONO POR KILO DE POLVO. EN ESTA ZONA SE HACE TAMBIEN EL SUMINISTRO DE ENERGIA AJUSTANDO LA RELACION ENTRE ESTA Y LA CANTIDAD DE OXIDO DE SILICIO PARA QUE LA REDUCCION SE HAGA, EN UNA GRAN EXTENSION, DIRECTAMENTE CON EL AGENTE REDUCTOR. EL AGENTE REDUCTOR, CARBONO, SE CARGA EN LA PARTE SUPERIOR DE LA ZONA DE REACCION. LA RELACION ENTRE LA CANTIDAD DE CARBONO Y LA DE OXIDO DE SILICIO EN MOLES ES APROXIMADAMENTE DOS.

(16/11/1979). Solicitante/s: KEMANORD AB.

Resumen no disponible.

(16/01/1976). Solicitante/s: ELKEM-SPIGERVERKET A-S.

Resumen no disponible.

(16/05/1961). Ver ilustración. Solicitante/s: PECHINEY, COMPAGNIE DE PRODUITS CHIMIQUES ET ELECTROMETALLURGIQUES.

Procedimiento de obtención de lingotes de silicio muy puro, que son homogéneos y sin defecto alguno, caracterizándose porque el silicio muy puro en una forma cualquiera, se funde y después se solidifica por enfriamiento lento en un recipiente que consiste esencialmente en óxido de silicio puro, cubierto exteriormente con una substancia que ataca el óxido de silicio a temperatura elevada, que comprende unos compuestos ácidos del grupo que consiste en los ácidos fluorhídrico y siliciofluorhídrico.

(16/05/1960). Solicitante/s: PECHINEY, COMPAGNIE DE PRODUITS CHIMIQUES ET ELECTROMETALLURGIQUES.

Procedimiento par ala obtención de silicio extra-puro, caracterizándose porque se efectúan sobre soportes depósitos de silicio extra-puro, compactos y voluminosos, fácilmente separables del soporte, dotando previamente a este soporte de un revestimiento continuo y regular de un material de elevada pureza y descomponiendo después al contacto de este soporte un compuesto siliciado muy puro en fase de vapor.