CIP-2021 : B81B 7/04 : Redes o matrices de dispositivos de microestructura semejantes.
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Notas[t] desde B81 hasta B82: TECNOLOGIA DE LAS MICROESTRUCTURAS; NANOTECNOLOGIA
B TECNICAS INDUSTRIALES DIVERSAS; TRANSPORTES.
B81 TECNOLOGIA DE LAS MICROESTRUCTURAS.
B81B DISPOSITIVOS O SISTEMAS DE MICROESTRUCTURA, p. ej. DISPOSITIVOS MICROMECANICOS (elementos piezoeléctricos, electroestrictivos o magnetoestrictivos en sí H01L 41/00).
B81B 7/00 Sistemas de microestructura.
B81B 7/04 · Redes o matrices de dispositivos de microestructura semejantes.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
(19/03/2020) Un dispositivo sensor de manipulación de una muestra fluida comprendiendo una matriz de sensores piezoeléctricos y una pluralidad de sustratos apilados uno encima de otro en un conjunto; comprendiendo un primer sustrato soporte inferior rigidizador que comprende una superficie cubierta por un plano de masa con un área superficial aumentada para regular la temperatura de trabajo de una matriz de sensores piezoeléctricos distribuidos sobre un segundo sustrato soporte sensor; un tercer sustrato soporte sellador compresible mediante presión regulada, comprendiendo un marco exterior en cuyo interior hay distribuidos regularmente al menos una ranura hueca…
MICRODOSIMETRO BASADO EN ESTRUCTURAS 3D DE SEMICONDUCTOR, PROCEDIMIENTO DE FABRICACIÓN DE DICHO MICRODOSIMETRO Y USO DE DICHO MICRODOSIMETRO.
(06/08/2015). Ver ilustración. Solicitante/s: CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGACIONES CIENTIFICAS (CSIC). Inventor/es: GOMEZ RODRIGUEZ,FAUSTINO, LOZANO FANTOBA,MANUEL, PELLEGRINI,GIULIO, GUARDIOLA SALMERÓN,Consuelo, QUIRION,David, FLETA CORRAL,María Celeste.
La invención comprende un microdosímetro formado por celdas que forman una matriz, donde en el interior de cada celda hay un volumen sensible a la radiación, que se fabrica sobre semiconductores mediante procesos tridimensionales que definen los componentes de una unión PN para asegurar que se delimita con precisión de pocas ¿¿¿ un volumen sensible similar al volumen medio del núcleo celular, de aproximadamente igual o menor a 10 ¿m de diámetro, donde el sustrato donde está fabricada la celda es una oblea de semiconductor y la celda tiene un diámetro de entre 5 y 150 ¿m y una profundidad de entre 1 y 300 ¿m.. Además la invención indica procedimientos de fabricación de diferentes configuraciones que pueden presentar estos microdosímetros, y su uso para detección de radiación en diferentes campos incluyendo aplicaciones médicas y aeroespaciales.
Procedimientos y aparatos para accionar visualizaciones.
(23/07/2014) Un aparato de visualización, que comprende:
un modulador para interactuar selectivamente con luz en una trayectoria ópticao para formar una imagen en el aparato de visualización;
un primer accionador electrostático controlable que proporciona un primer soporte mecánico para el modulador , proporcionando dicho primer soporte mecánico una conexión de soporte desde una primera posición en el modulador a una superficie sobre la que se apoya el modulador; y
un segundo soporte mecánico que proporciona una conexión de soporte desde una segunda posición en el modulador a la superficie,
en el que el primer y segundo soportes mecánicos están configurados…
PROCEDIMIENTO DE FABRICACION DE MEMBRANAS METALICAS ULTRAFINAS DE ESPESOR CONTROLADO POR ATAQUE IONICO REACTIVO Y CON PARADA AUTOMATICA Y MICROESTRUCTURAS CAPACITIVAS RESULTANTES.
(16/02/2009). Ver ilustración. Solicitante/s: ANGEL IGLESIAS, S.A.. Inventor/es: ETXEBARRIA INTXAUSTI,JON ANDER, GRACIA GAUDO,F. GRACIA.
Procedimiento de fabricación de membranas metálicas ultrafinas de espesor controlado por ataque iónico reactivo y con parada automática y microestructuras capacitivas resultantes, en que se realiza en un soporte del electrodo fijo consistente en vidrio de alto contenido de óxido de sodio (Na{sub,2}O) el grabado de una cavidad (G) de espesor micrométrico de geometría definida por medio de un proceso de fotolitografía y ataque iónico reactivo y se dispone sobre dicha cavidad (G) una primera capa de material metálico (M1); se deposita sobre la cara superior (cs) de un soporte del electrodo deformable consistente en un soporte de silicio, una segunda capa de material metálico (M2) y en ella se establece una máscara , se deposita sobre la cara inferior (ci) una tercera capa de material metálico (M3) y se pegan ambos soportes y se elimina el silicio entre máscaras .#De aplicación en electrónica de microcondensadores.
