Método de producir nanopartículas semiconductoras estables terminadas con oxígeno.
(28/02/2018) Un método de producir nanopartículas semiconductoras inorgánicas que tienen una superficie estable, comprendiendo el método: proporcionar un material semiconductor a granel inorgánico; y moler el material semiconductor a granel a una temperatura entre 100ºC y 200ºC en presencia de un agente reductor seleccionado, actuando el agente reductor para reducir químicamente óxidos de uno o más elementos componentes del material semiconductor formado durante el molido, o prevenir la formación de tales óxidos siendo oxidado preferentemente, para producir mediante ello nanopartículas semiconductoras del material semiconductor a granel inorgánico, teniendo dichas nanopartículas una superficie estable que permite el contacto eléctrico entre las partículas en donde el medio de molido y/o uno o más componentes…