CIP-2021 : C01B 33/021 : Preparación (revestimiento químico en fase vapor C23C 16/00).
CIP-2021 › C › C01 › C01B › C01B 33/00 › C01B 33/021[2] › Preparación (revestimiento químico en fase vapor C23C 16/00).
Notas[t] desde C01 hasta C14: QUIMICA
C QUIMICA; METALURGIA.
C01 QUIMICA INORGANICA.
C01B ELEMENTOS NO METALICOS; SUS COMPUESTOS (procesos de fermentación o procesos que utilizan enzimas para la preparación de elementos o de compuestos inorgánicos excepto anhídrido carbónico C12P 3/00; producción de elementos no metálicos o de compuestos inorgánicos por electrólisis o electroforesis C25B).
C01B 33/00 Silicio; Sus compuestos (C01B 21/00, C01B 23/00 tienen prioridad; persilicatos C01B 15/14; carburos C01B 32/956).
C01B 33/021 · · Preparación (revestimiento químico en fase vapor C23C 16/00).
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Reactor de capa turbulenta y procedimiento para la producción de polisilicio granular.
(16/03/2016). Ver ilustración. Solicitante/s: WACKER CHEMIE AG. Inventor/es: Forstpointner,Gerhard, PEDRON,SIMON.
Un reactor de capa turbulenta para la producción de polisilicio granular, que comprende un recipiente con un tubo de reactor interno para una capa turbulenta con polisilicio granular y un fondo del reactor, un dispositivo de calefacción para calentar la capa turbulenta en el tubo de reactor interno, por lo menos un orificio en el fondo del reactor para la aportación de un gas de fluidización así como por lo menos un orificio en el fondo del reactor para la aportación de un gas de reacción, un dispositivo para la evacuación del gas de salida del reactor, una disposición de aportación para aportar partículas de silicio así como una conducción de retirada para polisilicio granular, estando antepuesta por lo menos a uno de los orificios en el fondo del reactor, fuera del tubo de reactor interno, una tobera de Laval , que es apropiada para expandir supercríticamente por lo menos a un caudal másico aportado.
PDF original: ES-2627760_T3.pdf
Procedimiento para la determinación de una impureza de superficie de silicio policristalino.
(23/02/2016) Procedimiento para la determinación de una impureza en superficie de silicio policristalino, que comprende las etapas
a) proporcionar dos varillas de silicio policristalino mediante separación en un reactor Siemens;
b) impurezas con carbono y sustancias de dopaje en la primera de las dos varillas se determinan inmediatamente después de la separación, en donde de esta varilla se separa un disco y se utiliza para la determinación de la concentración de carbono mediante FTIR, en donde una varilla que permanece después de la separación del disco de esta varilla se transforma, mediante FZ, en una varilla monocristalina, en donde en un disco…
Fragmento de silicio policristalino pobre en sustancias dopantes.
(17/09/2014) Fragmento de silicio policristalino con una concentración de 1-50 ppta de boro y 1-50 ppta de fósforo junto a la superficie.
Granulado de polisilicio muy puro, exento de poros y que no desprende polvo.
(23/05/2012) Granulado de silicio policristalino, que está caracterizado porque se compone de unas partículas que poseen una densidad mayor que 99,9 % de la densidad teórica del material sólido y por consiguiente poseen una proporción de poros menor que 0,1 % así como una aspereza superficial Ra menor que 150 nm.
USO DE MATERIAS RESIDUALES Y/O DE DESECHO EN HORNOS ELÉCTRICOS DE FUNDICIÓN DE CUBA BAJA.
(28/04/2011) Uso de materias residuales y/o de desecho con un contenido en halógeno en el intervalo de 0,1 a 10% en peso, de manera particularmente preferida de 1,0 a 5,0% en peso, en cada caso referidas a la corriente empleada de materia prima como materiales de empleo en hornos eléctricos de fundición de cuba baja, caracterizado porque las materias residuales y/o de desecho se emplean para el aprovechamiento térmico y como fuente de carbono en la preparación de carburo de calcio
PROCEDIMIENTO DE REFINADO DE SILICIO.
(16/12/2003). Ver ilustración. Solicitante/s: ELKEM METALS COMPANY L.P. Inventor/es: JOHNSON, STEPHEN, SMITH, JERALD, OXMAN, STEVEN.
LA PRESENTE INVENCION SE REFIERE A UN PROCEDIMIENTO DE AFINADO DE SILICIO FUNDIDO Y, ESPECIALMENTE, A UN SISTEMA EXPERTO PARA REFINAR SILICIO DE TIPO METALURGICO, FUNDIDO, MEDIANTE OXIDACION, PARA PRODUCIR SILICIO DE TIPO METALURGICO AFINADO. EL SISTEMA EXPERTO EMPLEA LAS SIGUIENTES FASES: MONITORIZAR LA TEMPERATURA A TRAVES DE UNA SONDA DE TEMPERATURA DEL SILICIO EN LA CUCHARA ; Y CALCULAR LA CANTIDAD DE SILICE Y OXIGENO PARA EL AFINADO.
