BARRAS DE PLASMA INTERFACIALES PARA APARATO DE DEPOSICION FOTOVOLTAICO.

EN UN APARATO CONTINUO PARA LA DEPOSICION POR DESCARGAS LUMINISCENTES DE PILAS SOLARES DE UNA ALEACION DE SILICIO AMORFO CON UNA CONFIGURACION TIPO P-I-N EN UNA PLURALIDAD DE CAMARAS DE DEPOSICION DEDICADAS,

INTERCONECTADAS (28, 30, 32), UNA BARRA DE PLASMA (80A-D) COLOCADA DE MANERA OPERATIVA ENTRE AL MENOS LAS REGIONES DE PLASMA EN QUE SE DEPOSITAN LOS PARES DE CAPAS DEL MATERIAL DE ALEACION DE SILICIO AMORFO QUE DEFINEN LA UNION ENTRE SEMICONDUCTORES PRINCIPAL DE LA PILA SOLAR. LA BARRA DE PLASMA (80A-D) SE ENCUENTRA ADAPTADA PARA INICIAR UN PLASMA PARA ASI PREVENIR QUE LOS CONTAMINANTES QUIMICAMENTE ABSORBIDOS AFECTEN DE MANERA PERJUDICIAL A LA SUPERFICIE DE LA PRIMERA CAPA DEPOSITADA DEL PAR DE CAPAS, LO QUE MEJORA LA TENSION EN CIRCUITO ABIERTO DE LA PILA SOLAR. DE MANERA PARECIDA, LA BARRA DE PLASMA (80A-D) SE PUEDE ENCONTRAR COLOCADA TAMBIEN ENTRE LOS PARES DE CAPAS DEL MATERIAL DE ALEACION DE SILICIO AMORFO QUE SE COMBINAN PARA DEFINIR LA UNION ENTRE SEMICONDUCTORES SECUNDARIA DE LA PILA SOLAR. FINALMENTE, PUEDE HABER UNA BARRA DE PLASMA (80A-D) COLOCADA ENTRE LA CAPA BASADA EN OXIDO DE UN REFLECTOR POSTERIOR PAR REDUCIR LA CONTAMINACION DE OXIGENO DEL MATERIAL DE ALEACION DE SILICIO DEPOSITADO SOBRE LA MISMA.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: UNITED SOLAR SYSTEMS CORPORATION.

Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.

Dirección: 1100 WEST MAPLE ROAD,TROY, MI 48084.

Inventor/es: NATH, PREM, LAARMAN, TIMOTHY, DIDIO, GARY, M., JONES, KERMIT, HOFFMAN, KEVIN, CALL, JON.

Fecha de Publicación: .

Fecha Solicitud PCT: 6 de Marzo de 1992.

Fecha Concesión Europea: 25 de Septiembre de 1996.

Clasificación Internacional de Patentes:

  • C23C16/50 SECCION C — QUIMICA; METALURGIA.C23 REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO QUIMICO DE LA SUPERFICIE; TRATAMIENTO DE DIFUSION DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL; MEDIOS PARA IMPEDIR LA CORROSION DE MATERIALES METALICOS, LAS INCRUSTACIONES, EN GENERAL.C23C REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO DE MATERIALES METALICOS POR DIFUSION EN LA SUPERFICIE, POR CONVERSION QUIMICA O SUSTITUCION; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL (aplicación de líquidos o de otros materiales fluidos sobre las superficies, en general B05; fabricación de productos revestidos de metal por extrusión B21C 23/22; revestimiento metálico por unión de objetos con capas preexistentes, ver las clases apropiadas, p. ej. B21D 39/00, B23K; mecanizado del metal por acción de una fuerte concentración de corriente eléctrica sobre un objeto por medio de un electrodo B23H; metalización del vidrio C03C; metalización de piedras artificiales, cerámicas o piedras naturales C04B 41/00; pinturas, barnices, lacas C09D; esmaltado o vidriado de metales C23D; medios para impedir la corrosión de materiales metálicos, las incrustaciones, en general C23F; tratamiento de superficies metálicas o revestimiento de metales mediante electrolisis o electroforesis C25D, C25F; crecimiento de monocristales C30B; mediante metalización de textiles D06M 11/83; decoración de textiles por metalización localizada D06Q 1/04; detalles de aparatos de sonda de barrido, en general G01Q; fabricación de dispositivos semiconductores H01L; fabricación de circuitos impresos H05K). › C23C 16/00 Revestimiento químico por descomposición de compuestos gaseosos, no quedando productos de reacción del material de la superficie en el revestimiento, es decir, procesos de deposición química en fase vapor (pulverización catódica reactiva o evaporación reactiva en vacío C23C 14/00). › por medio de descargas eléctricas.
  • C23C16/54 C23C 16/00 […] › Aparatos especialmente adaptados para el revestimiento en continuo.

Países PCT: Alemania, España, Francia, Reino Unido, Italia, Finlandia, Rumania, Oficina Europea de Patentes, Australia, Barbados, Bulgaria, Brasil, Canadá, Hungría, Japón, República de Corea, Sri Lanka, Madagascar, Malawi, Noruega, Polonia, Federación de Rusia, Sudán, Burkina Faso, Benin, República Centroafricana, Congo, Costa de Marfil, Camerún, Gabón, Guinea, Malí, Mauritania, Senegal, Chad, Togo, Organización Africana de la Propiedad Intelectual, República Popular Democrática de Corea.

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