CIP-2021 : B22F 9/20 : a partir de compuestos metálicos sólidos.
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Notas[t] desde B21 hasta B32: CONFORMACION
B TECNICAS INDUSTRIALES DIVERSAS; TRANSPORTES.
B22 FUNDICION; METALURGIA DE POLVOS METALICOS.
B22F TRABAJO DE POLVOS METALICOS; FABRICACION DE OBJETOS A PARTIR DE POLVOS METALICOS; FABRICACION DE POLVOS METALICOS (fabricación de aleaciones mediante metalurgia de polvos C22C ); APARATOS O DISPOSITIVOS ESPECIALMENTE ADAPTADOS PARA POLVOS METALICOS.
B22F 9/00 Fabricación de polvos metálicos o de sus suspensiones; Aparatos o dispositivos especialmente adaptados para ello.
B22F 9/20 · · · a partir de compuestos metálicos sólidos.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Métodos para la producción de compuestos metálicos.
(26/02/2020). Solicitante/s: COMMONWEALTH SCIENTIFIC AND INDUSTRIAL RESEARCH ORGANISATION. Inventor/es: HAIDAR,JAWAD.
Un método por etapas para producir compuestos de titanio-aluminio, que comprende una primera etapa de:
- reducir una cantidad de cloruro de titanio (TiCl4) con una cantidad de aluminio a una temperatura que desencadena reacciones para formar productos de subcloruro(s) de titanio y cloruro de aluminio (AlCl3); y luego una segunda etapa de:
- mezclar dichos productos, con la adición de más aluminio si es necesario, y calentar la mezcla en una zona de reacción a una temperatura superior a 300 ºC para formar AlCl3 y los compuestos de titanio-aluminio.
PDF original: ES-2783991_T3.pdf
MÉTODO SECUENCIAL PARA LA CONSTRUCCIÓN DE NANOPARTÍCULAS DE COBRE METÁLICO Y SU POSTERIOR DECORACIÓN O REVESTIMIENTO CON NANOPARTÍCULAS MAS PEQUEÑAS DEL METAL SECUNDARIO.
(04/07/2019). Solicitante/s: UNIVERSIDAD DE CHILE. Inventor/es: LOZANO ZARTO,Harold Ivan, BENAVENTE ESPINOSA,Eglantina Javiera, GONZALEZ MORAGA,Guillermo Antonio, MENDIZABAL,Fernando.
El invento se refiere a un proceso de obtención de nanopartículas (NPs) de cobre, específicamente con un tamaño entre los 10nm a los 50nm. Específicamente, se describe un método para la construcción de NPs de cobre metálico y su posterior decoración o revestimiento con nanopartículas más pequeñas del metal secundario. Las tecnologías existentes para celdas solares base silicio utilizan plata, pero nunca cobre debido a que su penetración en sustrato reduce severamente la eficiencia del dispositivo. Para las interconexiones eléctricas en micriprocesadores se usan otros metales, principalmente aluminio, a pesar de su menor conductividad eléctrica. Dado el relativamente alto costo de la plata, el reemplazo de plata de cobre es económicamente interesante, especialmente si ello, permite, además utilizar tecnologías de impresión por inyección de tinta.
Placa de cubierta, método para la fabricación de placa de cubierta y dispositivo electrónico.
(01/05/2019). Solicitante/s: Guangdong OPPO Mobile Telecommunications Corp., Ltd. Inventor/es: LI,Jing , YANG,GUANGMING, GONG,QINGGUO.
Una placa de cubierta, que comprende:
un sustrato ;
al menos una ranura , definida en el sustrato y que penetra a través del sustrato en una dirección del espesor del sustrato; y
una capa de relleno , recibida en la al menos una ranura, que comprende una capa aislante y una capa de gel situada sobre la capa aislante, caracterizada por que la anchura de la capa de gel es mayor que la anchura de la capa aislante.
PDF original: ES-2731363_T3.pdf
Métodos para hacer nanopartículas de plata y sus aplicaciones.
(02/11/2018). Solicitante/s: Stelo Technologies. Inventor/es: ZHANG,JINGWU, SHACHAF,CATHERINE.
Una micropartícula con un diámetro de 10-100 micras, en el que la micropartícula:
se recubre con nanopartículas de plata; y
en el que las nanopartículas se recubren con un polisacárido; y en el que el recubrimiento de polisacáridos se puede digerir mediante bacterias.
PDF original: ES-2688381_T3.pdf
Método de producir nanopartículas semiconductoras estables terminadas con oxígeno.
(28/02/2018) Un método de producir nanopartículas semiconductoras inorgánicas que tienen una superficie estable, comprendiendo el método:
proporcionar un material semiconductor a granel inorgánico; y
moler el material semiconductor a granel a una temperatura entre 100ºC y 200ºC en presencia de un agente reductor seleccionado, actuando el agente reductor para reducir químicamente óxidos de uno o más elementos componentes del material semiconductor formado durante el molido, o prevenir la formación de tales óxidos siendo oxidado preferentemente,
para producir mediante ello nanopartículas semiconductoras del material semiconductor a granel inorgánico, teniendo dichas nanopartículas una superficie estable que permite el contacto eléctrico entre las partículas en donde el medio de molido y/o uno o más componentes…
PROCEDIMIENTO PARA LA PREPARACION DE POLVO DE METAL NO FERRICO O BIEN MEZCLAS DE POLVO DE METAL - NE.
(16/03/1993). Solicitante/s: NORDDEUTSCHE AFFINERIE AG. Inventor/es: LANGNER, BERND, MAY, ARTUR, WILDE, RENE-HOLGER.
CON UN PROCEDIMIENTO PARA LA PREPARACION DE POLVO DE METAL NO FERRICO O BIEN MEZCLAS DE POLVO DE METAL - NE, CON LO CUAL SE TRATA LA SAL METALICA EN UN MEDIO ACUOSO CON UNA DISOLUCION DE AZUCAR O UNA DISOLUCION DE ALMIDON ACUOSO BAJO AGITACION CON DADO EL CASO TEMPERATURAS REALZADAS Y SE SEPARA EL POLVO DE METAL - NE PRECIPITADO, SE TRATA EN EL MEDIO ACUOSO EN UNA CONCENTRACION DE 20 HASTA 400 G / L (CALCULADO COMO METAL) CON UN VALOR PJ > 3,2 Y CON UNA TEMPERATURA DE 20 HASTA 160 C, Y SE SEPARA EL POLVO DE METAL - NE PRECIPITADO, PRACTICAMENTE LIBRE DE OXIDOS A EFECTOS DE LA PREPARACION MAS ECONOMICOS Y MAS SENCILLOS APARTATIVAMENTE. SE UTILIZAN OXIDOS O HIDROXIDOS DE LOS METALES CU, AG, NI, CO, SN, PB, SB, AS O BI.